Все продукты
Войти
Место отправки: 
Китай
KSH2955TF Альтернативные части: KSH45H11TM
KSH2955TFON Semiconductor
В наличии: 29537
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.
Количество
Цена за единицу
Итоговая цена
1
23.014437 ₽
23.08 ₽
10
21.711690 ₽
217.17 ₽
100
20.482734 ₽
2,048.21 ₽
500
19.323338 ₽
9,661.68 ₽
1000
18.229560 ₽
18,229.53 ₽
Цена за единицу: 23.014437 ₽
Итоговая цена: 23.08 ₽
Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.
Скрыть общие атрибуты | ||
Производитель: | ||
Описание: | Bipolar Transistors - BJT PNP Epitaxial Sil | Bipolar Transistors - BJT PNP Epitaxial Sil |
Состояние жизненного цикла | LAST SHIPMENTS (Last Updated: 6 days ago) | LAST SHIPMENTS (Last Updated: 2 weeks ago) |
Срок поставки от производителя | 9 Weeks | 6 Weeks |
Покрытие контактов | Tin | - |
Монтаж | Surface Mount | Surface Mount |
Вид крепления | Surface Mount | Surface Mount |
Корпус / Кейс | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Количество контактов | 3 | 3 |
Вес | 260.37mg | 260.37mg |
Материал элемента транзистора | SILICON | SILICON |
Диэлектрический пробой напряжение | 60V | 80V |
Количество элементов | 1 | 1 |
Минимальная частота работы в герцах | 20 | 60 |
Рабочая температура | 150°C TJ | 150°C TJ |
Пакетирование | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
Опубликовано | 2014 | 2016 |
Код JESD-609 | e3 | e3 |
Безоловая кодировка | yes | yes |
Состояние изделия | Obsolete | Obsolete |
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) |
Количество выводов | 2 | 2 |
Код ECCN | EAR99 | EAR99 |
Ток постоянного напряжения - номинальный | -60V | -80V |
Максимальная потеря мощности | 1.75W | 1.75W |
Форма вывода | GULL WING | GULL WING |
Моментальный ток | -10A | -8A |
Частота | 2MHz | 40MHz |
Основной номер части | KSH2955 | KSH45H11 |
Код JESD-30 | R-PSSO-G2 | R-PSSO-G2 |
Конфигурация элемента | Single | Single |
Распад мощности | 1.75W | 1.75W |
Применение транзистора | AMPLIFIER | SWITCHING |
Продуктивность полосы частот | 2MHz | 40MHz |
Полярность/Тип канала | PNP | PNP |
Тип транзистора | PNP | PNP |
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO) | 60V | 80V |
Максимальный ток сбора | 10A | 8A |
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce | 20 @ 4A 4V | 40 @ 4A 1V |
Ток - отсечка коллектора (макс) | 50μA | 10μA |
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic | 8V @ 3.3A, 10A | 1V @ 400mA, 8A |
Частота перехода | 2MHz | 40MHz |
Максимальное напряжение разрушения | 100V | 80V |
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО) | -70V | -80V |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | -5V | -5V |
Корпусировка на излучение | No | No |
Состояние RoHS | ROHS3 Compliant | RoHS Compliant |
Без свинца | Lead Free | Lead Free |
Конечная обработка контакта | - | Tin (Sn) |
Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные Смежные части
| Наименование | Артикул | Производитель | Категория | Упаковка | Описание | Для сравнения |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | KSH42CTM | ON Semiconductor | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | Trans GP BJT PNP 100V 6A 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R | Для сравнения |
 | 2SA2072TLQ | ROHM Semiconductor | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TRANS PNP 60V 3A CPT | Для сравнения |
 | KSH2955TM | ON Semiconductor | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | Bipolar Transistors - BJT PNP Epitaxial Sil | Для сравнения |
| KSH45H11TM | ON Semiconductor | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | Bipolar Transistors - BJT PNP Epitaxial Sil | Для сравнения |