FMB2222A Альтернативные части: FMB3946 ,DMG264H00R

FMB2222AON Semiconductor

  • FMB2222AON Semiconductor
  • FMB3946ON Semiconductor
  • DMG264H00RPanasonic Electronic Components

В наличии: 49230

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

  • 1

    46.053626 ₽

    46.02 ₽

  • 10

    43.446799 ₽

    434.48 ₽

  • 100

    40.987541 ₽

    4,098.76 ₽

  • 500

    38.667486 ₽

    19,333.79 ₽

  • 1000

    36.478791 ₽

    36,478.85 ₽

Цена за единицу: 46.053626 ₽

Итоговая цена: 46.02 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты
Производитель:
Описание:
FMB2222A...-
Trans GP BJT NPN/PNP 40V 0.2A 6-Pin SuperSOT T/R
Bipolar Transistors - Pre-Biased COMPOSITE TRANSISTOR GL WNG 2.9x2.8mm
Состояние жизненного цикла
ACTIVE (Last Updated: 5 days ago)
ACTIVE (Last Updated: 5 days ago)
-
Срок поставки от производителя
6 Weeks
5 Weeks
10 Weeks
Монтаж
Surface Mount
Surface Mount
Surface Mount
Вид крепления
Surface Mount
Surface Mount
Surface Mount
Корпус / Кейс
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
SOT-23-6
Количество контактов
6
6
6
Вес
36mg
36mg
-
Материал элемента транзистора
SILICON
SILICON
SILICON
Диэлектрический пробой напряжение
40V
40V
50V
Количество элементов
2
2
2
Минимальная частота работы в герцах
100
100
-
Рабочая температура
-55°C~150°C TJ
-55°C~150°C TJ
-
Пакетирование
Tape & Reel (TR)
Tape & Reel (TR)
Tape & Reel (TR)
Опубликовано
2000
2013
2010
Код JESD-609
e3
e3
-
Безоловая кодировка
yes
yes
-
Состояние изделия
Active
Active
Discontinued
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)
1 (Unlimited)
1 (Unlimited)
1 (Unlimited)
Количество выводов
6
6
6
Завершение
SMD/SMT
-
-
Код ECCN
EAR99
EAR99
EAR99
Конечная обработка контакта
Tin (Sn)
Tin (Sn)
-
Ток постоянного напряжения - номинальный
40V
-
-
Максимальная потеря мощности
700mW
700mW
300mW
Форма вывода
GULL WING
GULL WING
GULL WING
Моментальный ток
500mA
200mA
-
Частота
300MHz
200MHz
-
Основной номер части
FMB2222
FMB3946
DMG264H0
Направленность
NPN
NPN, PNP
NPN, PNP
Конфигурация элемента
Dual
Dual
Dual
Распад мощности
700mW
700mW
-
Применение транзистора
SWITCHING
SWITCHING
SWITCHING
Продуктивность полосы частот
300MHz
200MHz
-
Тип транзистора
2 NPN (Dual)
NPN, PNP
1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)
40V
40V
250mV
Максимальный ток сбора
500mA
200mA
500mA
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce
100 @ 150mA 10V
100 @ 10mA 1V
80 @ 5mA 10V / 50 @ 100mA 10V
Ток - отсечка коллектора (макс)
10nA ICBO
50nA ICBO
500nA 1μA
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic
1V @ 50mA, 500mA
250mV @ 1mA, 10mA
250mV @ 500μA, 10mA / 250mV @ 5mA, 100mA
Частота перехода
300MHz
200MHz
-
Максимальное напряжение разрушения
40V
40V
50V
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)
75V
40V
-
Напряжение эмиттер-база (VEBO)
5V
5V
-
Высота
1mm
1mm
-
Длина
3mm
3mm
-
Ширина
1.7mm
1.7mm
-
REACH SVHC
No SVHC
No SVHC
-
Корпусировка на излучение
No
No
-
Состояние RoHS
ROHS3 Compliant
ROHS3 Compliant
RoHS Compliant
Без свинца
Lead Free
Lead Free
-
Время выключения максимальное (toff)
-
190ns
-
Время включения максимальный (тон)
-
38ns
-
Максимальный коллекторный ток (Ic)
-
-
100mA 500mA
Максимальная рабочая температура
-
-
150°C
Дополнительная Характеристика
-
-
BUILT IN BIAS RESISITANCE RATIO 1
Код ТН ВЭД
-
-
8541.21.00.95
Температура пайки (пиковая) (°C)
-
-
NOT SPECIFIED
Код соответствия REACH
-
-
unknown
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)
-
-
NOT SPECIFIED
База (R1)
-
-
47k Ω, 4.7k Ω
Прямоходящий ток коллектора
-
-
-500mA
Резистор - Эмиттер-База (R2)
-
-
47k Ω, 4.7k Ω