IRFHM9331TRPBF Альтернативные части: IRFH3702TRPBF

IRFHM9331TRPBFInfineon Technologies

В наличии: 933

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

1
32.576923 ₽
32.55 ₽
10
30.732940 ₽
307.28 ₽
100
28.993352 ₽
2,899.31 ₽
500
27.352212 ₽
13,676.10 ₽
1000
25.803970 ₽
25,803.98 ₽

Цена за единицу: 32.576923 ₽

Итоговая цена: 32.55 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты	иIRFHM9331TRPBF	иIRFH3702TRPBF
Производитель:	Infineon Technologies	Infineon Technologies
Описание:	MOSFET P-CH 30V 11A 8-PQFN	MOSFET N-CH 30V 16A 8PQFN
Срок поставки от производителя	12 Weeks	12 Weeks
Монтаж	Surface Mount	Surface Mount
Вид крепления	Surface Mount	Surface Mount
Корпус / Кейс	8-PowerTDFN	8-PowerVDFN
Количество контактов	8	8
Материал элемента транзистора	SILICON	SILICON
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C	11A Ta 24A Tc	16A Ta 42A Tc
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)	10V 20V	4.5V 10V
Количество элементов	1	1
Максимальная мощность рассеяния	2.8W Ta	2.8W Ta
Время отключения	72 ns	11 ns
Рабочая температура	-55°C~150°C TJ	-55°C~150°C TJ
Пакетирование	Tape & Reel (TR)	Tape & Reel (TR)
Серия	HEXFET®	HEXFET®
Опубликовано	2009	2009
Код JESD-609	e3	-
Состояние изделия	Active	Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)
Количество выводов	5	3
Код ECCN	EAR99	EAR99
Сопротивление	14.6MOhm	-
Конечная обработка контакта	Matte Tin (Sn)	-
Положение терминала	DUAL	DUAL
Код JESD-30	S-PDSO-N5	S-PDSO-N3
Каналов количество	1	-
Конфигурация элемента	Single	-
Режим работы	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE
Распад мощности	2.8W	2.8W
Сокетная связка	DRAIN	DRAIN
Время задержки включения	11 ns	9.6 ns
Тип ТРВ	P-Channel	N-Channel
Применение транзистора	SWITCHING	SWITCHING
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs	10m Ω @ 11A, 20V	7.1m Ω @ 16A, 10V
Втс(th) (Макс) @ Id	2.4V @ 25μA	2.35V @ 25μA
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds	1543pF @ 25V	1510pF @ 15V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs	48nC @ 10V	14nC @ 4.5V
Время подъема	27ns	15ns
Напряжение стока-исток (Vdss)	30V	-
Угол настройки (макс.)	±25V	±20V
Время падения (тип)	60 ns	5.8 ns
Непрерывный ток стока (ID)	-11A	16A
Пороговое напряжение	-1.8V	1.8V
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)	25V	20V
Максимальный сливовой ток (ID)	24A	-
Напряжение пробоя стока к истоку	-30V	30V
Максимальный импульсный ток вывода	90A	120A
Рейтинг энергии лавины (Eas)	76 mJ	77 mJ
Максимальная температура перехода (Тj)	150°C	-
Высота	1mm	939.8μm
Длина	2.9972mm	2.9972mm
Ширина	2.9972mm	2.9972mm
REACH SVHC	No SVHC	No SVHC
Корпусировка на излучение	No	No
Состояние RoHS	ROHS3 Compliant	ROHS3 Compliant
Без свинца	Lead Free	-
Завершение	-	SMD/SMT
Конфигурация	-	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Сопротивление открытого канала-макс	-	0.0071Ohm
Двухпитание напряжения	-	30V
Номинальное Vgs	-	1.8 V

Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные Смежные части

Артикул	Производитель	Категория	Упаковка	Описание	Для сравнения
IRFH8334TRPBF	Infineon Technologies	Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные	8-PowerTDFN	MOSFET N-CH 30V 44A 5X6 PQFN	Для сравнения
IRFH3702TRPBF	Infineon Technologies	Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные	8-PowerVDFN	MOSFET N-CH 30V 16A 8PQFN	Для сравнения
IRFH3702TR2PBF	Infineon Technologies	Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные	8-PowerVDFN	MOSFET N-CH 30V 16A 8PQFN	Для сравнения
IRFH8330TRPBF	Infineon Technologies	Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные	8-PowerTDFN	MOSFET N-CH 30V 56A 5X6 PQFN	Для сравнения