IRF7324TRPBFInfineon Technologies
В наличии: 14853
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.
Количество
Цена за единицу
Итоговая цена
1
103.653846 ₽
103.71 ₽
10
97.786648 ₽
977.88 ₽
100
92.251552 ₽
9,225.14 ₽
500
87.029766 ₽
43,514.84 ₽
1000
82.103558 ₽
82,103.57 ₽
Цена за единицу: 103.653846 ₽
Итоговая цена: 103.71 ₽
Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.
Скрыть общие атрибуты | ||
Производитель: | ||
Описание: | MOSFET 2P-CH 20V 9A 8-SOIC | MOSFET 2N-CH 20V 9.4A 8SOIC |
Срок поставки от производителя | 12 Weeks | - |
Монтаж | Surface Mount | Surface Mount |
Вид крепления | Surface Mount | - |
Корпус / Кейс | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | SOIC |
Количество контактов | 8 | 8 |
Материал элемента транзистора | SILICON | - |
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C | 9A | - |
Количество элементов | 2 | 2 |
Время отключения | 170 ns | 34 ns |
Рабочая температура | -55°C~150°C TJ | - |
Пакетирование | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
Серия | HEXFET® | - |
Опубликовано | 2004 | - |
Код JESD-609 | e3 | - |
Состояние изделия | Active | Active |
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) |
Количество выводов | 8 | 8 |
Код ECCN | EAR99 | - |
Сопротивление | 18mOhm | - |
Конечная обработка контакта | Matte Tin (Sn) | - |
Дополнительная Характеристика | HIGH RELIABILITY | - |
Ток постоянного напряжения - номинальный | -20V | - |
Максимальная потеря мощности | 2W | 900mW |
Форма вывода | GULL WING | GULL WING |
Температура пайки (пиковая) (°C) | 260 | - |
Моментальный ток | -9A | - |
Время@Максимальная температура пайки-пик (с) | 30 | - |
Основной номер части | IRF7324PBF | - |
Конфигурация элемента | Dual | Dual |
Режим работы | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE |
Распад мощности | 2W | 2W |
Время задержки включения | 17 ns | 10 ns |
Тип ТРВ | 2 P-Channel (Dual) | - |
Применение транзистора | SWITCHING | SWITCHING |
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs | 18m Ω @ 9A, 4.5V | - |
Втс(th) (Макс) @ Id | 1V @ 250μA | - |
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds | 2940pF @ 15V | - |
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs | 63nC @ 5V | - |
Время подъема | 36ns | 15ns |
Напряжение стока-исток (Vdss) | 20V | 20V |
Время падения (тип) | 190 ns | 16 ns |
Непрерывный ток стока (ID) | -9A | 9.4A |
Пороговое напряжение | -1V | - |
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs) | 12V | 12V |
Максимальный сливовой ток (ID) | 9A | - |
Напряжение пробоя стока к истоку | -20V | - |
Максимальный импульсный ток вывода | 71A | - |
Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток) | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
Время восстановления | 270 ns | - |
Максимальная температура перехода (Тj) | 150°C | - |
Характеристика ТРП | Logic Level Gate | - |
Высота | 1.75mm | - |
Длина | 4.9784mm | - |
Ширина | 3.9878mm | - |
REACH SVHC | No SVHC | - |
Корпусировка на излучение | No | No |
Состояние RoHS | ROHS3 Compliant | ROHS3 Compliant |
Без свинца | Contains Lead, Lead Free | Lead Free |
Состояние жизненного цикла | - | ACTIVE (Last Updated: 1 day ago) |
Покрытие контактов | - | Tin |
Вес | - | 230.4mg |
Безоловая кодировка | - | yes |
Максимальная рабочая температура | - | 150°C |
Минимальная температура работы | - | -55°C |
Полярность/Тип канала | - | N-CHANNEL |
Сопротивление открытого канала-макс | - | 0.014Ohm |
Входной ёмкости | - | 1.821nF |
Rds на макс. | - | 14 mΩ |