IRF7805ZTRPBF Альтернативные части: IRF9321TRPBF ,IRF8714TRPBF

IRF7805ZTRPBFInfineon Technologies

В наличии: 60

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

1
64.103709 ₽
64.15 ₽
10
60.475192 ₽
604.81 ₽
100
57.052074 ₽
5,705.22 ₽
500
53.822706 ₽
26,911.40 ₽
1000
50.776140 ₽
50,776.10 ₽

Цена за единицу: 64.103709 ₽

Итоговая цена: 64.15 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты	иIRF7805ZTRPBF	иIRF9321TRPBF	иIRF8714TRPBF
Производитель:	Infineon Technologies	Infineon Technologies	Infineon Technologies
Описание:	MOSFET N-CH 30V 16A 8-SOIC	MOSFET P-CH 30V 15A 8-SOIC	MOSFET N-CH 30V 14A 8-SOIC
Срок поставки от производителя	12 Weeks	12 Weeks	12 Weeks
Покрытие контактов	Tin	-	Tin
Монтаж	Surface Mount	Surface Mount	Surface Mount
Вид крепления	Surface Mount	Surface Mount	Surface Mount
Корпус / Кейс	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
Количество контактов	8	8	8
Материал элемента транзистора	SILICON	SILICON	SILICON
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C	16A Ta	15A Ta	14A Ta
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)	4.5V 10V	4.5V 10V	4.5V 10V
Количество элементов	1	1	1
Максимальная мощность рассеяния	2.5W Ta	2.5W Ta	2.5W Ta
Время отключения	14 ns	185 ns	11 ns
Рабочая температура	-55°C~150°C TJ	-55°C~150°C TJ	-55°C~150°C TJ
Пакетирование	Tape & Reel (TR)	Tape & Reel (TR)	Tape & Reel (TR)
Серия	HEXFET®	HEXFET®	HEXFET®
Опубликовано	2005	2008	2004
Состояние изделия	Active	Active	Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)
Количество выводов	8	8	8
Код ECCN	EAR99	EAR99	EAR99
Сопротивление	6.8MOhm	7.2MOhm	8.7MOhm
Ток постоянного напряжения - номинальный	30V	-	-
Положение терминала	DUAL	DUAL	DUAL
Форма вывода	GULL WING	GULL WING	GULL WING
Моментальный ток	16A	-	-
Конфигурация	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	-
Режим работы	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE
Распад мощности	2.5W	2.5W	2.5W
Время задержки включения	11 ns	21 ns	10 ns
Тип ТРВ	N-Channel	P-Channel	N-Channel
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs	6.8m Ω @ 16A, 10V	7.2m Ω @ 15A, 10V	8.7m Ω @ 14A, 10V
Втс(th) (Макс) @ Id	2.25V @ 250μA	2.4V @ 50μA	2.35V @ 25μA
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds	2080pF @ 15V	2590pF @ 25V	1020pF @ 15V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs	27nC @ 4.5V	98nC @ 10V	12nC @ 4.5V
Время подъема	10ns	79ns	9.9ns
Угол настройки (макс.)	±20V	±20V	±20V
Время падения (тип)	3.7 ns	145 ns	5 ns
Непрерывный ток стока (ID)	16A	-15A	14A
Код JEDEC-95	MS-012AA	-	-
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)	20V	20V	20V
Напряжение пробоя стока к истоку	30V	-30V	30V
Максимальный импульсный ток вывода	120A	-	-
Рейтинг энергии лавины (Eas)	72 mJ	-	65 mJ
Номинальное Vgs	2.25 V	-1.8 V	1.8 V
Высота	1.4986mm	1.75mm	1.4986mm
Длина	4.9784mm	4.9784mm	4.9784mm
Ширина	3.9878mm	3.9878mm	3.9878mm
REACH SVHC	No SVHC	No SVHC	No SVHC
Корпусировка на излучение	No	No	No
Состояние RoHS	ROHS3 Compliant	ROHS3 Compliant	ROHS3 Compliant
Без свинца	Lead Free	Lead Free	Lead Free
Код JESD-609	-	e3	e3
Конечная обработка контакта	-	Matte Tin (Sn)	-
Каналов количество	-	1	-
Применение транзистора	-	SWITCHING	SWITCHING
Напряжение стока-исток (Vdss)	-	30V	-
Пороговое напряжение	-	-1.8V	-
Максимальная температура перехода (Тj)	-	150°C	-
Температура пайки (пиковая) (°C)	-	-	260
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)	-	-	30
Конфигурация элемента	-	-	Single

Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные Смежные части

Артикул	Производитель	Категория	Упаковка	Описание	Для сравнения
IRF9321TRPBF	Infineon Technologies	Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)	MOSFET P-CH 30V 15A 8-SOIC	Для сравнения
IRF8714TRPBF	Infineon Technologies	Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)	MOSFET N-CH 30V 14A 8-SOIC	Для сравнения
IRF8721TRPBF	Infineon Technologies	Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)	MOSFET N-CH 30V 14A 8-SOIC	Для сравнения
IRF8113GPBF	Infineon Technologies	Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)	MOSFET N-CH 30V 17.2A 8-SO	Для сравнения