IXXK110N65B4H1 Альтернативные части: APT75GN60LDQ3G ,APT100GN60LDQ4G

IXXK110N65B4H1IXYS

В наличии: 284

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

1
1,468.918791 ₽
1,468.96 ₽
10
1,385.772418 ₽
13,857.69 ₽
100
1,307.332445 ₽
130,733.24 ₽
500
1,233.332527 ₽
616,666.21 ₽
1000
1,163.521264 ₽
1,163,521.29 ₽

Цена за единицу: 1,468.918791 ₽

Итоговая цена: 1,468.96 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты	иIXXK110N65B4H1	иAPT75GN60LDQ3G	иAPT100GN60LDQ4G
Производитель:	IXYS	Microsemi Corporation	Microsemi Corporation
Описание:	IGBT Transistors 650V/240A TRENCH IGBT GENX4 XPT	Trans IGBT Chip N-CH 600V 155A 3-Pin(3+Tab) TO-264	IGBT 600V 229A 625W TO264
Срок поставки от производителя	18 Weeks	25 Weeks	25 Weeks
Монтаж	Through Hole	Through Hole	Through Hole
Вид крепления	Through Hole	Through Hole	Through Hole
Корпус / Кейс	TO-264-3, TO-264AA	TO-264-3, TO-264AA	TO-264-3, TO-264AA
Диэлектрический пробой напряжение	650V	600V	600V
Условия испытания	400V, 55A, 2 Ω, 15V	400V, 75A, 1 Ω, 15V	400V, 100A, 1 Ω, 15V
Рабочая температура	-55°C~175°C TJ	-55°C~175°C TJ	-55°C~175°C TJ
Пакетирование	Tube	Tube	Tube
Серия	GenX4™, XPT™	-	-
Опубликовано	2013	1999	1999
Состояние изделия	Active	Active	Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)
Максимальная потеря мощности	880W	536W	625W
Код соответствия REACH	unknown	-	-
Основной номер части	110N65	-	-
Конфигурация элемента	Single	Single	Single
Распад мощности	880W	-	-
Входной тип	Standard	Standard	Standard
Полярность/Тип канала	N-CHANNEL	N-CHANNEL	N-CHANNEL
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)	650V	600V	600V
Максимальный ток сбора	240A	155A	229A
Время обратной рекомпенсации	100 ns	-	-
Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic	2.1V @ 15V, 110A	1.85V @ 15V, 75A	1.85V @ 15V, 100A
Тип ИGBT	PT	Trench Field Stop	Trench Field Stop
Зарядная мощность	183nC	485nC	600nC
Ток-эmitter импульсированный (Icm)	630A	225A	300A
Тд (вкл/выкл) @ 25°C	38ns/156ns	47ns/385ns	31ns/310ns
Переключаемый энергопотребление	2.2mJ (on), 1.05mJ (off)	2500μJ (on), 2140μJ (off)	4.75mJ (on), 2.675mJ (off)
Напряжение затвор-эмиттер (макс.)	20V	30V	30V
Максимальное напряжение на переходе ГЭ	6.5V	6.5V	6.5V
Состояние RoHS	ROHS3 Compliant	RoHS Compliant	RoHS Compliant
Без свинца	Lead Free	Lead Free	Lead Free
Вес	-	10.6g	10.6g
Материал элемента транзистора	-	SILICON	SILICON
Количество элементов	-	1	1
Время отключения	-	385 ns	-
Код JESD-609	-	e1	e1
Безоловая кодировка	-	yes	yes
Количество выводов	-	3	3
Конечная обработка контакта	-	TIN SILVER COPPER	-
Дополнительная Характеристика	-	HIGH RELIABILITY	HIGH RELIABILITY
Число контактов	-	3	3
Код JESD-30	-	R-PSFM-T3	R-PSFM-T3
Сокетная связка	-	COLLECTOR	COLLECTOR
Время задержки включения	-	47 ns	-
Применение транзистора	-	POWER CONTROL	POWER CONTROL
Время включения	-	95 ns	96 ns
Прямоходящий ток коллектора	-	155A	229A
Время выключения (toff)	-	485 ns	435 ns
Высота	-	5.21mm	5.21mm
Длина	-	26.49mm	26.49mm
Ширина	-	20.5mm	20.5mm
Корпусировка на излучение	-	No	No
Покрытие контактов	-	-	Tin
Код ECCN	-	-	EAR99
Ток постоянного напряжения - номинальный	-	-	600V
Моментальный ток	-	-	100A

Транзисторы - IGBT - Одиночные Смежные части

Артикул	Производитель	Категория	Упаковка	Описание	Для сравнения
APT75GN120LG	Microsemi Corporation	Транзисторы - IGBT - Одиночные	TO-264-3, TO-264AA	Trans IGBT Chip N-CH 1.2KV 200A 3-Pin(3+Tab) TO-264	Для сравнения
APT75GN60LDQ3G	Microsemi Corporation	Транзисторы - IGBT - Одиночные	TO-264-3, TO-264AA	Trans IGBT Chip N-CH 600V 155A 3-Pin(3+Tab) TO-264	Для сравнения
APT100GN60LDQ4G	Microsemi Corporation	Транзисторы - IGBT - Одиночные	TO-264-3, TO-264AA	IGBT 600V 229A 625W TO264	Для сравнения
IXXK200N65B4	IXYS	Транзисторы - IGBT - Одиночные	TO-264-3, TO-264AA	IGBT 650V 370A 1150W TO264	Для сравнения