HGTD3N60C3S9AON Semiconductor
В наличии: 5519
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.
Количество
Цена за единицу
Итоговая цена
1
49.137019 ₽
49.18 ₽
10
46.355659 ₽
463.60 ₽
100
43.731758 ₽
4,373.21 ₽
500
41.256374 ₽
20,628.16 ₽
1000
38.921071 ₽
38,921.02 ₽
Цена за единицу: 49.137019 ₽
Итоговая цена: 49.18 ₽
Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.
Скрыть общие атрибуты | ||
Производитель: | ||
Описание: | IGBT 600V 6A 33W TO252AA | IGBT 600V 6A 30W DPAK |
Монтаж | Surface Mount | Surface Mount |
Вид крепления | Surface Mount | Surface Mount |
Корпус / Кейс | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Количество контактов | 3 | 3 |
Диэлектрический пробой напряжение | 600V | 600V |
Условия испытания | 480V, 3A, 82 Ω, 15V | 300V, 3A, 80 Ω, 15V |
Рабочая температура | -40°C~150°C TJ | -55°C~150°C TJ |
Пакетирование | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
Состояние изделия | Obsolete | Obsolete |
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) |
Ток постоянного напряжения - номинальный | 600V | 600V |
Максимальная потеря мощности | 33W | 30W |
Моментальный ток | 6A | 3A |
Конфигурация элемента | Single | Single |
Распад мощности | 33W | 30W |
Входной тип | Standard | Standard |
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO) | 600V | 600V |
Максимальный ток сбора | 6A | 6A |
Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic | 2V @ 15V, 3A | 2.6V @ 15V, 3A |
Зарядная мощность | 10.8nC | 15nC |
Ток-эmitter импульсированный (Icm) | 24A | 25A |
Переключаемый энергопотребление | 85μJ (on), 245μJ (off) | 57μJ (on), 25μJ (off) |
Состояние RoHS | RoHS Compliant | RoHS Compliant |
Без свинца | Lead Free | Lead Free |
Вес | - | 260.37mg |
Основной номер части | - | SG*6N60 |
Тд (вкл/выкл) @ 25°C | - | 15ns/60ns |