IRF7324TRPBF Альтернативные части: FDS6898AZ

IRF7324TRPBFInfineon Technologies

В наличии: 14853

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

1
103.653846 ₽
103.71 ₽
10
97.786648 ₽
977.88 ₽
100
92.251552 ₽
9,225.14 ₽
500
87.029766 ₽
43,514.84 ₽
1000
82.103558 ₽
82,103.57 ₽

Цена за единицу: 103.653846 ₽

Итоговая цена: 103.71 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты	иIRF7324TRPBF	иFDS6898AZ
Производитель:	Infineon Technologies	ON Semiconductor
Описание:	MOSFET 2P-CH 20V 9A 8-SOIC	MOSFET 2N-CH 20V 9.4A 8SOIC
Срок поставки от производителя	12 Weeks	10 Weeks
Монтаж	Surface Mount	Surface Mount
Вид крепления	Surface Mount	Surface Mount
Корпус / Кейс	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
Количество контактов	8	8
Материал элемента транзистора	SILICON	SILICON
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C	9A	-
Количество элементов	2	2
Время отключения	170 ns	34 ns
Рабочая температура	-55°C~150°C TJ	-55°C~150°C TJ
Пакетирование	Tape & Reel (TR)	Tape & Reel (TR)
Серия	HEXFET®	PowerTrench®
Опубликовано	2004	-
Код JESD-609	e3	e3
Состояние изделия	Active	Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)
Количество выводов	8	8
Код ECCN	EAR99	EAR99
Сопротивление	18mOhm	14MOhm
Конечная обработка контакта	Matte Tin (Sn)	-
Дополнительная Характеристика	HIGH RELIABILITY	ESD PROTECTED
Ток постоянного напряжения - номинальный	-20V	20V
Максимальная потеря мощности	2W	2W
Форма вывода	GULL WING	GULL WING
Температура пайки (пиковая) (°C)	260	NOT SPECIFIED
Моментальный ток	-9A	9.4A
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)	30	NOT SPECIFIED
Основной номер части	IRF7324PBF	-
Конфигурация элемента	Dual	Dual
Режим работы	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE
Распад мощности	2W	2W
Время задержки включения	17 ns	10 ns
Тип ТРВ	2 P-Channel (Dual)	2 N-Channel (Dual)
Применение транзистора	SWITCHING	SWITCHING
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs	18m Ω @ 9A, 4.5V	14m Ω @ 9.4A, 4.5V
Втс(th) (Макс) @ Id	1V @ 250μA	1.5V @ 250μA
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds	2940pF @ 15V	1821pF @ 10V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs	63nC @ 5V	23nC @ 4.5V
Время подъема	36ns	15ns
Напряжение стока-исток (Vdss)	20V	-
Время падения (тип)	190 ns	16 ns
Непрерывный ток стока (ID)	-9A	9.4A
Пороговое напряжение	-1V	1V
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)	12V	12V
Максимальный сливовой ток (ID)	9A	-
Напряжение пробоя стока к истоку	-20V	20V
Максимальный импульсный ток вывода	71A	-
Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Время восстановления	270 ns	-
Максимальная температура перехода (Тj)	150°C	-
Характеристика ТРП	Logic Level Gate	Logic Level Gate
Высота	1.75mm	1.5mm
Длина	4.9784mm	5mm
Ширина	3.9878mm	4mm
REACH SVHC	No SVHC	No SVHC
Корпусировка на излучение	No	-
Состояние RoHS	ROHS3 Compliant	ROHS3 Compliant
Без свинца	Contains Lead, Lead Free	Lead Free
Состояние жизненного цикла	-	ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
Покрытие контактов	-	Tin
Вес	-	187mg
Безоловая кодировка	-	yes
Завершение	-	SMD/SMT
Квалификационный Статус	-	Not Qualified
Мощность - Макс	-	900mW
Двухпитание напряжения	-	20V
Номинальное Vgs	-	1 V

Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы Смежные части

Артикул	Производитель	Категория	Упаковка	Описание	Для сравнения
FDS6898AZ	ON Semiconductor	Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)	MOSFET 2N-CH 20V 9.4A 8SOIC	Для сравнения
FDS6898A	ON Semiconductor	Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)	ON SEMICONDUCTOR - FDS6898A - DUAL N CHANNEL MOSFET, 20V, SOIC	Для сравнения
FDS6898AZ-F085	ON Semiconductor	Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы	SOIC	MOSFET 2N-CH 20V 9.4A 8SOIC	Для сравнения
SI9926CDY-T1-GE3	Vishay Siliconix	Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)	Dual N-Channel 20 V 0.018 Ohm 3.1 W Surface Mount Power Mosfet - SOIC-8	Для сравнения