Все продукты
Войти
Место отправки: 
Китай
IRLR8256TRPBF Альтернативные части: IRFR3711ZTRPBF ,NTD4855NT4G
IRLR8256TRPBFInfineon Technologies
В наличии: 34
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.
Количество
Цена за единицу
Итоговая цена
1
73.757418 ₽
73.76 ₽
10
69.582473 ₽
695.88 ₽
100
65.643832 ₽
6,564.42 ₽
500
61.928146 ₽
30,964.01 ₽
1000
58.422788 ₽
58,422.80 ₽
Цена за единицу: 73.757418 ₽
Итоговая цена: 73.76 ₽
Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.
Скрыть общие атрибуты | |||
Производитель: | |||
Описание: | MOSFET N-CH 25V 81A DPAK | MOSFET N-CH 20V 93A DPAK | MOSFET N-CH 25V 14A DPAK |
Срок поставки от производителя | 12 Weeks | 12 Weeks | - |
Монтаж | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
Вид крепления | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
Корпус / Кейс | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Количество контактов | 3 | 3 | 4 |
Материал элемента транзистора | SILICON | SILICON | SILICON |
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C | 81A Tc | 93A Tc | 14A Ta 98A Tc |
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On) | 4.5V 10V | 4.5V 10V | 4.5V 10V |
Количество элементов | 1 | 1 | 1 |
Максимальная мощность рассеяния | 63W Tc | 79W Tc | 1.35W Ta 66.7W Tc |
Время отключения | 12 ns | 15 ns | 32.02 ns |
Рабочая температура | -55°C~175°C TJ | -55°C~175°C TJ | -55°C~175°C TJ |
Пакетирование | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
Серия | HEXFET® | HEXFET® | - |
Опубликовано | 2007 | 2004 | 2008 |
Код JESD-609 | e3 | e3 | e3 |
Состояние изделия | Active | Active | Obsolete |
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) |
Количество выводов | 2 | 2 | 2 |
Код ECCN | EAR99 | EAR99 | EAR99 |
Конечная обработка контакта | Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier | Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier | Tin (Sn) |
Положение терминала | SINGLE | - | - |
Форма вывода | GULL WING | GULL WING | GULL WING |
Температура пайки (пиковая) (°C) | 260 | 260 | NOT SPECIFIED |
Время@Максимальная температура пайки-пик (с) | 30 | 30 | NOT SPECIFIED |
Код JESD-30 | R-PSSO-G2 | R-PSSO-G2 | R-PSSO-G2 |
Конфигурация | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | - | - |
Режим работы | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE |
Распад мощности | 63W | 79W | 2.24W |
Сокетная связка | DRAIN | DRAIN | DRAIN |
Время задержки включения | 9.7 ns | 12 ns | - |
Тип ТРВ | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
Применение транзистора | SWITCHING | SWITCHING | SWITCHING |
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs | 5.7m Ω @ 25A, 10V | 5.7m Ω @ 15A, 10V | 4.3m Ω @ 30A, 10V |
Втс(th) (Макс) @ Id | 2.35V @ 25μA | 2.45V @ 250μA | 2.5V @ 250μA |
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds | 1470pF @ 13V | 2160pF @ 10V | 2950pF @ 12V |
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs | 15nC @ 4.5V | 27nC @ 4.5V | 32.7nC @ 4.5V |
Время подъема | 46ns | 13ns | 16.52ns |
Угол настройки (макс.) | ±20V | ±20V | ±20V |
Время падения (тип) | 8.5 ns | 5.2 ns | 4.35 ns |
Непрерывный ток стока (ID) | 81A | 93A | 17.7A |
Код JEDEC-95 | TO-252AA | TO-252AA | - |
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs) | 20V | 20V | 20V |
Сопротивление открытого канала-макс | 0.0057Ohm | - | 0.006Ohm |
Напряжение пробоя стока к истоку | 25V | 20V | 25V |
Рейтинг энергии лавины (Eas) | 86 mJ | - | 220 mJ |
Высота | 2.3876mm | 2.26mm | - |
Длина | 6.7056mm | 6.7056mm | - |
Ширина | 6.22mm | 6.22mm | - |
Корпусировка на излучение | No | No | - |
Состояние RoHS | ROHS3 Compliant | ROHS3 Compliant | RoHS Compliant |
Сопротивление | - | 5.7MOhm | - |
Ток постоянного напряжения - номинальный | - | 20V | - |
Моментальный ток | - | 93A | - |
Конфигурация элемента | - | Single | Single |
Без свинца | - | Contains Lead, Lead Free | Lead Free |
Состояние жизненного цикла | - | - | LAST SHIPMENTS (Last Updated: 4 days ago) |
Безоловая кодировка | - | - | yes |
Число контактов | - | - | 4 |
Квалификационный Статус | - | - | Not Qualified |
Максимальный сливовой ток (ID) | - | - | 98A |
Максимальный импульсный ток вывода | - | - | 197A |
Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные Смежные части
| Наименование | Артикул | Производитель | Категория | Упаковка | Описание | Для сравнения |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | FDD8896 | ON Semiconductor | Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | Trans MOSFET N-CH 30V 17A 3-Pin(2+Tab) TO-252AA T/R | Для сравнения |
| IRFR3711ZTRPBF | Infineon Technologies | Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | MOSFET N-CH 20V 93A DPAK | Для сравнения |
 | NTD4855NT4G | ON Semiconductor | Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | MOSFET N-CH 25V 14A DPAK | Для сравнения |
| NTD4858NAT4G | ON Semiconductor | Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | MOSFET N-CH 25V 11.2A DPAK | Для сравнения |