IRF7425TRPBFInfineon Technologies
В наличии: 15509
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.
Количество
Цена за единицу
Итоговая цена
1
66.634615 ₽
66.62 ₽
10
62.862843 ₽
628.57 ₽
100
59.304574 ₽
5,930.49 ₽
500
55.947706 ₽
27,973.90 ₽
1000
52.780852 ₽
52,780.91 ₽
Цена за единицу: 66.634615 ₽
Итоговая цена: 66.62 ₽
Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.
Скрыть общие атрибуты | |||
Производитель: | |||
Описание: | MOSFET P-CH 20V 15A 8-SOIC | SI4666DY-T1-GE3 N-channel MOSFET Transistor; 16.5 A; 25 V; 8-Pin SOIC | MOSFET N-CH 20V 16A 8-SOIC |
Срок поставки от производителя | 12 Weeks | - | 12 Weeks |
Покрытие контактов | Tin | - | Tin |
Монтаж | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
Вид крепления | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
Корпус / Кейс | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) |
Количество контактов | 8 | 8 | 8 |
Материал элемента транзистора | SILICON | SILICON | SILICON |
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C | 15A Ta | 16.5A Tc | 16A Ta |
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On) | 2.5V 4.5V | 2.5V 10V | 2.8V 10V |
Количество элементов | 1 | 1 | 1 |
Максимальная мощность рассеяния | 2.5W Ta | 2.5W Ta 5W Tc | 2.5W Ta |
Время отключения | 230 ns | 27 ns | 50 ns |
Рабочая температура | -55°C~150°C TJ | -55°C~150°C TJ | -55°C~150°C TJ |
Пакетирование | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
Серия | HEXFET® | TrenchFET® | HEXFET® |
Опубликовано | 2006 | 2014 | 2008 |
Код JESD-609 | e3 | e3 | - |
Состояние изделия | Active | Obsolete | Active |
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) |
Количество выводов | 8 | 8 | 8 |
Завершение | SMD/SMT | - | - |
Код ECCN | EAR99 | EAR99 | EAR99 |
Сопротивление | 8.2MOhm | - | 6.5mOhm |
Ток постоянного напряжения - номинальный | -20V | - | 20V |
Положение терминала | DUAL | DUAL | DUAL |
Форма вывода | GULL WING | GULL WING | GULL WING |
Температура пайки (пиковая) (°C) | 260 | 260 | - |
Моментальный ток | -15A | - | 16A |
Время@Максимальная температура пайки-пик (с) | 30 | 30 | - |
Каналов количество | 1 | 1 | - |
Конфигурация элемента | Single | - | Single |
Режим работы | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE |
Распад мощности | 2.5W | 2.5W | 2.5W |
Время задержки включения | 13 ns | 13 ns | 20 ns |
Тип ТРВ | P-Channel | N-Channel | N-Channel |
Применение транзистора | SWITCHING | SWITCHING | SWITCHING |
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs | 8.2m Ω @ 15A, 4.5V | 10m Ω @ 10A, 10V | 6.5m Ω @ 16A, 10V |
Втс(th) (Макс) @ Id | 1.2V @ 250μA | 1.5V @ 250μA | 2V @ 250μA |
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds | 7980pF @ 15V | 1145pF @ 10V | 3640pF @ 15V |
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs | 130nC @ 4.5V | 34nC @ 10V | 62nC @ 5V |
Время подъема | 20ns | 12ns | 25ns |
Угол настройки (макс.) | ±12V | ±12V | ±12V |
Время падения (тип) | 160 ns | 10 ns | 52 ns |
Непрерывный ток стока (ID) | -15A | 16.5A | 16A |
Пороговое напряжение | -1.2V | - | 2V |
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs) | 12V | 12V | 12V |
Напряжение пробоя стока к истоку | -20V | 25V | 20V |
Максимальный импульсный ток вывода | 60A | - | - |
Двухпитание напряжения | 20V | - | 20V |
Время восстановления | 180 ns | - | 72 ns |
Максимальная температура перехода (Тj) | 150°C | - | - |
Номинальное Vgs | 1.2 V | 600 mV | 2 V |
Высота | 1.75mm | - | 1.4986mm |
Длина | 4.9784mm | - | 4.9784mm |
Ширина | 3.9878mm | - | 3.9878mm |
REACH SVHC | No SVHC | Unknown | No SVHC |
Корпусировка на излучение | No | No | No |
Состояние RoHS | ROHS3 Compliant | ROHS3 Compliant | ROHS3 Compliant |
Без свинца | Contains Lead | Lead Free | Lead Free |
Вес | - | 506.605978mg | - |
Конечная обработка контакта | - | PURE MATTE TIN | - |
Число контактов | - | 8 | - |
Конфигурация | - | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | - |
Дополнительная Характеристика | - | - | AVALANCHE RATED |
Рейтинг энергии лавины (Eas) | - | - | 250 mJ |