Все продукты
Войти
Место отправки: 
Китай
IRF7805ZTRPBF Альтернативные части: IRF9321TRPBF
IRF7805ZTRPBFInfineon Technologies
В наличии: 60
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.
Количество
Цена за единицу
Итоговая цена
1
64.103709 ₽
64.15 ₽
10
60.475192 ₽
604.81 ₽
100
57.052074 ₽
5,705.22 ₽
500
53.822706 ₽
26,911.40 ₽
1000
50.776140 ₽
50,776.10 ₽
Цена за единицу: 64.103709 ₽
Итоговая цена: 64.15 ₽
Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.
Скрыть общие атрибуты | ||
Производитель: | ||
Описание: | MOSFET N-CH 30V 16A 8-SOIC | MOSFET P-CH 30V 15A 8-SOIC |
Срок поставки от производителя | 12 Weeks | 12 Weeks |
Покрытие контактов | Tin | - |
Монтаж | Surface Mount | Surface Mount |
Вид крепления | Surface Mount | Surface Mount |
Корпус / Кейс | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) |
Количество контактов | 8 | 8 |
Материал элемента транзистора | SILICON | SILICON |
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C | 16A Ta | 15A Ta |
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On) | 4.5V 10V | 4.5V 10V |
Количество элементов | 1 | 1 |
Максимальная мощность рассеяния | 2.5W Ta | 2.5W Ta |
Время отключения | 14 ns | 185 ns |
Рабочая температура | -55°C~150°C TJ | -55°C~150°C TJ |
Пакетирование | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
Серия | HEXFET® | HEXFET® |
Опубликовано | 2005 | 2008 |
Состояние изделия | Active | Active |
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) |
Количество выводов | 8 | 8 |
Код ECCN | EAR99 | EAR99 |
Сопротивление | 6.8MOhm | 7.2MOhm |
Ток постоянного напряжения - номинальный | 30V | - |
Положение терминала | DUAL | DUAL |
Форма вывода | GULL WING | GULL WING |
Моментальный ток | 16A | - |
Конфигурация | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
Режим работы | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE |
Распад мощности | 2.5W | 2.5W |
Время задержки включения | 11 ns | 21 ns |
Тип ТРВ | N-Channel | P-Channel |
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs | 6.8m Ω @ 16A, 10V | 7.2m Ω @ 15A, 10V |
Втс(th) (Макс) @ Id | 2.25V @ 250μA | 2.4V @ 50μA |
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds | 2080pF @ 15V | 2590pF @ 25V |
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs | 27nC @ 4.5V | 98nC @ 10V |
Время подъема | 10ns | 79ns |
Угол настройки (макс.) | ±20V | ±20V |
Время падения (тип) | 3.7 ns | 145 ns |
Непрерывный ток стока (ID) | 16A | -15A |
Код JEDEC-95 | MS-012AA | - |
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs) | 20V | 20V |
Напряжение пробоя стока к истоку | 30V | -30V |
Максимальный импульсный ток вывода | 120A | - |
Рейтинг энергии лавины (Eas) | 72 mJ | - |
Номинальное Vgs | 2.25 V | -1.8 V |
Высота | 1.4986mm | 1.75mm |
Длина | 4.9784mm | 4.9784mm |
Ширина | 3.9878mm | 3.9878mm |
REACH SVHC | No SVHC | No SVHC |
Корпусировка на излучение | No | No |
Состояние RoHS | ROHS3 Compliant | ROHS3 Compliant |
Без свинца | Lead Free | Lead Free |
Код JESD-609 | - | e3 |
Конечная обработка контакта | - | Matte Tin (Sn) |
Каналов количество | - | 1 |
Применение транзистора | - | SWITCHING |
Напряжение стока-исток (Vdss) | - | 30V |
Пороговое напряжение | - | -1.8V |
Максимальная температура перехода (Тj) | - | 150°C |
Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные Смежные части
| Наименование | Артикул | Производитель | Категория | Упаковка | Описание | Для сравнения |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | IRF9321TRPBF | Infineon Technologies | Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET P-CH 30V 15A 8-SOIC | Для сравнения |
| IRF8714TRPBF | Infineon Technologies | Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET N-CH 30V 14A 8-SOIC | Для сравнения |
| IRF8721TRPBF | Infineon Technologies | Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET N-CH 30V 14A 8-SOIC | Для сравнения |
| IRF8113GPBF | Infineon Technologies | Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET N-CH 30V 17.2A 8-SO | Для сравнения |