IRLR8726TRPBF Альтернативные части: IRLR8256TRPBF

IRLR8726TRPBFInfineon Technologies

  • IRLR8726TRPBFInfineon Technologies
  • IRLR8256TRPBFInfineon Technologies

В наличии: 10355

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

  • 1

    10.957692 ₽

    10.99 ₽

  • 10

    10.337445 ₽

    103.43 ₽

  • 100

    9.752308 ₽

    975.27 ₽

  • 500

    9.200288 ₽

    4,600.14 ₽

  • 1000

    8.679519 ₽

    8,679.53 ₽

Цена за единицу: 10.957692 ₽

Итоговая цена: 10.99 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты
Производитель:
Описание:
MOSFET N-CH 30V 86A DPAK
MOSFET N-CH 25V 81A DPAK
Срок поставки от производителя
12 Weeks
12 Weeks
Монтаж
Surface Mount
Surface Mount
Вид крепления
Surface Mount
Surface Mount
Корпус / Кейс
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Количество контактов
3
3
Материал элемента транзистора
SILICON
SILICON
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C
86A Tc
81A Tc
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)
4.5V 10V
4.5V 10V
Количество элементов
1
1
Максимальная мощность рассеяния
75W Tc
63W Tc
Время отключения
15 ns
12 ns
Рабочая температура
-55°C~175°C TJ
-55°C~175°C TJ
Пакетирование
Tape & Reel (TR)
Tape & Reel (TR)
Серия
HEXFET®
HEXFET®
Опубликовано
2007
2007
Код JESD-609
e3
e3
Состояние изделия
Active
Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)
1 (Unlimited)
1 (Unlimited)
Количество выводов
2
2
Код ECCN
EAR99
EAR99
Конечная обработка контакта
Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
Положение терминала
SINGLE
SINGLE
Форма вывода
GULL WING
GULL WING
Температура пайки (пиковая) (°C)
260
260
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)
30
30
Код JESD-30
R-PSSO-G2
R-PSSO-G2
Конфигурация
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Режим работы
ENHANCEMENT MODE
ENHANCEMENT MODE
Распад мощности
75W
63W
Сокетная связка
DRAIN
DRAIN
Время задержки включения
12 ns
9.7 ns
Тип ТРВ
N-Channel
N-Channel
Применение транзистора
SWITCHING
SWITCHING
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs
5.8m Ω @ 25A, 10V
5.7m Ω @ 25A, 10V
Втс(th) (Макс) @ Id
2.35V @ 50μA
2.35V @ 25μA
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds
2150pF @ 15V
1470pF @ 13V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs
23nC @ 4.5V
15nC @ 4.5V
Время подъема
49ns
46ns
Угол настройки (макс.)
±20V
±20V
Время падения (тип)
16 ns
8.5 ns
Непрерывный ток стока (ID)
86A
81A
Код JEDEC-95
TO-252AA
TO-252AA
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)
12V
20V
Сопротивление открытого канала-макс
0.058Ohm
0.0057Ohm
Напряжение пробоя стока к истоку
30V
25V
Высота
2.3876mm
2.3876mm
Длина
6.7056mm
6.7056mm
Ширина
6.22mm
6.22mm
Корпусировка на излучение
No
No
Состояние RoHS
ROHS3 Compliant
ROHS3 Compliant
Рейтинг энергии лавины (Eas)
-
86 mJ