Все продукты
Войти
Место отправки: 
Китай
IRF7805ZTRPBF Альтернативные части: IRF8113GPBF
IRF7805ZTRPBFInfineon Technologies
В наличии: 60
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.
Количество
Цена за единицу
Итоговая цена
1
64.103709 ₽
64.15 ₽
10
60.475192 ₽
604.81 ₽
100
57.052074 ₽
5,705.22 ₽
500
53.822706 ₽
26,911.40 ₽
1000
50.776140 ₽
50,776.10 ₽
Цена за единицу: 64.103709 ₽
Итоговая цена: 64.15 ₽
Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.
Скрыть общие атрибуты | ||
Производитель: | ||
Описание: | MOSFET N-CH 30V 16A 8-SOIC | MOSFET N-CH 30V 17.2A 8-SO |
Срок поставки от производителя | 12 Weeks | - |
Покрытие контактов | Tin | - |
Монтаж | Surface Mount | Surface Mount |
Вид крепления | Surface Mount | Surface Mount |
Корпус / Кейс | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) |
Количество контактов | 8 | 8 |
Материал элемента транзистора | SILICON | - |
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C | 16A Ta | 17.2A Ta |
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On) | 4.5V 10V | 4.5V 10V |
Количество элементов | 1 | 1 |
Максимальная мощность рассеяния | 2.5W Ta | 2.5W Ta |
Время отключения | 14 ns | 17 ns |
Рабочая температура | -55°C~150°C TJ | -55°C~150°C TJ |
Пакетирование | Tape & Reel (TR) | Tube |
Серия | HEXFET® | HEXFET® |
Опубликовано | 2005 | 2009 |
Состояние изделия | Active | Obsolete |
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) |
Количество выводов | 8 | - |
Код ECCN | EAR99 | - |
Сопротивление | 6.8MOhm | - |
Ток постоянного напряжения - номинальный | 30V | - |
Положение терминала | DUAL | - |
Форма вывода | GULL WING | - |
Моментальный ток | 16A | - |
Конфигурация | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | - |
Режим работы | ENHANCEMENT MODE | - |
Распад мощности | 2.5W | 2.5W |
Время задержки включения | 11 ns | 13 ns |
Тип ТРВ | N-Channel | N-Channel |
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs | 6.8m Ω @ 16A, 10V | 5.6mOhm @ 17.2A, 10V |
Втс(th) (Макс) @ Id | 2.25V @ 250μA | 2.2V @ 250μA |
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds | 2080pF @ 15V | 2910pF @ 15V |
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs | 27nC @ 4.5V | 36nC @ 4.5V |
Время подъема | 10ns | 8.9ns |
Угол настройки (макс.) | ±20V | ±20V |
Время падения (тип) | 3.7 ns | 3.5 ns |
Непрерывный ток стока (ID) | 16A | 17.2A |
Код JEDEC-95 | MS-012AA | - |
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs) | 20V | 20V |
Напряжение пробоя стока к истоку | 30V | 30V |
Максимальный импульсный ток вывода | 120A | - |
Рейтинг энергии лавины (Eas) | 72 mJ | - |
Номинальное Vgs | 2.25 V | 2.2 V |
Высота | 1.4986mm | 1.4986mm |
Длина | 4.9784mm | 4.9784mm |
Ширина | 3.9878mm | 3.9878mm |
REACH SVHC | No SVHC | No SVHC |
Корпусировка на излучение | No | No |
Состояние RoHS | ROHS3 Compliant | RoHS Compliant |
Без свинца | Lead Free | - |
Поставщик упаковки устройства | - | 8-SO |
Максимальная рабочая температура | - | 150°C |
Минимальная температура работы | - | -55°C |
Напряжение стока-исток (Vdss) | - | 30V |
Входной ёмкости | - | 2.91nF |
Сопротивление стока к истоку | - | 7.4mOhm |
Rds на макс. | - | 5.6 mΩ |
Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные Смежные части
| Наименование | Артикул | Производитель | Категория | Упаковка | Описание | Для сравнения |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | IRF9321TRPBF | Infineon Technologies | Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET P-CH 30V 15A 8-SOIC | Для сравнения |
| IRF8714TRPBF | Infineon Technologies | Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET N-CH 30V 14A 8-SOIC | Для сравнения |
| IRF8721TRPBF | Infineon Technologies | Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET N-CH 30V 14A 8-SOIC | Для сравнения |
| IRF8113GPBF | Infineon Technologies | Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET N-CH 30V 17.2A 8-SO | Для сравнения |