IRF7421D1TRPBFInfineon Technologies
В наличии: 1340
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.
Количество
Цена за единицу
Итоговая цена
1
55.648132 ₽
55.63 ₽
10
52.498255 ₽
525.00 ₽
100
49.526648 ₽
4,952.61 ₽
500
46.723228 ₽
23,361.68 ₽
1000
44.078503 ₽
44,078.57 ₽
Цена за единицу: 55.648132 ₽
Итоговая цена: 55.63 ₽
Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.
Скрыть общие атрибуты | |||
Производитель: | |||
Описание: | MOSFET N-CH 30V 5.8A 8-SOIC | MOSFET N-CH 30V 5.6A MICRO8 | MOSFET N/P-CH 30V 8.1A/7A 8SOP |
Монтаж | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
Вид крепления | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
Корпус / Кейс | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118, 3.00mm Width) | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) |
Количество контактов | 8 | 8 | 8 |
Поставщик упаковки устройства | 8-SO | Micro8™ | - |
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C | 5.8A Ta | 5.6A Ta | 8.1A 7A |
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On) | 4.5V 10V | 4.5V 10V | - |
Количество элементов | 1 | 1 | 2 |
Максимальная мощность рассеяния | 2W Ta | 1.8W Ta | - |
Время отключения | 20 ns | 18 ns | 50.1 ns |
Рабочая температура | -55°C~150°C TJ | -55°C~150°C TJ | -55°C~150°C TJ |
Пакетирование | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
Серия | FETKY™ | HEXFET® | - |
Опубликовано | 2004 | 2005 | 2010 |
Состояние изделия | Obsolete | Obsolete | Active |
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) |
Сопротивление | 35MOhm | - | - |
Максимальная рабочая температура | 150°C | 150°C | - |
Минимальная температура работы | -55°C | -55°C | - |
Ток постоянного напряжения - номинальный | 30V | 30V | - |
Моментальный ток | 5.8A | 5.6A | - |
Распад мощности | 2W | 1.8W | - |
Время задержки включения | 6.7 ns | 5.7 ns | 10.1 ns |
Тип ТРВ | N-Channel | N-Channel | N and P-Channel |
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs | 35mOhm @ 4.1A, 10V | 35mOhm @ 3.7A, 10V | 32m Ω @ 7A, 10V |
Втс(th) (Макс) @ Id | 1V @ 250μA | 1V @ 250μA | 2.1V @ 250μA |
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds | 510pF @ 25V | 520pF @ 25V | 404.5pF @ 15V |
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs | 27nC @ 10V | 27nC @ 10V | 9.2nC @ 10V |
Время подъема | 27ns | 28ns | 6.5ns |
Напряжение стока-исток (Vdss) | 30V | 30V | 30V |
Угол настройки (макс.) | ±20V | ±20V | - |
Время падения (тип) | 16 ns | 12 ns | 22.2 ns |
Непрерывный ток стока (ID) | 5.8A | 5.6A | 7A |
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs) | 20V | 20V | 20V |
Напряжение пробоя стока к истоку | 30V | 30V | -30V |
Входной ёмкости | 510pF | 520pF | - |
Характеристика ТРП | Schottky Diode (Isolated) | - | Logic Level Gate |
Сопротивление стока к истоку | 60mOhm | 35mOhm | - |
Rds на макс. | 35 mΩ | 35 mΩ | - |
Высота | 1.4986mm | - | - |
Длина | 4.9784mm | - | - |
Ширина | 3.9878mm | - | - |
Корпусировка на излучение | No | - | No |
Состояние RoHS | RoHS Compliant | RoHS Compliant | ROHS3 Compliant |
Без свинца | Lead Free | Lead Free | - |
Конфигурация элемента | - | Single | - |
Срок поставки от производителя | - | - | 15 Weeks |
Вес | - | - | 73.992255mg |
Материал элемента транзистора | - | - | SILICON |
Код JESD-609 | - | - | e3 |
Безоловая кодировка | - | - | yes |
Количество выводов | - | - | 8 |
Код ECCN | - | - | EAR99 |
Конечная обработка контакта | - | - | Matte Tin (Sn) |
Дополнительная Характеристика | - | - | HIGH RELIABILITY |
Максимальная потеря мощности | - | - | 2.5W |
Положение терминала | - | - | DUAL |
Форма вывода | - | - | GULL WING |
Температура пайки (пиковая) (°C) | - | - | 260 |
Время@Максимальная температура пайки-пик (с) | - | - | 40 |
Число контактов | - | - | 8 |
Каналов количество | - | - | 2 |
Режим работы | - | - | ENHANCEMENT MODE |
Применение транзистора | - | - | SWITCHING |
Полярность/Тип канала | - | - | N-CHANNEL AND P-CHANNEL |
Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток) | - | - | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
REACH SVHC | - | - | No SVHC |