Все продукты
Войти
Место отправки: 
Китай
IRF7831TRPBF Альтернативные части: SI4368DY-T1-E3
IRF7831TRPBFInfineon Technologies
В наличии: 10
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.
Количество
Цена за единицу
Итоговая цена
1
62.192308 ₽
62.23 ₽
10
58.671992 ₽
586.68 ₽
100
55.350934 ₽
5,535.03 ₽
500
52.217857 ₽
26,108.93 ₽
1000
49.262129 ₽
49,262.09 ₽
Цена за единицу: 62.192308 ₽
Итоговая цена: 62.23 ₽
Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.
Скрыть общие атрибуты | ||
Производитель: | ||
Описание: | Single N-Channel 30 V 3.6 mOhm 40 nC HEXFET® Power Mosfet - SOIC-8 | MOSFET N-CH 30V 17A 8-SOIC |
Срок поставки от производителя | 12 Weeks | 14 Weeks |
Покрытие контактов | Tin | - |
Монтаж | Surface Mount | Surface Mount |
Вид крепления | Surface Mount | Surface Mount |
Корпус / Кейс | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) |
Количество контактов | 8 | 8 |
Материал элемента транзистора | SILICON | SILICON |
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C | 21A Ta | 17A Ta |
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On) | 4.5V 10V | 4.5V 10V |
Количество элементов | 1 | 1 |
Максимальная мощность рассеяния | 2.5W Ta | 1.6W Ta |
Время отключения | 17 ns | 172 ns |
Рабочая температура | -55°C~150°C TJ | -55°C~150°C TJ |
Пакетирование | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
Серия | HEXFET® | TrenchFET® |
Опубликовано | 2005 | 2016 |
Код JESD-609 | e3 | e3 |
Состояние изделия | Active | Active |
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) |
Количество выводов | 8 | 8 |
Код ECCN | EAR99 | EAR99 |
Сопротивление | 3.6MOhm | 3.2mOhm |
Ток постоянного напряжения - номинальный | 30V | - |
Положение терминала | DUAL | DUAL |
Форма вывода | GULL WING | GULL WING |
Моментальный ток | 21A | - |
Конфигурация | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | - |
Режим работы | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE |
Распад мощности | 2.5W | 1.6W |
Время задержки включения | 18 ns | 25 ns |
Тип ТРВ | N-Channel | N-Channel |
Применение транзистора | SWITCHING | SWITCHING |
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs | 3.6m Ω @ 20A, 10V | 3.2m Ω @ 25A, 10V |
Втс(th) (Макс) @ Id | 2.35V @ 250μA | 1.8V @ 250μA |
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds | 6240pF @ 15V | 8340pF @ 15V |
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs | 60nC @ 4.5V | 80nC @ 4.5V |
Время подъема | 10ns | 20ns |
Угол настройки (макс.) | ±12V | ±12V |
Время падения (тип) | 5.3 ns | 20 ns |
Непрерывный ток стока (ID) | 21A | 17A |
Пороговое напряжение | 2.35V | - |
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs) | 12V | 12V |
Напряжение пробоя стока к истоку | 30V | 30V |
Время восстановления | 62 ns | - |
Номинальное Vgs | 2.35 V | - |
Высота | 1.4986mm | 1.55mm |
Длина | 4.9784mm | 5mm |
Ширина | 3.9878mm | 4mm |
REACH SVHC | No SVHC | - |
Корпусировка на излучение | No | No |
Состояние RoHS | ROHS3 Compliant | ROHS3 Compliant |
Без свинца | Lead Free | - |
Вес | - | 186.993455mg |
Конечная обработка контакта | - | MATTE TIN |
Температура пайки (пиковая) (°C) | - | 260 |
Время@Максимальная температура пайки-пик (с) | - | 40 |
Число контактов | - | 8 |
Каналов количество | - | 1 |
Конфигурация элемента | - | Single |
Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные Смежные части
| Наименование | Артикул | Производитель | Категория | Упаковка | Описание | Для сравнения |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | IRF7862TRPBF | Infineon Technologies | Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET N-CH 30V 21A 8-SOIC | Для сравнения |
| IRF8734TRPBF | Infineon Technologies | Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET N-CH 30V 21A 8-SOIC | Для сравнения |
 | SI4368DY-T1-E3 | Vishay Siliconix | Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET N-CH 30V 17A 8-SOIC | Для сравнения |
| IRF8788TRPBF | Infineon Technologies | Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET N-CH 30V 24A 8-SO | Для сравнения |