IRLR8726TRPBF Альтернативные части: NTD85N02RT4

IRLR8726TRPBFInfineon Technologies

В наличии: 10355

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

1
10.957692 ₽
10.99 ₽
10
10.337445 ₽
103.43 ₽
100
9.752308 ₽
975.27 ₽
500
9.200288 ₽
4,600.14 ₽
1000
8.679519 ₽
8,679.53 ₽

Цена за единицу: 10.957692 ₽

Итоговая цена: 10.99 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты	иIRLR8726TRPBF	иNTD85N02RT4
Производитель:	Infineon Technologies	ON Semiconductor
Описание:	MOSFET N-CH 30V 86A DPAK	MOSFET N-CH 24V 12A DPAK
Срок поставки от производителя	12 Weeks	-
Монтаж	Surface Mount	Surface Mount
Вид крепления	Surface Mount	Surface Mount
Корпус / Кейс	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Количество контактов	3	-
Материал элемента транзистора	SILICON	SILICON
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C	86A Tc	12A Ta 85A Tc
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)	4.5V 10V	4.5V 10V
Количество элементов	1	1
Максимальная мощность рассеяния	75W Tc	1.25W Ta 78.1W Tc
Время отключения	15 ns	25 ns
Рабочая температура	-55°C~175°C TJ	-55°C~150°C TJ
Пакетирование	Tape & Reel (TR)	Tape & Reel (TR)
Серия	HEXFET®	-
Опубликовано	2007	2007
Код JESD-609	e3	e0
Состояние изделия	Active	Obsolete
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)
Количество выводов	2	2
Код ECCN	EAR99	-
Конечная обработка контакта	Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier	Tin/Lead (Sn/Pb)
Положение терминала	SINGLE	-
Форма вывода	GULL WING	GULL WING
Температура пайки (пиковая) (°C)	260	240
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)	30	30
Код JESD-30	R-PSSO-G2	R-PSSO-G2
Конфигурация	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	-
Режим работы	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE
Распад мощности	75W	2.4W
Сокетная связка	DRAIN	DRAIN
Время задержки включения	12 ns	-
Тип ТРВ	N-Channel	N-Channel
Применение транзистора	SWITCHING	SWITCHING
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs	5.8m Ω @ 25A, 10V	5.2m Ω @ 20A, 10V
Втс(th) (Макс) @ Id	2.35V @ 50μA	2V @ 250μA
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds	2150pF @ 15V	2050pF @ 20V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs	23nC @ 4.5V	17.7nC @ 5V
Время подъема	49ns	77ns
Угол настройки (макс.)	±20V	±20V
Время падения (тип)	16 ns	12 ns
Непрерывный ток стока (ID)	86A	85A
Код JEDEC-95	TO-252AA	-
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)	12V	20V
Сопротивление открытого канала-макс	0.058Ohm	0.0052Ohm
Напряжение пробоя стока к истоку	30V	24V
Высота	2.3876mm	-
Длина	6.7056mm	-
Ширина	6.22mm	-
Корпусировка на излучение	No	-
Состояние RoHS	ROHS3 Compliant	Non-RoHS Compliant
Код ТН ВЭД	-	8541.29.00.95
Ток постоянного напряжения - номинальный	-	24V
Код соответствия REACH	-	not_compliant
Моментальный ток	-	85A
Число контактов	-	3
Квалификационный Статус	-	Not Qualified
Конфигурация элемента	-	Single
Максимальный сливовой ток (ID)	-	12A
Максимальный импульсный ток вывода	-	192A
Рейтинг энергии лавины (Eas)	-	85 mJ
Без свинца	-	Contains Lead

Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные Смежные части

Артикул	Производитель	Категория	Упаковка	Описание	Для сравнения
IRLR8726PBF	Infineon Technologies	Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	MOSFET N-CH 30V 86A DPAK	Для сравнения
NTD85N02RT4	ON Semiconductor	Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	MOSFET N-CH 24V 12A DPAK	Для сравнения
NTD80N02T4	ON Semiconductor	Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	MOSFET N-CH 24V 80A DPAK	Для сравнения
IRLR8256TRPBF	Infineon Technologies	Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	MOSFET N-CH 25V 81A DPAK	Для сравнения