Все продукты
Войти
Место отправки: 
Китай
HGTD3N60C3S9A Альтернативные части: FGD3N60UNDF
HGTD3N60C3S9AON Semiconductor
В наличии: 5519
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.
Количество
Цена за единицу
Итоговая цена
1
49.137019 ₽
49.18 ₽
10
46.355659 ₽
463.60 ₽
100
43.731758 ₽
4,373.21 ₽
500
41.256374 ₽
20,628.16 ₽
1000
38.921071 ₽
38,921.02 ₽
Цена за единицу: 49.137019 ₽
Итоговая цена: 49.18 ₽
Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.
Скрыть общие атрибуты | ||
Производитель: | ||
Описание: | IGBT 600V 6A 33W TO252AA | IGBT Transistors 600V, 3A Short Circuit Rated IGBT |
Монтаж | Surface Mount | Surface Mount |
Вид крепления | Surface Mount | Surface Mount |
Корпус / Кейс | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Количество контактов | 3 | 3 |
Диэлектрический пробой напряжение | 600V | 600V |
Условия испытания | 480V, 3A, 82 Ω, 15V | 400V, 3A, 10 Ω, 15V |
Рабочая температура | -40°C~150°C TJ | -55°C~150°C TJ |
Пакетирование | Tape & Reel (TR) | Cut Tape (CT) |
Состояние изделия | Obsolete | Active |
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) |
Ток постоянного напряжения - номинальный | 600V | - |
Максимальная потеря мощности | 33W | 60W |
Моментальный ток | 6A | - |
Конфигурация элемента | Single | Single |
Распад мощности | 33W | 60W |
Входной тип | Standard | Standard |
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO) | 600V | 600V |
Максимальный ток сбора | 6A | 6A |
Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic | 2V @ 15V, 3A | 2.52V @ 15V, 3A |
Зарядная мощность | 10.8nC | 1.6nC |
Ток-эmitter импульсированный (Icm) | 24A | 9A |
Переключаемый энергопотребление | 85μJ (on), 245μJ (off) | 52μJ (on), 30μJ (off) |
Состояние RoHS | RoHS Compliant | ROHS3 Compliant |
Без свинца | Lead Free | Lead Free |
Состояние жизненного цикла | - | ACTIVE (Last Updated: 4 days ago) |
Срок поставки от производителя | - | 7 Weeks |
Вес | - | 260.37mg |
Материал элемента транзистора | - | SILICON |
Количество элементов | - | 1 |
Опубликовано | - | 2013 |
Код JESD-609 | - | e3 |
Безоловая кодировка | - | yes |
Количество выводов | - | 2 |
Код ECCN | - | EAR99 |
Конечная обработка контакта | - | Tin (Sn) |
Код ТН ВЭД | - | 8541.29.00.95 |
Форма вывода | - | GULL WING |
Основной номер части | - | FGD3N60 |
Код JESD-30 | - | R-PSSO-G2 |
Сокетная связка | - | COLLECTOR |
Применение транзистора | - | MOTOR CONTROL |
Полярность/Тип канала | - | N-CHANNEL |
Время обратной рекомпенсации | - | 21ns |
Максимальное напряжение разрушения | - | 600V |
Время включения | - | 7.4 ns |
Время выключения (toff) | - | 146 ns |
Тип ИGBT | - | NPT |
Тд (вкл/выкл) @ 25°C | - | 5.5ns/22ns |
Напряжение затвор-эмиттер (макс.) | - | 20V |
Максимальное напряжение на переходе ГЭ | - | 8.5V |
Высота | - | 2.3mm |
Длина | - | 6.6mm |
Ширина | - | 6.1mm |
Корпусировка на излучение | - | No |
Транзисторы - IGBT - Одиночные Смежные части
| Наименование | Артикул | Производитель | Категория | Упаковка | Описание | Для сравнения |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | STGD3NB60FT4 | STMicroelectronics | Транзисторы - IGBT - Одиночные | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | IGBT 600V 6A 60W DPAK | Для сравнения |
 | FGD3N60UNDF | ON Semiconductor | Транзисторы - IGBT - Одиночные | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | IGBT Transistors 600V, 3A Short Circuit Rated IGBT | Для сравнения |
| SGR6N60UFTF | ON Semiconductor | Транзисторы - IGBT - Одиночные | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | IGBT 600V 6A 30W DPAK | Для сравнения |
| SGR6N60UFTM | ON Semiconductor | Транзисторы - IGBT - Одиночные | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | IGBT 600V 6A 30W DPAK | Для сравнения |