IRF7421D1TRPBF Альтернативные части: DMC3032LSD-13

IRF7421D1TRPBFInfineon Technologies

  • IRF7421D1TRPBFInfineon Technologies
  • DMC3032LSD-13Diodes Incorporated

В наличии: 1340

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

  • 1

    55.648132 ₽

    55.63 ₽

  • 10

    52.498255 ₽

    525.00 ₽

  • 100

    49.526648 ₽

    4,952.61 ₽

  • 500

    46.723228 ₽

    23,361.68 ₽

  • 1000

    44.078503 ₽

    44,078.57 ₽

Цена за единицу: 55.648132 ₽

Итоговая цена: 55.63 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты
Производитель:
Описание:
MOSFET N-CH 30V 5.8A 8-SOIC
MOSFET N/P-CH 30V 8.1A/7A 8SOP
Монтаж
Surface Mount
Surface Mount
Вид крепления
Surface Mount
Surface Mount
Корпус / Кейс
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
Количество контактов
8
8
Поставщик упаковки устройства
8-SO
-
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C
5.8A Ta
8.1A 7A
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)
4.5V 10V
-
Количество элементов
1
2
Максимальная мощность рассеяния
2W Ta
-
Время отключения
20 ns
50.1 ns
Рабочая температура
-55°C~150°C TJ
-55°C~150°C TJ
Пакетирование
Tape & Reel (TR)
Tape & Reel (TR)
Серия
FETKY™
-
Опубликовано
2004
2010
Состояние изделия
Obsolete
Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)
1 (Unlimited)
1 (Unlimited)
Сопротивление
35MOhm
-
Максимальная рабочая температура
150°C
-
Минимальная температура работы
-55°C
-
Ток постоянного напряжения - номинальный
30V
-
Моментальный ток
5.8A
-
Распад мощности
2W
-
Время задержки включения
6.7 ns
10.1 ns
Тип ТРВ
N-Channel
N and P-Channel
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs
35mOhm @ 4.1A, 10V
32m Ω @ 7A, 10V
Втс(th) (Макс) @ Id
1V @ 250μA
2.1V @ 250μA
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds
510pF @ 25V
404.5pF @ 15V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs
27nC @ 10V
9.2nC @ 10V
Время подъема
27ns
6.5ns
Напряжение стока-исток (Vdss)
30V
30V
Угол настройки (макс.)
±20V
-
Время падения (тип)
16 ns
22.2 ns
Непрерывный ток стока (ID)
5.8A
7A
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)
20V
20V
Напряжение пробоя стока к истоку
30V
-30V
Входной ёмкости
510pF
-
Характеристика ТРП
Schottky Diode (Isolated)
Logic Level Gate
Сопротивление стока к истоку
60mOhm
-
Rds на макс.
35 mΩ
-
Высота
1.4986mm
-
Длина
4.9784mm
-
Ширина
3.9878mm
-
Корпусировка на излучение
No
No
Состояние RoHS
RoHS Compliant
ROHS3 Compliant
Без свинца
Lead Free
-
Срок поставки от производителя
-
15 Weeks
Вес
-
73.992255mg
Материал элемента транзистора
-
SILICON
Код JESD-609
-
e3
Безоловая кодировка
-
yes
Количество выводов
-
8
Код ECCN
-
EAR99
Конечная обработка контакта
-
Matte Tin (Sn)
Дополнительная Характеристика
-
HIGH RELIABILITY
Максимальная потеря мощности
-
2.5W
Положение терминала
-
DUAL
Форма вывода
-
GULL WING
Температура пайки (пиковая) (°C)
-
260
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)
-
40
Число контактов
-
8
Каналов количество
-
2
Режим работы
-
ENHANCEMENT MODE
Применение транзистора
-
SWITCHING
Полярность/Тип канала
-
N-CHANNEL AND P-CHANNEL
Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)
-
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
REACH SVHC
-
No SVHC