IXXK110N65B4H1 Альтернативные части: IXXK200N65B4

IXXK110N65B4H1IXYS

В наличии: 284

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

1
1,468.918791 ₽
1,468.96 ₽
10
1,385.772418 ₽
13,857.69 ₽
100
1,307.332445 ₽
130,733.24 ₽
500
1,233.332527 ₽
616,666.21 ₽
1000
1,163.521264 ₽
1,163,521.29 ₽

Цена за единицу: 1,468.918791 ₽

Итоговая цена: 1,468.96 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты	иIXXK110N65B4H1	иIXXK200N65B4
Производитель:	IXYS	IXYS
Описание:	IGBT Transistors 650V/240A TRENCH IGBT GENX4 XPT	IGBT 650V 370A 1150W TO264
Срок поставки от производителя	18 Weeks	28 Weeks
Монтаж	Through Hole	Through Hole
Вид крепления	Through Hole	Through Hole
Корпус / Кейс	TO-264-3, TO-264AA	TO-264-3, TO-264AA
Диэлектрический пробой напряжение	650V	650V
Условия испытания	400V, 55A, 2 Ω, 15V	400V, 100A, 1 Ω, 15V
Рабочая температура	-55°C~175°C TJ	-55°C~175°C TJ
Пакетирование	Tube	Tube
Серия	GenX4™, XPT™	GenX4™, XPT™
Опубликовано	2013	2014
Состояние изделия	Active	Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)
Максимальная потеря мощности	880W	1.15kW
Код соответствия REACH	unknown	unknown
Основной номер части	110N65	-
Конфигурация элемента	Single	Single
Распад мощности	880W	1.15kW
Входной тип	Standard	Standard
Полярность/Тип канала	N-CHANNEL	N-CHANNEL
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)	650V	1.7V
Максимальный ток сбора	240A	370A
Время обратной рекомпенсации	100 ns	-
Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic	2.1V @ 15V, 110A	1.7V @ 15V, 160A
Тип ИGBT	PT	PT
Зарядная мощность	183nC	553nC
Ток-эmitter импульсированный (Icm)	630A	1000A
Тд (вкл/выкл) @ 25°C	38ns/156ns	62ns/245ns
Переключаемый энергопотребление	2.2mJ (on), 1.05mJ (off)	4.4mJ (on), 2.2mJ (off)
Напряжение затвор-эмиттер (макс.)	20V	20V
Максимальное напряжение на переходе ГЭ	6.5V	6.5V
Состояние RoHS	ROHS3 Compliant	ROHS3 Compliant
Без свинца	Lead Free	-
Мощность - Макс	-	1150W

Транзисторы - IGBT - Одиночные Смежные части

Артикул	Производитель	Категория	Упаковка	Описание	Для сравнения
APT75GN120LG	Microsemi Corporation	Транзисторы - IGBT - Одиночные	TO-264-3, TO-264AA	Trans IGBT Chip N-CH 1.2KV 200A 3-Pin(3+Tab) TO-264	Для сравнения
APT75GN60LDQ3G	Microsemi Corporation	Транзисторы - IGBT - Одиночные	TO-264-3, TO-264AA	Trans IGBT Chip N-CH 600V 155A 3-Pin(3+Tab) TO-264	Для сравнения
APT100GN60LDQ4G	Microsemi Corporation	Транзисторы - IGBT - Одиночные	TO-264-3, TO-264AA	IGBT 600V 229A 625W TO264	Для сравнения
IXXK200N65B4	IXYS	Транзисторы - IGBT - Одиночные	TO-264-3, TO-264AA	IGBT 650V 370A 1150W TO264	Для сравнения