IXXK110N65B4H1IXYS
В наличии: 284
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.
Количество
Цена за единицу
Итоговая цена
1
1,468.918791 ₽
1,468.96 ₽
10
1,385.772418 ₽
13,857.69 ₽
100
1,307.332445 ₽
130,733.24 ₽
500
1,233.332527 ₽
616,666.21 ₽
1000
1,163.521264 ₽
1,163,521.29 ₽
Цена за единицу: 1,468.918791 ₽
Итоговая цена: 1,468.96 ₽
Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.
Скрыть общие атрибуты | |||
Производитель: | |||
Описание: | IGBT Transistors 650V/240A TRENCH IGBT GENX4 XPT | IGBT 600V 229A 625W TO264 | IGBT 650V 370A 1150W TO264 |
Срок поставки от производителя | 18 Weeks | 25 Weeks | 28 Weeks |
Монтаж | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
Вид крепления | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
Корпус / Кейс | TO-264-3, TO-264AA | TO-264-3, TO-264AA | TO-264-3, TO-264AA |
Диэлектрический пробой напряжение | 650V | 600V | 650V |
Условия испытания | 400V, 55A, 2 Ω, 15V | 400V, 100A, 1 Ω, 15V | 400V, 100A, 1 Ω, 15V |
Рабочая температура | -55°C~175°C TJ | -55°C~175°C TJ | -55°C~175°C TJ |
Пакетирование | Tube | Tube | Tube |
Серия | GenX4™, XPT™ | - | GenX4™, XPT™ |
Опубликовано | 2013 | 1999 | 2014 |
Состояние изделия | Active | Active | Active |
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) |
Максимальная потеря мощности | 880W | 625W | 1.15kW |
Код соответствия REACH | unknown | - | unknown |
Основной номер части | 110N65 | - | - |
Конфигурация элемента | Single | Single | Single |
Распад мощности | 880W | - | 1.15kW |
Входной тип | Standard | Standard | Standard |
Полярность/Тип канала | N-CHANNEL | N-CHANNEL | N-CHANNEL |
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO) | 650V | 600V | 1.7V |
Максимальный ток сбора | 240A | 229A | 370A |
Время обратной рекомпенсации | 100 ns | - | - |
Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic | 2.1V @ 15V, 110A | 1.85V @ 15V, 100A | 1.7V @ 15V, 160A |
Тип ИGBT | PT | Trench Field Stop | PT |
Зарядная мощность | 183nC | 600nC | 553nC |
Ток-эmitter импульсированный (Icm) | 630A | 300A | 1000A |
Тд (вкл/выкл) @ 25°C | 38ns/156ns | 31ns/310ns | 62ns/245ns |
Переключаемый энергопотребление | 2.2mJ (on), 1.05mJ (off) | 4.75mJ (on), 2.675mJ (off) | 4.4mJ (on), 2.2mJ (off) |
Напряжение затвор-эмиттер (макс.) | 20V | 30V | 20V |
Максимальное напряжение на переходе ГЭ | 6.5V | 6.5V | 6.5V |
Состояние RoHS | ROHS3 Compliant | RoHS Compliant | ROHS3 Compliant |
Без свинца | Lead Free | Lead Free | - |
Покрытие контактов | - | Tin | - |
Вес | - | 10.6g | - |
Материал элемента транзистора | - | SILICON | - |
Количество элементов | - | 1 | - |
Код JESD-609 | - | e1 | - |
Безоловая кодировка | - | yes | - |
Количество выводов | - | 3 | - |
Код ECCN | - | EAR99 | - |
Дополнительная Характеристика | - | HIGH RELIABILITY | - |
Ток постоянного напряжения - номинальный | - | 600V | - |
Моментальный ток | - | 100A | - |
Число контактов | - | 3 | - |
Код JESD-30 | - | R-PSFM-T3 | - |
Сокетная связка | - | COLLECTOR | - |
Применение транзистора | - | POWER CONTROL | - |
Время включения | - | 96 ns | - |
Прямоходящий ток коллектора | - | 229A | - |
Время выключения (toff) | - | 435 ns | - |
Высота | - | 5.21mm | - |
Длина | - | 26.49mm | - |
Ширина | - | 20.5mm | - |
Корпусировка на излучение | - | No | - |
Мощность - Макс | - | - | 1150W |