IRF7324TRPBF Альтернативные части: FDS6898A

IRF7324TRPBFInfineon Technologies

В наличии: 14853

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

1
103.653846 ₽
103.71 ₽
10
97.786648 ₽
977.88 ₽
100
92.251552 ₽
9,225.14 ₽
500
87.029766 ₽
43,514.84 ₽
1000
82.103558 ₽
82,103.57 ₽

Цена за единицу: 103.653846 ₽

Итоговая цена: 103.71 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты	иIRF7324TRPBF	иFDS6898A
Производитель:	Infineon Technologies	ON Semiconductor
Описание:	MOSFET 2P-CH 20V 9A 8-SOIC	ON SEMICONDUCTOR - FDS6898A - DUAL N CHANNEL MOSFET, 20V, SOIC
Срок поставки от производителя	12 Weeks	10 Weeks
Монтаж	Surface Mount	Surface Mount
Вид крепления	Surface Mount	Surface Mount
Корпус / Кейс	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
Количество контактов	8	8
Материал элемента транзистора	SILICON	SILICON
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C	9A	-
Количество элементов	2	2
Время отключения	170 ns	34 ns
Рабочая температура	-55°C~150°C TJ	-55°C~150°C TJ
Пакетирование	Tape & Reel (TR)	Tape & Reel (TR)
Серия	HEXFET®	PowerTrench®
Опубликовано	2004	2017
Код JESD-609	e3	e3
Состояние изделия	Active	Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)
Количество выводов	8	8
Код ECCN	EAR99	EAR99
Сопротивление	18mOhm	14MOhm
Конечная обработка контакта	Matte Tin (Sn)	-
Дополнительная Характеристика	HIGH RELIABILITY	-
Ток постоянного напряжения - номинальный	-20V	20V
Максимальная потеря мощности	2W	2W
Форма вывода	GULL WING	GULL WING
Температура пайки (пиковая) (°C)	260	-
Моментальный ток	-9A	9.4A
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)	30	-
Основной номер части	IRF7324PBF	-
Конфигурация элемента	Dual	Dual
Режим работы	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE
Распад мощности	2W	2W
Время задержки включения	17 ns	10 ns
Тип ТРВ	2 P-Channel (Dual)	2 N-Channel (Dual)
Применение транзистора	SWITCHING	SWITCHING
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs	18m Ω @ 9A, 4.5V	14m Ω @ 9.4A, 4.5V
Втс(th) (Макс) @ Id	1V @ 250μA	1.5V @ 250μA
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds	2940pF @ 15V	1821pF @ 10V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs	63nC @ 5V	23nC @ 4.5V
Время подъема	36ns	15ns
Напряжение стока-исток (Vdss)	20V	-
Время падения (тип)	190 ns	16 ns
Непрерывный ток стока (ID)	-9A	9.4A
Пороговое напряжение	-1V	500mV
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)	12V	12V
Максимальный сливовой ток (ID)	9A	-
Напряжение пробоя стока к истоку	-20V	20V
Максимальный импульсный ток вывода	71A	-
Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Время восстановления	270 ns	-
Максимальная температура перехода (Тj)	150°C	150°C
Характеристика ТРП	Logic Level Gate	Logic Level Gate
Высота	1.75mm	1.75mm
Длина	4.9784mm	5mm
Ширина	3.9878mm	4mm
REACH SVHC	No SVHC	No SVHC
Корпусировка на излучение	No	No
Состояние RoHS	ROHS3 Compliant	ROHS3 Compliant
Без свинца	Contains Lead, Lead Free	Lead Free
Состояние жизненного цикла	-	ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
Покрытие контактов	-	Tin
Вес	-	187mg
Безоловая кодировка	-	yes
Завершение	-	SMD/SMT
Каналов количество	-	2
Мощность - Макс	-	900mW
Двухпитание напряжения	-	20V
Номинальное Vgs	-	1 V

Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы Смежные части

Артикул	Производитель	Категория	Упаковка	Описание	Для сравнения
FDS6898AZ	ON Semiconductor	Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)	MOSFET 2N-CH 20V 9.4A 8SOIC	Для сравнения
FDS6898A	ON Semiconductor	Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)	ON SEMICONDUCTOR - FDS6898A - DUAL N CHANNEL MOSFET, 20V, SOIC	Для сравнения
FDS6898AZ-F085	ON Semiconductor	Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы	SOIC	MOSFET 2N-CH 20V 9.4A 8SOIC	Для сравнения
SI9926CDY-T1-GE3	Vishay Siliconix	Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)	Dual N-Channel 20 V 0.018 Ohm 3.1 W Surface Mount Power Mosfet - SOIC-8	Для сравнения