HGTD3N60C3S9A Альтернативные части: STGD3NB60FT4 ,FGD3N60UNDF

HGTD3N60C3S9AON Semiconductor

В наличии: 5519

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

1
49.137019 ₽
49.18 ₽
10
46.355659 ₽
463.60 ₽
100
43.731758 ₽
4,373.21 ₽
500
41.256374 ₽
20,628.16 ₽
1000
38.921071 ₽
38,921.02 ₽

Цена за единицу: 49.137019 ₽

Итоговая цена: 49.18 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты	иHGTD3N60C3S9A	иSTGD3NB60FT4	иFGD3N60UNDF
Производитель:	ON Semiconductor	STMicroelectronics	ON Semiconductor
Описание:	IGBT 600V 6A 33W TO252AA	IGBT 600V 6A 60W DPAK	IGBT Transistors 600V, 3A Short Circuit Rated IGBT
Монтаж	Surface Mount	Surface Mount	Surface Mount
Вид крепления	Surface Mount	Surface Mount	Surface Mount
Корпус / Кейс	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Количество контактов	3	3	3
Диэлектрический пробой напряжение	600V	600V	600V
Условия испытания	480V, 3A, 82 Ω, 15V	480V, 3A, 10 Ω, 15V	400V, 3A, 10 Ω, 15V
Рабочая температура	-40°C~150°C TJ	150°C TJ	-55°C~150°C TJ
Пакетирование	Tape & Reel (TR)	Tape & Reel (TR)	Cut Tape (CT)
Состояние изделия	Obsolete	Obsolete	Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)
Ток постоянного напряжения - номинальный	600V	600V	-
Максимальная потеря мощности	33W	60W	60W
Моментальный ток	6A	3A	-
Конфигурация элемента	Single	Single	Single
Распад мощности	33W	60W	60W
Входной тип	Standard	Standard	Standard
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)	600V	2.4V	600V
Максимальный ток сбора	6A	6A	6A
Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic	2V @ 15V, 3A	2.4V @ 15V, 3A	2.52V @ 15V, 3A
Зарядная мощность	10.8nC	16nC	1.6nC
Ток-эmitter импульсированный (Icm)	24A	24A	9A
Переключаемый энергопотребление	85μJ (on), 245μJ (off)	125μJ (off)	52μJ (on), 30μJ (off)
Состояние RoHS	RoHS Compliant	Non-RoHS Compliant	ROHS3 Compliant
Без свинца	Lead Free	-	Lead Free
Материал элемента транзистора	-	SILICON	SILICON
Количество элементов	-	1	1
Серия	-	PowerMESH™	-
Код JESD-609	-	e0	e3
Количество выводов	-	2	2
Конечная обработка контакта	-	TIN LEAD	Tin (Sn)
Форма вывода	-	GULL WING	GULL WING
Температура пайки (пиковая) (°C)	-	NOT SPECIFIED	-
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)	-	NOT SPECIFIED	-
Основной номер части	-	STGD3	FGD3N60
Число контактов	-	3	-
Код JESD-30	-	R-PSSO-G2	R-PSSO-G2
Квалификационный Статус	-	Not Qualified	-
Применение транзистора	-	MOTOR CONTROL	MOTOR CONTROL
Полярность/Тип канала	-	N-CHANNEL	N-CHANNEL
Время обратной рекомпенсации	-	45ns	21ns
Код JEDEC-95	-	TO-252AA	-
Максимальное напряжение разрушения	-	600V	600V
Время включения	-	16.5 ns	7.4 ns
Время выключения (toff)	-	535 ns	146 ns
Тд (вкл/выкл) @ 25°C	-	12.5ns/105ns	5.5ns/22ns
Напряжение затвор-эмиттер (макс.)	-	20V	20V
Максимальное напряжение на переходе ГЭ	-	5V	8.5V
Состояние жизненного цикла	-	-	ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)
Срок поставки от производителя	-	-	7 Weeks
Вес	-	-	260.37mg
Опубликовано	-	-	2013
Безоловая кодировка	-	-	yes
Код ECCN	-	-	EAR99
Код ТН ВЭД	-	-	8541.29.00.95
Сокетная связка	-	-	COLLECTOR
Тип ИGBT	-	-	NPT
Высота	-	-	2.3mm
Длина	-	-	6.6mm
Ширина	-	-	6.1mm
Корпусировка на излучение	-	-	No

Транзисторы - IGBT - Одиночные Смежные части

Артикул	Производитель	Категория	Упаковка	Описание	Для сравнения
STGD3NB60FT4	STMicroelectronics	Транзисторы - IGBT - Одиночные	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	IGBT 600V 6A 60W DPAK	Для сравнения
FGD3N60UNDF	ON Semiconductor	Транзисторы - IGBT - Одиночные	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	IGBT Transistors 600V, 3A Short Circuit Rated IGBT	Для сравнения
SGR6N60UFTF	ON Semiconductor	Транзисторы - IGBT - Одиночные	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	IGBT 600V 6A 30W DPAK	Для сравнения
SGR6N60UFTM	ON Semiconductor	Транзисторы - IGBT - Одиночные	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	IGBT 600V 6A 30W DPAK	Для сравнения