IRLR8256TRPBF Альтернативные части: IRFR3711ZTRPBF

IRLR8256TRPBFInfineon Technologies

В наличии: 34

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

1
73.757418 ₽
73.76 ₽
10
69.582473 ₽
695.88 ₽
100
65.643832 ₽
6,564.42 ₽
500
61.928146 ₽
30,964.01 ₽
1000
58.422788 ₽
58,422.80 ₽

Цена за единицу: 73.757418 ₽

Итоговая цена: 73.76 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты	иIRLR8256TRPBF	иIRFR3711ZTRPBF
Производитель:	Infineon Technologies	Infineon Technologies
Описание:	MOSFET N-CH 25V 81A DPAK	MOSFET N-CH 20V 93A DPAK
Срок поставки от производителя	12 Weeks	12 Weeks
Монтаж	Surface Mount	Surface Mount
Вид крепления	Surface Mount	Surface Mount
Корпус / Кейс	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Количество контактов	3	3
Материал элемента транзистора	SILICON	SILICON
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C	81A Tc	93A Tc
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)	4.5V 10V	4.5V 10V
Количество элементов	1	1
Максимальная мощность рассеяния	63W Tc	79W Tc
Время отключения	12 ns	15 ns
Рабочая температура	-55°C~175°C TJ	-55°C~175°C TJ
Пакетирование	Tape & Reel (TR)	Tape & Reel (TR)
Серия	HEXFET®	HEXFET®
Опубликовано	2007	2004
Код JESD-609	e3	e3
Состояние изделия	Active	Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)
Количество выводов	2	2
Код ECCN	EAR99	EAR99
Конечная обработка контакта	Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier	Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
Положение терминала	SINGLE	-
Форма вывода	GULL WING	GULL WING
Температура пайки (пиковая) (°C)	260	260
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)	30	30
Код JESD-30	R-PSSO-G2	R-PSSO-G2
Конфигурация	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	-
Режим работы	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE
Распад мощности	63W	79W
Сокетная связка	DRAIN	DRAIN
Время задержки включения	9.7 ns	12 ns
Тип ТРВ	N-Channel	N-Channel
Применение транзистора	SWITCHING	SWITCHING
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs	5.7m Ω @ 25A, 10V	5.7m Ω @ 15A, 10V
Втс(th) (Макс) @ Id	2.35V @ 25μA	2.45V @ 250μA
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds	1470pF @ 13V	2160pF @ 10V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs	15nC @ 4.5V	27nC @ 4.5V
Время подъема	46ns	13ns
Угол настройки (макс.)	±20V	±20V
Время падения (тип)	8.5 ns	5.2 ns
Непрерывный ток стока (ID)	81A	93A
Код JEDEC-95	TO-252AA	TO-252AA
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)	20V	20V
Сопротивление открытого канала-макс	0.0057Ohm	-
Напряжение пробоя стока к истоку	25V	20V
Рейтинг энергии лавины (Eas)	86 mJ	-
Высота	2.3876mm	2.26mm
Длина	6.7056mm	6.7056mm
Ширина	6.22mm	6.22mm
Корпусировка на излучение	No	No
Состояние RoHS	ROHS3 Compliant	ROHS3 Compliant
Сопротивление	-	5.7MOhm
Ток постоянного напряжения - номинальный	-	20V
Моментальный ток	-	93A
Конфигурация элемента	-	Single
Без свинца	-	Contains Lead, Lead Free

Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные Смежные части

Артикул	Производитель	Категория	Упаковка	Описание	Для сравнения
FDD8896	ON Semiconductor	Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Trans MOSFET N-CH 30V 17A 3-Pin(2+Tab) TO-252AA T/R	Для сравнения
IRFR3711ZTRPBF	Infineon Technologies	Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	MOSFET N-CH 20V 93A DPAK	Для сравнения
NTD4855NT4G	ON Semiconductor	Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	MOSFET N-CH 25V 14A DPAK	Для сравнения
NTD4858NAT4G	ON Semiconductor	Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	MOSFET N-CH 25V 11.2A DPAK	Для сравнения