IRF7831TRPBF Альтернативные части: IRF8788TRPBF ,IRF7862TRPBF

IRF7831TRPBFInfineon Technologies

В наличии: 10

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

1
62.192308 ₽
62.23 ₽
10
58.671992 ₽
586.68 ₽
100
55.350934 ₽
5,535.03 ₽
500
52.217857 ₽
26,108.93 ₽
1000
49.262129 ₽
49,262.09 ₽

Цена за единицу: 62.192308 ₽

Итоговая цена: 62.23 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты	иIRF7831TRPBF	иIRF8788TRPBF	иIRF7862TRPBF
Производитель:	Infineon Technologies	Infineon Technologies	Infineon Technologies
Описание:	Single N-Channel 30 V 3.6 mOhm 40 nC HEXFET® Power Mosfet - SOIC-8	MOSFET N-CH 30V 24A 8-SO	MOSFET N-CH 30V 21A 8-SOIC
Срок поставки от производителя	12 Weeks	12 Weeks	12 Weeks
Покрытие контактов	Tin	-	-
Монтаж	Surface Mount	Surface Mount	Surface Mount
Вид крепления	Surface Mount	Surface Mount	Surface Mount
Корпус / Кейс	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
Количество контактов	8	8	8
Материал элемента транзистора	SILICON	-	SILICON
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C	21A Ta	24A Ta	21A Ta
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)	4.5V 10V	4.5V 10V	4.5V 10V
Количество элементов	1	1	1
Максимальная мощность рассеяния	2.5W Ta	2.5W Ta	2.5W Ta
Время отключения	17 ns	23 ns	18 ns
Рабочая температура	-55°C~150°C TJ	-55°C~150°C TJ	-55°C~150°C TJ
Пакетирование	Tape & Reel (TR)	Tape & Reel (TR)	Tape & Reel (TR)
Серия	HEXFET®	HEXFET®	HEXFET®
Опубликовано	2005	2008	2007
Код JESD-609	e3	-	-
Состояние изделия	Active	Active	Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)
Количество выводов	8	-	8
Код ECCN	EAR99	EAR99	EAR99
Сопротивление	3.6MOhm	2.8MOhm	3.3MOhm
Ток постоянного напряжения - номинальный	30V	-	-
Положение терминала	DUAL	-	DUAL
Форма вывода	GULL WING	-	GULL WING
Моментальный ток	21A	-	-
Конфигурация	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	Single	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Режим работы	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE
Распад мощности	2.5W	2.5W	2.5W
Время задержки включения	18 ns	23 ns	16 ns
Тип ТРВ	N-Channel	N-Channel	N-Channel
Применение транзистора	SWITCHING	-	SWITCHING
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs	3.6m Ω @ 20A, 10V	2.8m Ω @ 24A, 10V	3.7m Ω @ 20A, 10V
Втс(th) (Макс) @ Id	2.35V @ 250μA	2.35V @ 100μA	2.35V @ 100μA
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds	6240pF @ 15V	5720pF @ 15V	4090pF @ 15V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs	60nC @ 4.5V	66nC @ 4.5V	45nC @ 4.5V
Время подъема	10ns	24ns	19ns
Угол настройки (макс.)	±12V	±20V	±20V
Время падения (тип)	5.3 ns	11 ns	11 ns
Непрерывный ток стока (ID)	21A	24A	21A
Пороговое напряжение	2.35V	-	-
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)	12V	20V	20V
Напряжение пробоя стока к истоку	30V	30V	30V
Время восстановления	62 ns	-	-
Номинальное Vgs	2.35 V	1.8 V	2.35 V
Высота	1.4986mm	1.4986mm	1.4986mm
Длина	4.9784mm	4.9784mm	4.9784mm
Ширина	3.9878mm	3.9878mm	3.9878mm
REACH SVHC	No SVHC	No SVHC	No SVHC
Корпусировка на излучение	No	No	-
Состояние RoHS	ROHS3 Compliant	ROHS3 Compliant	ROHS3 Compliant
Без свинца	Lead Free	Lead Free	Lead Free
Температура пайки (пиковая) (°C)	-	-	NOT SPECIFIED
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)	-	-	NOT SPECIFIED
Рейтинг энергии лавины (Eas)	-	-	350 mJ

Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные Смежные части

Артикул	Производитель	Категория	Упаковка	Описание	Для сравнения
IRF7862TRPBF	Infineon Technologies	Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)	MOSFET N-CH 30V 21A 8-SOIC	Для сравнения
IRF8734TRPBF	Infineon Technologies	Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)	MOSFET N-CH 30V 21A 8-SOIC	Для сравнения
SI4368DY-T1-E3	Vishay Siliconix	Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)	MOSFET N-CH 30V 17A 8-SOIC	Для сравнения
IRF8788TRPBF	Infineon Technologies	Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)	MOSFET N-CH 30V 24A 8-SO	Для сравнения