Все продукты
Войти
Место отправки: 
Китай
IXXK110N65B4H1 Альтернативные части: APT75GN120LG
IXXK110N65B4H1IXYS
В наличии: 284
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.
Количество
Цена за единицу
Итоговая цена
1
1,468.918791 ₽
1,468.96 ₽
10
1,385.772418 ₽
13,857.69 ₽
100
1,307.332445 ₽
130,733.24 ₽
500
1,233.332527 ₽
616,666.21 ₽
1000
1,163.521264 ₽
1,163,521.29 ₽
Цена за единицу: 1,468.918791 ₽
Итоговая цена: 1,468.96 ₽
Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.
Скрыть общие атрибуты | ||
Производитель: | ||
Описание: | IGBT Transistors 650V/240A TRENCH IGBT GENX4 XPT | Trans IGBT Chip N-CH 1.2KV 200A 3-Pin(3+Tab) TO-264 |
Срок поставки от производителя | 18 Weeks | 24 Weeks |
Монтаж | Through Hole | Through Hole |
Вид крепления | Through Hole | Through Hole |
Корпус / Кейс | TO-264-3, TO-264AA | TO-264-3, TO-264AA |
Диэлектрический пробой напряжение | 650V | 1.2kV |
Условия испытания | 400V, 55A, 2 Ω, 15V | 800V, 75A, 1 Ω, 15V |
Рабочая температура | -55°C~175°C TJ | -55°C~150°C TJ |
Пакетирование | Tube | Tube |
Серия | GenX4™, XPT™ | - |
Опубликовано | 2013 | 1999 |
Состояние изделия | Active | Active |
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) |
Максимальная потеря мощности | 880W | 833W |
Код соответствия REACH | unknown | - |
Основной номер части | 110N65 | - |
Конфигурация элемента | Single | Single |
Распад мощности | 880W | - |
Входной тип | Standard | Standard |
Полярность/Тип канала | N-CHANNEL | N-CHANNEL |
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO) | 650V | 1.2kV |
Максимальный ток сбора | 240A | 200A |
Время обратной рекомпенсации | 100 ns | - |
Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic | 2.1V @ 15V, 110A | 2.1V @ 15V, 75A |
Тип ИGBT | PT | Trench Field Stop |
Зарядная мощность | 183nC | 425nC |
Ток-эmitter импульсированный (Icm) | 630A | 225A |
Тд (вкл/выкл) @ 25°C | 38ns/156ns | 60ns/620ns |
Переключаемый энергопотребление | 2.2mJ (on), 1.05mJ (off) | 8620μJ (on), 11400μJ (off) |
Напряжение затвор-эмиттер (макс.) | 20V | 30V |
Максимальное напряжение на переходе ГЭ | 6.5V | 6.5V |
Состояние RoHS | ROHS3 Compliant | RoHS Compliant |
Без свинца | Lead Free | Lead Free |
Вес | - | 10.6g |
Материал элемента транзистора | - | SILICON |
Количество элементов | - | 1 |
Время отключения | - | 620 ns |
Код JESD-609 | - | e1 |
Безоловая кодировка | - | yes |
Количество выводов | - | 3 |
Код ECCN | - | EAR99 |
Конечная обработка контакта | - | Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) |
Дополнительная Характеристика | - | HIGH RELIABILITY |
Ток постоянного напряжения - номинальный | - | 1.2kV |
Моментальный ток | - | 200A |
Число контактов | - | 3 |
Код JESD-30 | - | R-PSFM-T3 |
Сокетная связка | - | COLLECTOR |
Время задержки включения | - | 60 ns |
Применение транзистора | - | POWER CONTROL |
Напряжение - пробой коллектора-эмиттера (макс.) | - | 1200V |
Время включения | - | 101 ns |
Прямоходящий ток коллектора | - | 200A |
Время выключения (toff) | - | 925 ns |
Высота | - | 5.21mm |
Длина | - | 26.49mm |
Ширина | - | 20.5mm |
Корпусировка на излучение | - | No |
Транзисторы - IGBT - Одиночные Смежные части
| Наименование | Артикул | Производитель | Категория | Упаковка | Описание | Для сравнения |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | APT75GN120LG | Microsemi Corporation | Транзисторы - IGBT - Одиночные | TO-264-3, TO-264AA | Trans IGBT Chip N-CH 1.2KV 200A 3-Pin(3+Tab) TO-264 | Для сравнения |
 | APT75GN60LDQ3G | Microsemi Corporation | Транзисторы - IGBT - Одиночные | TO-264-3, TO-264AA | Trans IGBT Chip N-CH 600V 155A 3-Pin(3+Tab) TO-264 | Для сравнения |
| APT100GN60LDQ4G | Microsemi Corporation | Транзисторы - IGBT - Одиночные | TO-264-3, TO-264AA | IGBT 600V 229A 625W TO264 | Для сравнения |
 | IXXK200N65B4 | IXYS | Транзисторы - IGBT - Одиночные | TO-264-3, TO-264AA | IGBT 650V 370A 1150W TO264 | Для сравнения |