HGTD3N60C3S9A Альтернативные части: FGD3N60UNDF ,SGR6N60UFTF

HGTD3N60C3S9AON Semiconductor

  • HGTD3N60C3S9AON Semiconductor
  • FGD3N60UNDFON Semiconductor
  • SGR6N60UFTFON Semiconductor

В наличии: 5519

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

  • 1

    49.137019 ₽

    49.18 ₽

  • 10

    46.355659 ₽

    463.60 ₽

  • 100

    43.731758 ₽

    4,373.21 ₽

  • 500

    41.256374 ₽

    20,628.16 ₽

  • 1000

    38.921071 ₽

    38,921.02 ₽

Цена за единицу: 49.137019 ₽

Итоговая цена: 49.18 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты
Производитель:
Описание:
IGBT 600V 6A 33W TO252AA
IGBT Transistors 600V, 3A Short Circuit Rated IGBT
IGBT 600V 6A 30W DPAK
Монтаж
Surface Mount
Surface Mount
Surface Mount
Вид крепления
Surface Mount
Surface Mount
Surface Mount
Корпус / Кейс
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Количество контактов
3
3
3
Диэлектрический пробой напряжение
600V
600V
600V
Условия испытания
480V, 3A, 82 Ω, 15V
400V, 3A, 10 Ω, 15V
300V, 3A, 80 Ω, 15V
Рабочая температура
-40°C~150°C TJ
-55°C~150°C TJ
-55°C~150°C TJ
Пакетирование
Tape & Reel (TR)
Cut Tape (CT)
Tape & Reel (TR)
Состояние изделия
Obsolete
Active
Obsolete
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)
1 (Unlimited)
1 (Unlimited)
1 (Unlimited)
Ток постоянного напряжения - номинальный
600V
-
600V
Максимальная потеря мощности
33W
60W
30W
Моментальный ток
6A
-
3A
Конфигурация элемента
Single
Single
Single
Распад мощности
33W
60W
30W
Входной тип
Standard
Standard
Standard
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)
600V
600V
600V
Максимальный ток сбора
6A
6A
6A
Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic
2V @ 15V, 3A
2.52V @ 15V, 3A
2.6V @ 15V, 3A
Зарядная мощность
10.8nC
1.6nC
15nC
Ток-эmitter импульсированный (Icm)
24A
9A
25A
Переключаемый энергопотребление
85μJ (on), 245μJ (off)
52μJ (on), 30μJ (off)
57μJ (on), 25μJ (off)
Состояние RoHS
RoHS Compliant
ROHS3 Compliant
RoHS Compliant
Без свинца
Lead Free
Lead Free
Lead Free
Состояние жизненного цикла
-
ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)
-
Срок поставки от производителя
-
7 Weeks
-
Вес
-
260.37mg
-
Материал элемента транзистора
-
SILICON
-
Количество элементов
-
1
-
Опубликовано
-
2013
-
Код JESD-609
-
e3
-
Безоловая кодировка
-
yes
-
Количество выводов
-
2
-
Код ECCN
-
EAR99
-
Конечная обработка контакта
-
Tin (Sn)
-
Код ТН ВЭД
-
8541.29.00.95
-
Форма вывода
-
GULL WING
-
Основной номер части
-
FGD3N60
SG*6N60
Код JESD-30
-
R-PSSO-G2
-
Сокетная связка
-
COLLECTOR
-
Применение транзистора
-
MOTOR CONTROL
-
Полярность/Тип канала
-
N-CHANNEL
-
Время обратной рекомпенсации
-
21ns
-
Максимальное напряжение разрушения
-
600V
-
Время включения
-
7.4 ns
-
Время выключения (toff)
-
146 ns
-
Тип ИGBT
-
NPT
-
Тд (вкл/выкл) @ 25°C
-
5.5ns/22ns
15ns/60ns
Напряжение затвор-эмиттер (макс.)
-
20V
-
Максимальное напряжение на переходе ГЭ
-
8.5V
-
Высота
-
2.3mm
-
Длина
-
6.6mm
-
Ширина
-
6.1mm
-
Корпусировка на излучение
-
No
-