IRLR8726TRPBFInfineon Technologies
В наличии: 10355
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.
Количество
Цена за единицу
Итоговая цена
1
10.957692 ₽
10.99 ₽
10
10.337445 ₽
103.43 ₽
100
9.752308 ₽
975.27 ₽
500
9.200288 ₽
4,600.14 ₽
1000
8.679519 ₽
8,679.53 ₽
Цена за единицу: 10.957692 ₽
Итоговая цена: 10.99 ₽
Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.
Скрыть общие атрибуты | |||
Производитель: | |||
Описание: | MOSFET N-CH 30V 86A DPAK | MOSFET N-CH 24V 80A DPAK | MOSFET N-CH 25V 81A DPAK |
Срок поставки от производителя | 12 Weeks | - | 12 Weeks |
Монтаж | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
Вид крепления | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
Корпус / Кейс | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Количество контактов | 3 | 4 | 3 |
Материал элемента транзистора | SILICON | SILICON | SILICON |
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C | 86A Tc | 80A Tc | 81A Tc |
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On) | 4.5V 10V | 4.5V 10V | 4.5V 10V |
Количество элементов | 1 | 1 | 1 |
Максимальная мощность рассеяния | 75W Tc | 75W Tc | 63W Tc |
Время отключения | 15 ns | 28 ns | 12 ns |
Рабочая температура | -55°C~175°C TJ | -55°C~150°C TJ | -55°C~175°C TJ |
Пакетирование | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
Серия | HEXFET® | - | HEXFET® |
Опубликовано | 2007 | 2008 | 2007 |
Код JESD-609 | e3 | e0 | e3 |
Состояние изделия | Active | Obsolete | Active |
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) |
Количество выводов | 2 | 2 | 2 |
Код ECCN | EAR99 | - | EAR99 |
Конечная обработка контакта | Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier | Tin/Lead (Sn80Pb20) | Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier |
Положение терминала | SINGLE | - | SINGLE |
Форма вывода | GULL WING | GULL WING | GULL WING |
Температура пайки (пиковая) (°C) | 260 | 240 | 260 |
Время@Максимальная температура пайки-пик (с) | 30 | 30 | 30 |
Код JESD-30 | R-PSSO-G2 | R-PSSO-G2 | R-PSSO-G2 |
Конфигурация | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | - | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
Режим работы | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE |
Распад мощности | 75W | 75W | 63W |
Сокетная связка | DRAIN | DRAIN | DRAIN |
Время задержки включения | 12 ns | - | 9.7 ns |
Тип ТРВ | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
Применение транзистора | SWITCHING | SWITCHING | SWITCHING |
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs | 5.8m Ω @ 25A, 10V | 5.8m Ω @ 80A, 10V | 5.7m Ω @ 25A, 10V |
Втс(th) (Макс) @ Id | 2.35V @ 50μA | 3V @ 250μA | 2.35V @ 25μA |
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds | 2150pF @ 15V | 2600pF @ 20V | 1470pF @ 13V |
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs | 23nC @ 4.5V | 42nC @ 4.5V | 15nC @ 4.5V |
Время подъема | 49ns | 67ns | 46ns |
Угол настройки (макс.) | ±20V | ±20V | ±20V |
Время падения (тип) | 16 ns | 40 ns | 8.5 ns |
Непрерывный ток стока (ID) | 86A | 80A | 81A |
Код JEDEC-95 | TO-252AA | - | TO-252AA |
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs) | 12V | 20V | 20V |
Сопротивление открытого канала-макс | 0.058Ohm | 0.0058Ohm | 0.0057Ohm |
Напряжение пробоя стока к истоку | 30V | 24V | 25V |
Высота | 2.3876mm | - | 2.3876mm |
Длина | 6.7056mm | - | 6.7056mm |
Ширина | 6.22mm | - | 6.22mm |
Корпусировка на излучение | No | - | No |
Состояние RoHS | ROHS3 Compliant | Non-RoHS Compliant | ROHS3 Compliant |
Состояние жизненного цикла | - | OBSOLETE (Last Updated: 2 days ago) | - |
Безоловая кодировка | - | yes | - |
Ток постоянного напряжения - номинальный | - | 24V | - |
Код соответствия REACH | - | not_compliant | - |
Моментальный ток | - | 80A | - |
Число контактов | - | 4 | - |
Квалификационный Статус | - | Not Qualified | - |
Конфигурация элемента | - | Single | - |
Максимальный импульсный ток вывода | - | 200A | - |
Рейтинг энергии лавины (Eas) | - | 733 mJ | 86 mJ |
Без свинца | - | Lead Free | - |