IRF7831TRPBF Альтернативные части: IRF8788TRPBF

IRF7831TRPBFInfineon Technologies

В наличии: 10

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

1
62.192308 ₽
62.23 ₽
10
58.671992 ₽
586.68 ₽
100
55.350934 ₽
5,535.03 ₽
500
52.217857 ₽
26,108.93 ₽
1000
49.262129 ₽
49,262.09 ₽

Цена за единицу: 62.192308 ₽

Итоговая цена: 62.23 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты	иIRF7831TRPBF	иIRF8788TRPBF
Производитель:	Infineon Technologies	Infineon Technologies
Описание:	Single N-Channel 30 V 3.6 mOhm 40 nC HEXFET® Power Mosfet - SOIC-8	MOSFET N-CH 30V 24A 8-SO
Срок поставки от производителя	12 Weeks	12 Weeks
Покрытие контактов	Tin	-
Монтаж	Surface Mount	Surface Mount
Вид крепления	Surface Mount	Surface Mount
Корпус / Кейс	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
Количество контактов	8	8
Материал элемента транзистора	SILICON	-
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C	21A Ta	24A Ta
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)	4.5V 10V	4.5V 10V
Количество элементов	1	1
Максимальная мощность рассеяния	2.5W Ta	2.5W Ta
Время отключения	17 ns	23 ns
Рабочая температура	-55°C~150°C TJ	-55°C~150°C TJ
Пакетирование	Tape & Reel (TR)	Tape & Reel (TR)
Серия	HEXFET®	HEXFET®
Опубликовано	2005	2008
Код JESD-609	e3	-
Состояние изделия	Active	Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)
Количество выводов	8	-
Код ECCN	EAR99	EAR99
Сопротивление	3.6MOhm	2.8MOhm
Ток постоянного напряжения - номинальный	30V	-
Положение терминала	DUAL	-
Форма вывода	GULL WING	-
Моментальный ток	21A	-
Конфигурация	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	Single
Режим работы	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE
Распад мощности	2.5W	2.5W
Время задержки включения	18 ns	23 ns
Тип ТРВ	N-Channel	N-Channel
Применение транзистора	SWITCHING	-
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs	3.6m Ω @ 20A, 10V	2.8m Ω @ 24A, 10V
Втс(th) (Макс) @ Id	2.35V @ 250μA	2.35V @ 100μA
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds	6240pF @ 15V	5720pF @ 15V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs	60nC @ 4.5V	66nC @ 4.5V
Время подъема	10ns	24ns
Угол настройки (макс.)	±12V	±20V
Время падения (тип)	5.3 ns	11 ns
Непрерывный ток стока (ID)	21A	24A
Пороговое напряжение	2.35V	-
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)	12V	20V
Напряжение пробоя стока к истоку	30V	30V
Время восстановления	62 ns	-
Номинальное Vgs	2.35 V	1.8 V
Высота	1.4986mm	1.4986mm
Длина	4.9784mm	4.9784mm
Ширина	3.9878mm	3.9878mm
REACH SVHC	No SVHC	No SVHC
Корпусировка на излучение	No	No
Состояние RoHS	ROHS3 Compliant	ROHS3 Compliant
Без свинца	Lead Free	Lead Free

Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные Смежные части

Артикул	Производитель	Категория	Упаковка	Описание	Для сравнения
IRF7862TRPBF	Infineon Technologies	Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)	MOSFET N-CH 30V 21A 8-SOIC	Для сравнения
IRF8734TRPBF	Infineon Technologies	Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)	MOSFET N-CH 30V 21A 8-SOIC	Для сравнения
SI4368DY-T1-E3	Vishay Siliconix	Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)	MOSFET N-CH 30V 17A 8-SOIC	Для сравнения
IRF8788TRPBF	Infineon Technologies	Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)	MOSFET N-CH 30V 24A 8-SO	Для сравнения