Все продукты
Войти
Место отправки: 
Китай
IRFHM9331TRPBF Альтернативные части: IRFH8334TRPBF
IRFHM9331TRPBFInfineon Technologies
В наличии: 933
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.
Количество
Цена за единицу
Итоговая цена
1
32.576923 ₽
32.55 ₽
10
30.732940 ₽
307.28 ₽
100
28.993352 ₽
2,899.31 ₽
500
27.352212 ₽
13,676.10 ₽
1000
25.803970 ₽
25,803.98 ₽
Цена за единицу: 32.576923 ₽
Итоговая цена: 32.55 ₽
Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.
Скрыть общие атрибуты | ||
Производитель: | ||
Описание: | MOSFET P-CH 30V 11A 8-PQFN | MOSFET N-CH 30V 44A 5X6 PQFN |
Срок поставки от производителя | 12 Weeks | 12 Weeks |
Монтаж | Surface Mount | Surface Mount |
Вид крепления | Surface Mount | Surface Mount |
Корпус / Кейс | 8-PowerTDFN | 8-PowerTDFN |
Количество контактов | 8 | 8 |
Материал элемента транзистора | SILICON | SILICON |
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C | 11A Ta 24A Tc | 14A Ta 44A Tc |
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On) | 10V 20V | 4.5V 10V |
Количество элементов | 1 | 1 |
Максимальная мощность рассеяния | 2.8W Ta | 3.2W Ta 30W Tc |
Время отключения | 72 ns | 7 ns |
Рабочая температура | -55°C~150°C TJ | -55°C~150°C TJ |
Пакетирование | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
Серия | HEXFET® | HEXFET® |
Опубликовано | 2009 | 2007 |
Код JESD-609 | e3 | e3 |
Состояние изделия | Active | Active |
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) |
Количество выводов | 5 | 5 |
Код ECCN | EAR99 | EAR99 |
Сопротивление | 14.6MOhm | - |
Конечная обработка контакта | Matte Tin (Sn) | Matte Tin (Sn) |
Положение терминала | DUAL | DUAL |
Код JESD-30 | S-PDSO-N5 | R-PDSO-F5 |
Каналов количество | 1 | - |
Конфигурация элемента | Single | - |
Режим работы | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE |
Распад мощности | 2.8W | 3.2W |
Сокетная связка | DRAIN | DRAIN |
Время задержки включения | 11 ns | 8.3 ns |
Тип ТРВ | P-Channel | N-Channel |
Применение транзистора | SWITCHING | SWITCHING |
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs | 10m Ω @ 11A, 20V | 9m Ω @ 20A, 10V |
Втс(th) (Макс) @ Id | 2.4V @ 25μA | 2.35V @ 25μA |
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds | 1543pF @ 25V | 1180pF @ 10V |
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs | 48nC @ 10V | 15nC @ 10V |
Время подъема | 27ns | 14ns |
Напряжение стока-исток (Vdss) | 30V | - |
Угол настройки (макс.) | ±25V | ±20V |
Время падения (тип) | 60 ns | 4.6 ns |
Непрерывный ток стока (ID) | -11A | 14A |
Пороговое напряжение | -1.8V | - |
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs) | 25V | 20V |
Максимальный сливовой ток (ID) | 24A | - |
Напряжение пробоя стока к истоку | -30V | 30V |
Максимальный импульсный ток вывода | 90A | - |
Рейтинг энергии лавины (Eas) | 76 mJ | 35 mJ |
Максимальная температура перехода (Тj) | 150°C | - |
Высота | 1mm | - |
Длина | 2.9972mm | - |
Ширина | 2.9972mm | - |
REACH SVHC | No SVHC | No SVHC |
Корпусировка на излучение | No | No |
Состояние RoHS | ROHS3 Compliant | ROHS3 Compliant |
Без свинца | Lead Free | - |
Дополнительная Характеристика | - | HIGH RELIABILITY |
Форма вывода | - | FLAT |
Температура пайки (пиковая) (°C) | - | 260 |
Время@Максимальная температура пайки-пик (с) | - | 30 |
Конфигурация | - | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
Сопротивление открытого канала-макс | - | 0.009Ohm |
Номинальное Vgs | - | 1.8 V |
Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные Смежные части
| Наименование | Артикул | Производитель | Категория | Упаковка | Описание | Для сравнения |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | IRFH8334TRPBF | Infineon Technologies | Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные | 8-PowerTDFN | MOSFET N-CH 30V 44A 5X6 PQFN | Для сравнения |
 | IRFH3702TRPBF | Infineon Technologies | Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные | 8-PowerVDFN | MOSFET N-CH 30V 16A 8PQFN | Для сравнения |
| IRFH3702TR2PBF | Infineon Technologies | Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные | 8-PowerVDFN | MOSFET N-CH 30V 16A 8PQFN | Для сравнения |
| IRFH8330TRPBF | Infineon Technologies | Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные | 8-PowerTDFN | MOSFET N-CH 30V 56A 5X6 PQFN | Для сравнения |