Все продукты
Войти
Место отправки: 
Китай
IRLR8256TRPBF Альтернативные части: NTD4858NAT4G
IRLR8256TRPBFInfineon Technologies
В наличии: 34
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.
Количество
Цена за единицу
Итоговая цена
1
73.757418 ₽
73.76 ₽
10
69.582473 ₽
695.88 ₽
100
65.643832 ₽
6,564.42 ₽
500
61.928146 ₽
30,964.01 ₽
1000
58.422788 ₽
58,422.80 ₽
Цена за единицу: 73.757418 ₽
Итоговая цена: 73.76 ₽
Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.
Скрыть общие атрибуты | ||
Производитель: | ||
Описание: | MOSFET N-CH 25V 81A DPAK | MOSFET N-CH 25V 11.2A DPAK |
Срок поставки от производителя | 12 Weeks | - |
Монтаж | Surface Mount | Surface Mount |
Вид крепления | Surface Mount | Surface Mount |
Корпус / Кейс | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Количество контактов | 3 | 4 |
Материал элемента транзистора | SILICON | - |
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C | 81A Tc | 11.2A Ta 73A Tc |
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On) | 4.5V 10V | - |
Количество элементов | 1 | - |
Максимальная мощность рассеяния | 63W Tc | 1.3W Ta 54.5W Tc |
Время отключения | 12 ns | - |
Рабочая температура | -55°C~175°C TJ | -55°C~175°C TJ |
Пакетирование | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
Серия | HEXFET® | - |
Опубликовано | 2007 | 2007 |
Код JESD-609 | e3 | - |
Состояние изделия | Active | Obsolete |
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) |
Количество выводов | 2 | - |
Код ECCN | EAR99 | - |
Конечная обработка контакта | Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier | - |
Положение терминала | SINGLE | - |
Форма вывода | GULL WING | - |
Температура пайки (пиковая) (°C) | 260 | - |
Время@Максимальная температура пайки-пик (с) | 30 | - |
Код JESD-30 | R-PSSO-G2 | - |
Конфигурация | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | - |
Режим работы | ENHANCEMENT MODE | - |
Распад мощности | 63W | 2W |
Сокетная связка | DRAIN | - |
Время задержки включения | 9.7 ns | - |
Тип ТРВ | N-Channel | N-Channel |
Применение транзистора | SWITCHING | - |
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs | 5.7m Ω @ 25A, 10V | 6.2m Ω @ 30A, 10V |
Втс(th) (Макс) @ Id | 2.35V @ 25μA | 2.5V @ 250μA |
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds | 1470pF @ 13V | 1563pF @ 12V |
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs | 15nC @ 4.5V | 19.2nC @ 4.5V |
Время подъема | 46ns | - |
Угол настройки (макс.) | ±20V | - |
Время падения (тип) | 8.5 ns | - |
Непрерывный ток стока (ID) | 81A | 13.6A |
Код JEDEC-95 | TO-252AA | - |
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs) | 20V | 20V |
Сопротивление открытого канала-макс | 0.0057Ohm | - |
Напряжение пробоя стока к истоку | 25V | 25V |
Рейтинг энергии лавины (Eas) | 86 mJ | - |
Высота | 2.3876mm | - |
Длина | 6.7056mm | - |
Ширина | 6.22mm | - |
Корпусировка на излучение | No | - |
Состояние RoHS | ROHS3 Compliant | RoHS Compliant |
Конфигурация элемента | - | Single |
Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные Смежные части
| Наименование | Артикул | Производитель | Категория | Упаковка | Описание | Для сравнения |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | FDD8896 | ON Semiconductor | Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | Trans MOSFET N-CH 30V 17A 3-Pin(2+Tab) TO-252AA T/R | Для сравнения |
| IRFR3711ZTRPBF | Infineon Technologies | Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | MOSFET N-CH 20V 93A DPAK | Для сравнения |
 | NTD4855NT4G | ON Semiconductor | Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | MOSFET N-CH 25V 14A DPAK | Для сравнения |
| NTD4858NAT4G | ON Semiconductor | Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | MOSFET N-CH 25V 11.2A DPAK | Для сравнения |