Все продукты
Войти
Место отправки: 
Китай
IRF7421D1TRPBF Альтернативные части: DMC3032LSD-13 ,IRF9410TRPBF
IRF7421D1TRPBFInfineon Technologies
В наличии: 1340
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.
Количество
Цена за единицу
Итоговая цена
1
55.648132 ₽
55.63 ₽
10
52.498255 ₽
525.00 ₽
100
49.526648 ₽
4,952.61 ₽
500
46.723228 ₽
23,361.68 ₽
1000
44.078503 ₽
44,078.57 ₽
Цена за единицу: 55.648132 ₽
Итоговая цена: 55.63 ₽
Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.
Скрыть общие атрибуты | |||
Производитель: | |||
Описание: | MOSFET N-CH 30V 5.8A 8-SOIC | MOSFET N/P-CH 30V 8.1A/7A 8SOP | MOSFET N-CH 30V 7A 8-SOIC |
Монтаж | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
Вид крепления | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
Корпус / Кейс | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) |
Количество контактов | 8 | 8 | 8 |
Поставщик упаковки устройства | 8-SO | - | - |
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C | 5.8A Ta | 8.1A 7A | 7A Ta |
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On) | 4.5V 10V | - | 4.5V 10V |
Количество элементов | 1 | 2 | 1 |
Максимальная мощность рассеяния | 2W Ta | - | 2.5W Ta |
Время отключения | 20 ns | 50.1 ns | 23 ns |
Рабочая температура | -55°C~150°C TJ | -55°C~150°C TJ | -55°C~150°C TJ |
Пакетирование | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
Серия | FETKY™ | - | HEXFET® |
Опубликовано | 2004 | 2010 | 2004 |
Состояние изделия | Obsolete | Active | Not For New Designs |
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) |
Сопротивление | 35MOhm | - | 30mOhm |
Максимальная рабочая температура | 150°C | - | - |
Минимальная температура работы | -55°C | - | - |
Ток постоянного напряжения - номинальный | 30V | - | 30V |
Моментальный ток | 5.8A | - | 7A |
Распад мощности | 2W | - | 2.5W |
Время задержки включения | 6.7 ns | 10.1 ns | 7.3 ns |
Тип ТРВ | N-Channel | N and P-Channel | N-Channel |
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs | 35mOhm @ 4.1A, 10V | 32m Ω @ 7A, 10V | 30m Ω @ 7A, 10V |
Втс(th) (Макс) @ Id | 1V @ 250μA | 2.1V @ 250μA | 1V @ 250μA |
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds | 510pF @ 25V | 404.5pF @ 15V | 550pF @ 25V |
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs | 27nC @ 10V | 9.2nC @ 10V | 27nC @ 10V |
Время подъема | 27ns | 6.5ns | 7.3ns |
Напряжение стока-исток (Vdss) | 30V | 30V | - |
Угол настройки (макс.) | ±20V | - | ±20V |
Время падения (тип) | 16 ns | 22.2 ns | 17 ns |
Непрерывный ток стока (ID) | 5.8A | 7A | 7A |
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs) | 20V | 20V | 20V |
Напряжение пробоя стока к истоку | 30V | -30V | 30V |
Входной ёмкости | 510pF | - | - |
Характеристика ТРП | Schottky Diode (Isolated) | Logic Level Gate | - |
Сопротивление стока к истоку | 60mOhm | - | - |
Rds на макс. | 35 mΩ | - | - |
Высота | 1.4986mm | - | 1.4986mm |
Длина | 4.9784mm | - | 4.9784mm |
Ширина | 3.9878mm | - | 3.9878mm |
Корпусировка на излучение | No | No | No |
Состояние RoHS | RoHS Compliant | ROHS3 Compliant | ROHS3 Compliant |
Без свинца | Lead Free | - | Contains Lead, Lead Free |
Срок поставки от производителя | - | 15 Weeks | 12 Weeks |
Вес | - | 73.992255mg | - |
Материал элемента транзистора | - | SILICON | SILICON |
Код JESD-609 | - | e3 | e3 |
Безоловая кодировка | - | yes | - |
Количество выводов | - | 8 | 8 |
Код ECCN | - | EAR99 | EAR99 |
Конечная обработка контакта | - | Matte Tin (Sn) | Matte Tin (Sn) |
Дополнительная Характеристика | - | HIGH RELIABILITY | AVALANCHE RATED, ULTRA LOW RESISTANCE |
Максимальная потеря мощности | - | 2.5W | - |
Положение терминала | - | DUAL | DUAL |
Форма вывода | - | GULL WING | GULL WING |
Температура пайки (пиковая) (°C) | - | 260 | - |
Время@Максимальная температура пайки-пик (с) | - | 40 | - |
Число контактов | - | 8 | - |
Каналов количество | - | 2 | - |
Режим работы | - | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE |
Применение транзистора | - | SWITCHING | SWITCHING |
Полярность/Тип канала | - | N-CHANNEL AND P-CHANNEL | - |
Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток) | - | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | - |
REACH SVHC | - | No SVHC | No SVHC |
Интервал строк | - | - | 6.3 mm |
Конфигурация элемента | - | - | Single |
Пороговое напряжение | - | - | 1V |
Двухпитание напряжения | - | - | 30V |
Рейтинг энергии лавины (Eas) | - | - | 70 mJ |
Номинальное Vgs | - | - | 1 V |
Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные Смежные части
| Наименование | Артикул | Производитель | Категория | Упаковка | Описание | Для сравнения |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | DMC3032LSD-13 | Diodes Incorporated | Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET N/P-CH 30V 8.1A/7A 8SOP | Для сравнения |
 | IRF9410TRPBF | Infineon Technologies | Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET N-CH 30V 7A 8-SOIC | Для сравнения |
| DMC3028LSD-13 | Diodes Incorporated | Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET N/P-CH 30V 6.6A/6.8A 8SO | Для сравнения |
 | IRF7603TRPBF | Infineon Technologies | Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные | 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118, 3.00mm Width) | MOSFET N-CH 30V 5.6A MICRO8 | Для сравнения |