Все продукты
Войти
Место отправки: 
Китай
IRF7425TRPBF Альтернативные части: SI4666DY-T1-GE3
IRF7425TRPBFInfineon Technologies
В наличии: 15509
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.
Количество
Цена за единицу
Итоговая цена
1
66.634615 ₽
66.62 ₽
10
62.862843 ₽
628.57 ₽
100
59.304574 ₽
5,930.49 ₽
500
55.947706 ₽
27,973.90 ₽
1000
52.780852 ₽
52,780.91 ₽
Цена за единицу: 66.634615 ₽
Итоговая цена: 66.62 ₽
Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.
Скрыть общие атрибуты | ||
Производитель: | ||
Описание: | MOSFET P-CH 20V 15A 8-SOIC | SI4666DY-T1-GE3 N-channel MOSFET Transistor; 16.5 A; 25 V; 8-Pin SOIC |
Срок поставки от производителя | 12 Weeks | - |
Покрытие контактов | Tin | - |
Монтаж | Surface Mount | Surface Mount |
Вид крепления | Surface Mount | Surface Mount |
Корпус / Кейс | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) |
Количество контактов | 8 | 8 |
Материал элемента транзистора | SILICON | SILICON |
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C | 15A Ta | 16.5A Tc |
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On) | 2.5V 4.5V | 2.5V 10V |
Количество элементов | 1 | 1 |
Максимальная мощность рассеяния | 2.5W Ta | 2.5W Ta 5W Tc |
Время отключения | 230 ns | 27 ns |
Рабочая температура | -55°C~150°C TJ | -55°C~150°C TJ |
Пакетирование | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
Серия | HEXFET® | TrenchFET® |
Опубликовано | 2006 | 2014 |
Код JESD-609 | e3 | e3 |
Состояние изделия | Active | Obsolete |
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) |
Количество выводов | 8 | 8 |
Завершение | SMD/SMT | - |
Код ECCN | EAR99 | EAR99 |
Сопротивление | 8.2MOhm | - |
Ток постоянного напряжения - номинальный | -20V | - |
Положение терминала | DUAL | DUAL |
Форма вывода | GULL WING | GULL WING |
Температура пайки (пиковая) (°C) | 260 | 260 |
Моментальный ток | -15A | - |
Время@Максимальная температура пайки-пик (с) | 30 | 30 |
Каналов количество | 1 | 1 |
Конфигурация элемента | Single | - |
Режим работы | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE |
Распад мощности | 2.5W | 2.5W |
Время задержки включения | 13 ns | 13 ns |
Тип ТРВ | P-Channel | N-Channel |
Применение транзистора | SWITCHING | SWITCHING |
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs | 8.2m Ω @ 15A, 4.5V | 10m Ω @ 10A, 10V |
Втс(th) (Макс) @ Id | 1.2V @ 250μA | 1.5V @ 250μA |
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds | 7980pF @ 15V | 1145pF @ 10V |
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs | 130nC @ 4.5V | 34nC @ 10V |
Время подъема | 20ns | 12ns |
Угол настройки (макс.) | ±12V | ±12V |
Время падения (тип) | 160 ns | 10 ns |
Непрерывный ток стока (ID) | -15A | 16.5A |
Пороговое напряжение | -1.2V | - |
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs) | 12V | 12V |
Напряжение пробоя стока к истоку | -20V | 25V |
Максимальный импульсный ток вывода | 60A | - |
Двухпитание напряжения | 20V | - |
Время восстановления | 180 ns | - |
Максимальная температура перехода (Тj) | 150°C | - |
Номинальное Vgs | 1.2 V | 600 mV |
Высота | 1.75mm | - |
Длина | 4.9784mm | - |
Ширина | 3.9878mm | - |
REACH SVHC | No SVHC | Unknown |
Корпусировка на излучение | No | No |
Состояние RoHS | ROHS3 Compliant | ROHS3 Compliant |
Без свинца | Contains Lead | Lead Free |
Вес | - | 506.605978mg |
Конечная обработка контакта | - | PURE MATTE TIN |
Число контактов | - | 8 |
Конфигурация | - | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные Смежные части
| Наименование | Артикул | Производитель | Категория | Упаковка | Описание | Для сравнения |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | IRF7456TRPBF | Infineon Technologies | Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET N-CH 20V 16A 8-SOIC | Для сравнения |
 | FDS6574A | ON Semiconductor | Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | Trans MOSFET N-CH 20V 16A 8-Pin SOIC N T/R | Для сравнения |
 | SI4666DY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | SI4666DY-T1-GE3 N-channel MOSFET Transistor; 16.5 A; 25 V; 8-Pin SOIC | Для сравнения |