IXXK110N65B4H1 Альтернативные части: APT100GN60LDQ4G ,IXXK200N65B4

IXXK110N65B4H1IXYS

  • IXXK110N65B4H1IXYS
  • APT100GN60LDQ4GMicrosemi Corporation
  • IXXK200N65B4IXYS

В наличии: 284

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

  • 1

    1,468.918791 ₽

    1,468.96 ₽

  • 10

    1,385.772418 ₽

    13,857.69 ₽

  • 100

    1,307.332445 ₽

    130,733.24 ₽

  • 500

    1,233.332527 ₽

    616,666.21 ₽

  • 1000

    1,163.521264 ₽

    1,163,521.29 ₽

Цена за единицу: 1,468.918791 ₽

Итоговая цена: 1,468.96 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты
Производитель:
Описание:
IGBT Transistors 650V/240A TRENCH IGBT GENX4 XPT
IGBT 600V 229A 625W TO264
IGBT 650V 370A 1150W TO264
Срок поставки от производителя
18 Weeks
25 Weeks
28 Weeks
Монтаж
Through Hole
Through Hole
Through Hole
Вид крепления
Through Hole
Through Hole
Through Hole
Корпус / Кейс
TO-264-3, TO-264AA
TO-264-3, TO-264AA
TO-264-3, TO-264AA
Диэлектрический пробой напряжение
650V
600V
650V
Условия испытания
400V, 55A, 2 Ω, 15V
400V, 100A, 1 Ω, 15V
400V, 100A, 1 Ω, 15V
Рабочая температура
-55°C~175°C TJ
-55°C~175°C TJ
-55°C~175°C TJ
Пакетирование
Tube
Tube
Tube
Серия
GenX4™, XPT™
-
GenX4™, XPT™
Опубликовано
2013
1999
2014
Состояние изделия
Active
Active
Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)
1 (Unlimited)
1 (Unlimited)
1 (Unlimited)
Максимальная потеря мощности
880W
625W
1.15kW
Код соответствия REACH
unknown
-
unknown
Основной номер части
110N65
-
-
Конфигурация элемента
Single
Single
Single
Распад мощности
880W
-
1.15kW
Входной тип
Standard
Standard
Standard
Полярность/Тип канала
N-CHANNEL
N-CHANNEL
N-CHANNEL
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)
650V
600V
1.7V
Максимальный ток сбора
240A
229A
370A
Время обратной рекомпенсации
100 ns
-
-
Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic
2.1V @ 15V, 110A
1.85V @ 15V, 100A
1.7V @ 15V, 160A
Тип ИGBT
PT
Trench Field Stop
PT
Зарядная мощность
183nC
600nC
553nC
Ток-эmitter импульсированный (Icm)
630A
300A
1000A
Тд (вкл/выкл) @ 25°C
38ns/156ns
31ns/310ns
62ns/245ns
Переключаемый энергопотребление
2.2mJ (on), 1.05mJ (off)
4.75mJ (on), 2.675mJ (off)
4.4mJ (on), 2.2mJ (off)
Напряжение затвор-эмиттер (макс.)
20V
30V
20V
Максимальное напряжение на переходе ГЭ
6.5V
6.5V
6.5V
Состояние RoHS
ROHS3 Compliant
RoHS Compliant
ROHS3 Compliant
Без свинца
Lead Free
Lead Free
-
Покрытие контактов
-
Tin
-
Вес
-
10.6g
-
Материал элемента транзистора
-
SILICON
-
Количество элементов
-
1
-
Код JESD-609
-
e1
-
Безоловая кодировка
-
yes
-
Количество выводов
-
3
-
Код ECCN
-
EAR99
-
Дополнительная Характеристика
-
HIGH RELIABILITY
-
Ток постоянного напряжения - номинальный
-
600V
-
Моментальный ток
-
100A
-
Число контактов
-
3
-
Код JESD-30
-
R-PSFM-T3
-
Сокетная связка
-
COLLECTOR
-
Применение транзистора
-
POWER CONTROL
-
Время включения
-
96 ns
-
Прямоходящий ток коллектора
-
229A
-
Время выключения (toff)
-
435 ns
-
Высота
-
5.21mm
-
Длина
-
26.49mm
-
Ширина
-
20.5mm
-
Корпусировка на излучение
-
No
-
Мощность - Макс
-
-
1150W