KSH2955TF Альтернативные части: 2SA2072TLQ ,KSH2955TM

KSH2955TFON Semiconductor

  • KSH2955TFON Semiconductor
  • 2SA2072TLQROHM Semiconductor
  • KSH2955TMON Semiconductor

В наличии: 29537

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

  • 1

    23.014437 ₽

    23.08 ₽

  • 10

    21.711690 ₽

    217.17 ₽

  • 100

    20.482734 ₽

    2,048.21 ₽

  • 500

    19.323338 ₽

    9,661.68 ₽

  • 1000

    18.229560 ₽

    18,229.53 ₽

Цена за единицу: 23.014437 ₽

Итоговая цена: 23.08 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты
Производитель:
Описание:
Bipolar Transistors - BJT PNP Epitaxial Sil
TRANS PNP 60V 3A CPT
Bipolar Transistors - BJT PNP Epitaxial Sil
Состояние жизненного цикла
LAST SHIPMENTS (Last Updated: 6 days ago)
-
LAST SHIPMENTS (Last Updated: 1 week ago)
Срок поставки от производителя
9 Weeks
40 Weeks
9 Weeks
Покрытие контактов
Tin
-
Tin
Монтаж
Surface Mount
Surface Mount
Surface Mount
Вид крепления
Surface Mount
Surface Mount
Surface Mount
Корпус / Кейс
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Количество контактов
3
3
3
Вес
260.37mg
-
260.37mg
Материал элемента транзистора
SILICON
SILICON
SILICON
Диэлектрический пробой напряжение
60V
60V
60V
Количество элементов
1
1
1
Минимальная частота работы в герцах
20
-
20
Рабочая температура
150°C TJ
150°C TJ
150°C TJ
Пакетирование
Tape & Reel (TR)
Tape & Reel (TR)
Tape & Reel (TR)
Опубликовано
2014
2012
2016
Код JESD-609
e3
e2
e3
Безоловая кодировка
yes
yes
yes
Состояние изделия
Obsolete
Not For New Designs
Obsolete
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)
1 (Unlimited)
1 (Unlimited)
1 (Unlimited)
Количество выводов
2
2
2
Код ECCN
EAR99
EAR99
EAR99
Ток постоянного напряжения - номинальный
-60V
-
-60V
Максимальная потеря мощности
1.75W
1W
1.75W
Форма вывода
GULL WING
GULL WING
GULL WING
Моментальный ток
-10A
-
-10A
Частота
2MHz
-
2MHz
Основной номер части
KSH2955
-
KSH2955
Код JESD-30
R-PSSO-G2
R-PSSO-G2
R-PSSO-G2
Конфигурация элемента
Single
Single
Single
Распад мощности
1.75W
-
1.75W
Применение транзистора
AMPLIFIER
SWITCHING
AMPLIFIER
Продуктивность полосы частот
2MHz
180MHz
2MHz
Полярность/Тип канала
PNP
PNP
PNP
Тип транзистора
PNP
PNP
PNP
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)
60V
500mV
60V
Максимальный ток сбора
10A
3A
10A
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce
20 @ 4A 4V
120 @ 100mA 2V
20 @ 4A 4V
Ток - отсечка коллектора (макс)
50μA
1μA ICBO
50μA
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic
8V @ 3.3A, 10A
500mV @ 200mA, 2A
8V @ 3.3A, 10A
Частота перехода
2MHz
180MHz
2MHz
Максимальное напряжение разрушения
100V
-
60V
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)
-70V
-60V
-70V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)
-5V
-6V
-5V
Корпусировка на излучение
No
No
-
Состояние RoHS
ROHS3 Compliant
ROHS3 Compliant
ROHS3 Compliant
Без свинца
Lead Free
Lead Free
Lead Free
Максимальный коллекторный ток (Ic)
-
3A
-
Конечная обработка контакта
-
Tin/Copper (Sn98Cu2)
-
Код ТН ВЭД
-
8541.29.00.75
-
Температура пайки (пиковая) (°C)
-
260
NOT SPECIFIED
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)
-
10
NOT SPECIFIED
Число контактов
-
3
-
Код соответствия REACH
-
-
not_compliant
Квалификационный Статус
-
-
Not Qualified