Все продукты
Войти
Место отправки: 
Китай
KSH2955TF Альтернативные части: 2SA2072TLQ
KSH2955TFON Semiconductor
В наличии: 29537
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.
Количество
Цена за единицу
Итоговая цена
1
23.014437 ₽
23.08 ₽
10
21.711690 ₽
217.17 ₽
100
20.482734 ₽
2,048.21 ₽
500
19.323338 ₽
9,661.68 ₽
1000
18.229560 ₽
18,229.53 ₽
Цена за единицу: 23.014437 ₽
Итоговая цена: 23.08 ₽
Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.
Скрыть общие атрибуты | ||
Производитель: | ||
Описание: | Bipolar Transistors - BJT PNP Epitaxial Sil | TRANS PNP 60V 3A CPT |
Состояние жизненного цикла | LAST SHIPMENTS (Last Updated: 6 days ago) | - |
Срок поставки от производителя | 9 Weeks | 40 Weeks |
Покрытие контактов | Tin | - |
Монтаж | Surface Mount | Surface Mount |
Вид крепления | Surface Mount | Surface Mount |
Корпус / Кейс | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Количество контактов | 3 | 3 |
Вес | 260.37mg | - |
Материал элемента транзистора | SILICON | SILICON |
Диэлектрический пробой напряжение | 60V | 60V |
Количество элементов | 1 | 1 |
Минимальная частота работы в герцах | 20 | - |
Рабочая температура | 150°C TJ | 150°C TJ |
Пакетирование | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
Опубликовано | 2014 | 2012 |
Код JESD-609 | e3 | e2 |
Безоловая кодировка | yes | yes |
Состояние изделия | Obsolete | Not For New Designs |
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) |
Количество выводов | 2 | 2 |
Код ECCN | EAR99 | EAR99 |
Ток постоянного напряжения - номинальный | -60V | - |
Максимальная потеря мощности | 1.75W | 1W |
Форма вывода | GULL WING | GULL WING |
Моментальный ток | -10A | - |
Частота | 2MHz | - |
Основной номер части | KSH2955 | - |
Код JESD-30 | R-PSSO-G2 | R-PSSO-G2 |
Конфигурация элемента | Single | Single |
Распад мощности | 1.75W | - |
Применение транзистора | AMPLIFIER | SWITCHING |
Продуктивность полосы частот | 2MHz | 180MHz |
Полярность/Тип канала | PNP | PNP |
Тип транзистора | PNP | PNP |
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO) | 60V | 500mV |
Максимальный ток сбора | 10A | 3A |
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce | 20 @ 4A 4V | 120 @ 100mA 2V |
Ток - отсечка коллектора (макс) | 50μA | 1μA ICBO |
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic | 8V @ 3.3A, 10A | 500mV @ 200mA, 2A |
Частота перехода | 2MHz | 180MHz |
Максимальное напряжение разрушения | 100V | - |
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО) | -70V | -60V |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | -5V | -6V |
Корпусировка на излучение | No | No |
Состояние RoHS | ROHS3 Compliant | ROHS3 Compliant |
Без свинца | Lead Free | Lead Free |
Максимальный коллекторный ток (Ic) | - | 3A |
Конечная обработка контакта | - | Tin/Copper (Sn98Cu2) |
Код ТН ВЭД | - | 8541.29.00.75 |
Температура пайки (пиковая) (°C) | - | 260 |
Время@Максимальная температура пайки-пик (с) | - | 10 |
Число контактов | - | 3 |
Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные Смежные части
| Наименование | Артикул | Производитель | Категория | Упаковка | Описание | Для сравнения |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | KSH42CTM | ON Semiconductor | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | Trans GP BJT PNP 100V 6A 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R | Для сравнения |
 | 2SA2072TLQ | ROHM Semiconductor | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TRANS PNP 60V 3A CPT | Для сравнения |
 | KSH2955TM | ON Semiconductor | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | Bipolar Transistors - BJT PNP Epitaxial Sil | Для сравнения |
| KSH45H11TM | ON Semiconductor | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | Bipolar Transistors - BJT PNP Epitaxial Sil | Для сравнения |