IRF7425TRPBF Альтернативные части: IRF7456TRPBF

IRF7425TRPBFInfineon Technologies

В наличии: 15509

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

1
66.634615 ₽
66.62 ₽
10
62.862843 ₽
628.57 ₽
100
59.304574 ₽
5,930.49 ₽
500
55.947706 ₽
27,973.90 ₽
1000
52.780852 ₽
52,780.91 ₽

Цена за единицу: 66.634615 ₽

Итоговая цена: 66.62 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты	иIRF7425TRPBF	иIRF7456TRPBF
Производитель:	Infineon Technologies	Infineon Technologies
Описание:	MOSFET P-CH 20V 15A 8-SOIC	MOSFET N-CH 20V 16A 8-SOIC
Срок поставки от производителя	12 Weeks	12 Weeks
Покрытие контактов	Tin	Tin
Монтаж	Surface Mount	Surface Mount
Вид крепления	Surface Mount	Surface Mount
Корпус / Кейс	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
Количество контактов	8	8
Материал элемента транзистора	SILICON	SILICON
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C	15A Ta	16A Ta
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)	2.5V 4.5V	2.8V 10V
Количество элементов	1	1
Максимальная мощность рассеяния	2.5W Ta	2.5W Ta
Время отключения	230 ns	50 ns
Рабочая температура	-55°C~150°C TJ	-55°C~150°C TJ
Пакетирование	Tape & Reel (TR)	Tape & Reel (TR)
Серия	HEXFET®	HEXFET®
Опубликовано	2006	2008
Код JESD-609	e3	-
Состояние изделия	Active	Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)
Количество выводов	8	8
Завершение	SMD/SMT	-
Код ECCN	EAR99	EAR99
Сопротивление	8.2MOhm	6.5mOhm
Ток постоянного напряжения - номинальный	-20V	20V
Положение терминала	DUAL	DUAL
Форма вывода	GULL WING	GULL WING
Температура пайки (пиковая) (°C)	260	-
Моментальный ток	-15A	16A
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)	30	-
Каналов количество	1	-
Конфигурация элемента	Single	Single
Режим работы	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE
Распад мощности	2.5W	2.5W
Время задержки включения	13 ns	20 ns
Тип ТРВ	P-Channel	N-Channel
Применение транзистора	SWITCHING	SWITCHING
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs	8.2m Ω @ 15A, 4.5V	6.5m Ω @ 16A, 10V
Втс(th) (Макс) @ Id	1.2V @ 250μA	2V @ 250μA
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds	7980pF @ 15V	3640pF @ 15V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs	130nC @ 4.5V	62nC @ 5V
Время подъема	20ns	25ns
Угол настройки (макс.)	±12V	±12V
Время падения (тип)	160 ns	52 ns
Непрерывный ток стока (ID)	-15A	16A
Пороговое напряжение	-1.2V	2V
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)	12V	12V
Напряжение пробоя стока к истоку	-20V	20V
Максимальный импульсный ток вывода	60A	-
Двухпитание напряжения	20V	20V
Время восстановления	180 ns	72 ns
Максимальная температура перехода (Тj)	150°C	-
Номинальное Vgs	1.2 V	2 V
Высота	1.75mm	1.4986mm
Длина	4.9784mm	4.9784mm
Ширина	3.9878mm	3.9878mm
REACH SVHC	No SVHC	No SVHC
Корпусировка на излучение	No	No
Состояние RoHS	ROHS3 Compliant	ROHS3 Compliant
Без свинца	Contains Lead	Lead Free
Дополнительная Характеристика	-	AVALANCHE RATED
Рейтинг энергии лавины (Eas)	-	250 mJ

Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные Смежные части

Артикул	Производитель	Категория	Упаковка	Описание	Для сравнения
IRF7456TRPBF	Infineon Technologies	Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)	MOSFET N-CH 20V 16A 8-SOIC	Для сравнения
FDS6574A	ON Semiconductor	Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)	Trans MOSFET N-CH 20V 16A 8-Pin SOIC N T/R	Для сравнения
SI4666DY-T1-GE3	Vishay Siliconix	Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)	SI4666DY-T1-GE3 N-channel MOSFET Transistor; 16.5 A; 25 V; 8-Pin SOIC	Для сравнения