Все продукты
Войти
Место отправки: 
Китай
IRFHM9331TRPBF Альтернативные части: IRFH3702TRPBF ,IRFH3702TR2PBF
IRFHM9331TRPBFInfineon Technologies
В наличии: 933
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.
Количество
Цена за единицу
Итоговая цена
1
32.576923 ₽
32.55 ₽
10
30.732940 ₽
307.28 ₽
100
28.993352 ₽
2,899.31 ₽
500
27.352212 ₽
13,676.10 ₽
1000
25.803970 ₽
25,803.98 ₽
Цена за единицу: 32.576923 ₽
Итоговая цена: 32.55 ₽
Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.
Скрыть общие атрибуты | |||
Производитель: | |||
Описание: | MOSFET P-CH 30V 11A 8-PQFN | MOSFET N-CH 30V 16A 8PQFN | MOSFET N-CH 30V 16A 8PQFN |
Срок поставки от производителя | 12 Weeks | 12 Weeks | - |
Монтаж | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
Вид крепления | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
Корпус / Кейс | 8-PowerTDFN | 8-PowerVDFN | 8-PowerVDFN |
Количество контактов | 8 | 8 | 8 |
Материал элемента транзистора | SILICON | SILICON | - |
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C | 11A Ta 24A Tc | 16A Ta 42A Tc | 16A Ta 42A Tc |
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On) | 10V 20V | 4.5V 10V | - |
Количество элементов | 1 | 1 | 1 |
Максимальная мощность рассеяния | 2.8W Ta | 2.8W Ta | - |
Время отключения | 72 ns | 11 ns | 11 ns |
Рабочая температура | -55°C~150°C TJ | -55°C~150°C TJ | - |
Пакетирование | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Cut Tape (CT) |
Серия | HEXFET® | HEXFET® | HEXFET® |
Опубликовано | 2009 | 2009 | 2010 |
Код JESD-609 | e3 | - | - |
Состояние изделия | Active | Active | Obsolete |
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) |
Количество выводов | 5 | 3 | - |
Код ECCN | EAR99 | EAR99 | - |
Сопротивление | 14.6MOhm | - | 7.1MOhm |
Конечная обработка контакта | Matte Tin (Sn) | - | - |
Положение терминала | DUAL | DUAL | - |
Код JESD-30 | S-PDSO-N5 | S-PDSO-N3 | - |
Каналов количество | 1 | - | - |
Конфигурация элемента | Single | - | Single |
Режим работы | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE | - |
Распад мощности | 2.8W | 2.8W | 2.8W |
Сокетная связка | DRAIN | DRAIN | - |
Время задержки включения | 11 ns | 9.6 ns | 9.6 ns |
Тип ТРВ | P-Channel | N-Channel | N-Channel |
Применение транзистора | SWITCHING | SWITCHING | - |
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs | 10m Ω @ 11A, 20V | 7.1m Ω @ 16A, 10V | 7.1mOhm @ 16A, 10V |
Втс(th) (Макс) @ Id | 2.4V @ 25μA | 2.35V @ 25μA | 2.35V @ 25μA |
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds | 1543pF @ 25V | 1510pF @ 15V | 1510pF @ 15V |
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs | 48nC @ 10V | 14nC @ 4.5V | 14nC @ 4.5V |
Время подъема | 27ns | 15ns | 15ns |
Напряжение стока-исток (Vdss) | 30V | - | 30V |
Угол настройки (макс.) | ±25V | ±20V | - |
Время падения (тип) | 60 ns | 5.8 ns | 5.8 ns |
Непрерывный ток стока (ID) | -11A | 16A | 16A |
Пороговое напряжение | -1.8V | 1.8V | - |
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs) | 25V | 20V | 20V |
Максимальный сливовой ток (ID) | 24A | - | - |
Напряжение пробоя стока к истоку | -30V | 30V | 30V |
Максимальный импульсный ток вывода | 90A | 120A | - |
Рейтинг энергии лавины (Eas) | 76 mJ | 77 mJ | - |
Максимальная температура перехода (Тj) | 150°C | - | - |
Высота | 1mm | 939.8μm | 939.8μm |
Длина | 2.9972mm | 2.9972mm | 2.9972mm |
Ширина | 2.9972mm | 2.9972mm | 2.9972mm |
REACH SVHC | No SVHC | No SVHC | No SVHC |
Корпусировка на излучение | No | No | No |
Состояние RoHS | ROHS3 Compliant | ROHS3 Compliant | RoHS Compliant |
Без свинца | Lead Free | - | Lead Free |
Завершение | - | SMD/SMT | - |
Конфигурация | - | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | - |
Сопротивление открытого канала-макс | - | 0.0071Ohm | - |
Двухпитание напряжения | - | 30V | - |
Номинальное Vgs | - | 1.8 V | 1.8 V |
Поставщик упаковки устройства | - | - | 8-PQFN (3x3) |
Максимальная рабочая температура | - | - | 150°C |
Минимальная температура работы | - | - | -55°C |
Максимальная потеря мощности | - | - | 2.8W |
Входной ёмкости | - | - | 1.51nF |
Время восстановления | - | - | 26 ns |
Сопротивление стока к истоку | - | - | 7.1mOhm |
Rds на макс. | - | - | 7.1 mΩ |
Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные Смежные части
| Наименование | Артикул | Производитель | Категория | Упаковка | Описание | Для сравнения |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | IRFH8334TRPBF | Infineon Technologies | Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные | 8-PowerTDFN | MOSFET N-CH 30V 44A 5X6 PQFN | Для сравнения |
 | IRFH3702TRPBF | Infineon Technologies | Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные | 8-PowerVDFN | MOSFET N-CH 30V 16A 8PQFN | Для сравнения |
| IRFH3702TR2PBF | Infineon Technologies | Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные | 8-PowerVDFN | MOSFET N-CH 30V 16A 8PQFN | Для сравнения |
| IRFH8330TRPBF | Infineon Technologies | Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные | 8-PowerTDFN | MOSFET N-CH 30V 56A 5X6 PQFN | Для сравнения |