IRF7421D1TRPBF Альтернативные части: IRF9410TRPBF

IRF7421D1TRPBFInfineon Technologies

  • IRF7421D1TRPBFInfineon Technologies
  • IRF9410TRPBFInfineon Technologies

В наличии: 1340

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

  • 1

    55.648132 ₽

    55.63 ₽

  • 10

    52.498255 ₽

    525.00 ₽

  • 100

    49.526648 ₽

    4,952.61 ₽

  • 500

    46.723228 ₽

    23,361.68 ₽

  • 1000

    44.078503 ₽

    44,078.57 ₽

Цена за единицу: 55.648132 ₽

Итоговая цена: 55.63 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты
Производитель:
Описание:
MOSFET N-CH 30V 5.8A 8-SOIC
MOSFET N-CH 30V 7A 8-SOIC
Монтаж
Surface Mount
Surface Mount
Вид крепления
Surface Mount
Surface Mount
Корпус / Кейс
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
Количество контактов
8
8
Поставщик упаковки устройства
8-SO
-
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C
5.8A Ta
7A Ta
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)
4.5V 10V
4.5V 10V
Количество элементов
1
1
Максимальная мощность рассеяния
2W Ta
2.5W Ta
Время отключения
20 ns
23 ns
Рабочая температура
-55°C~150°C TJ
-55°C~150°C TJ
Пакетирование
Tape & Reel (TR)
Tape & Reel (TR)
Серия
FETKY™
HEXFET®
Опубликовано
2004
2004
Состояние изделия
Obsolete
Not For New Designs
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)
1 (Unlimited)
1 (Unlimited)
Сопротивление
35MOhm
30mOhm
Максимальная рабочая температура
150°C
-
Минимальная температура работы
-55°C
-
Ток постоянного напряжения - номинальный
30V
30V
Моментальный ток
5.8A
7A
Распад мощности
2W
2.5W
Время задержки включения
6.7 ns
7.3 ns
Тип ТРВ
N-Channel
N-Channel
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs
35mOhm @ 4.1A, 10V
30m Ω @ 7A, 10V
Втс(th) (Макс) @ Id
1V @ 250μA
1V @ 250μA
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds
510pF @ 25V
550pF @ 25V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs
27nC @ 10V
27nC @ 10V
Время подъема
27ns
7.3ns
Напряжение стока-исток (Vdss)
30V
-
Угол настройки (макс.)
±20V
±20V
Время падения (тип)
16 ns
17 ns
Непрерывный ток стока (ID)
5.8A
7A
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)
20V
20V
Напряжение пробоя стока к истоку
30V
30V
Входной ёмкости
510pF
-
Характеристика ТРП
Schottky Diode (Isolated)
-
Сопротивление стока к истоку
60mOhm
-
Rds на макс.
35 mΩ
-
Высота
1.4986mm
1.4986mm
Длина
4.9784mm
4.9784mm
Ширина
3.9878mm
3.9878mm
Корпусировка на излучение
No
No
Состояние RoHS
RoHS Compliant
ROHS3 Compliant
Без свинца
Lead Free
Contains Lead, Lead Free
Срок поставки от производителя
-
12 Weeks
Материал элемента транзистора
-
SILICON
Код JESD-609
-
e3
Количество выводов
-
8
Код ECCN
-
EAR99
Конечная обработка контакта
-
Matte Tin (Sn)
Дополнительная Характеристика
-
AVALANCHE RATED, ULTRA LOW RESISTANCE
Положение терминала
-
DUAL
Форма вывода
-
GULL WING
Интервал строк
-
6.3 mm
Конфигурация элемента
-
Single
Режим работы
-
ENHANCEMENT MODE
Применение транзистора
-
SWITCHING
Пороговое напряжение
-
1V
Двухпитание напряжения
-
30V
Рейтинг энергии лавины (Eas)
-
70 mJ
Номинальное Vgs
-
1 V
REACH SVHC
-
No SVHC