FMB2222AON Semiconductor
В наличии: 49230
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.
Количество
Цена за единицу
Итоговая цена
1
46.053626 ₽
46.02 ₽
10
43.446799 ₽
434.48 ₽
100
40.987541 ₽
4,098.76 ₽
500
38.667486 ₽
19,333.79 ₽
1000
36.478791 ₽
36,478.85 ₽
Цена за единицу: 46.053626 ₽
Итоговая цена: 46.02 ₽
Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.
Скрыть общие атрибуты | |||
Производитель: | |||
Описание: | FMB2222A...- | Trans GP BJT NPN/PNP 40V 0.2A 6-Pin SuperSOT T/R | Bipolar Transistors - Pre-Biased COMPOSITE TRANSISTOR GL WNG 2.9x2.8mm |
Состояние жизненного цикла | ACTIVE (Last Updated: 5 days ago) | ACTIVE (Last Updated: 5 days ago) | - |
Срок поставки от производителя | 6 Weeks | 5 Weeks | 10 Weeks |
Монтаж | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
Вид крепления | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
Корпус / Кейс | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | SOT-23-6 |
Количество контактов | 6 | 6 | 6 |
Вес | 36mg | 36mg | - |
Материал элемента транзистора | SILICON | SILICON | SILICON |
Диэлектрический пробой напряжение | 40V | 40V | 50V |
Количество элементов | 2 | 2 | 2 |
Минимальная частота работы в герцах | 100 | 100 | - |
Рабочая температура | -55°C~150°C TJ | -55°C~150°C TJ | - |
Пакетирование | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
Опубликовано | 2000 | 2013 | 2010 |
Код JESD-609 | e3 | e3 | - |
Безоловая кодировка | yes | yes | - |
Состояние изделия | Active | Active | Discontinued |
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) |
Количество выводов | 6 | 6 | 6 |
Завершение | SMD/SMT | - | - |
Код ECCN | EAR99 | EAR99 | EAR99 |
Конечная обработка контакта | Tin (Sn) | Tin (Sn) | - |
Ток постоянного напряжения - номинальный | 40V | - | - |
Максимальная потеря мощности | 700mW | 700mW | 300mW |
Форма вывода | GULL WING | GULL WING | GULL WING |
Моментальный ток | 500mA | 200mA | - |
Частота | 300MHz | 200MHz | - |
Основной номер части | FMB2222 | FMB3946 | DMG264H0 |
Направленность | NPN | NPN, PNP | NPN, PNP |
Конфигурация элемента | Dual | Dual | Dual |
Распад мощности | 700mW | 700mW | - |
Применение транзистора | SWITCHING | SWITCHING | SWITCHING |
Продуктивность полосы частот | 300MHz | 200MHz | - |
Тип транзистора | 2 NPN (Dual) | NPN, PNP | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) |
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO) | 40V | 40V | 250mV |
Максимальный ток сбора | 500mA | 200mA | 500mA |
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce | 100 @ 150mA 10V | 100 @ 10mA 1V | 80 @ 5mA 10V / 50 @ 100mA 10V |
Ток - отсечка коллектора (макс) | 10nA ICBO | 50nA ICBO | 500nA 1μA |
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic | 1V @ 50mA, 500mA | 250mV @ 1mA, 10mA | 250mV @ 500μA, 10mA / 250mV @ 5mA, 100mA |
Частота перехода | 300MHz | 200MHz | - |
Максимальное напряжение разрушения | 40V | 40V | 50V |
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО) | 75V | 40V | - |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5V | 5V | - |
Высота | 1mm | 1mm | - |
Длина | 3mm | 3mm | - |
Ширина | 1.7mm | 1.7mm | - |
REACH SVHC | No SVHC | No SVHC | - |
Корпусировка на излучение | No | No | - |
Состояние RoHS | ROHS3 Compliant | ROHS3 Compliant | RoHS Compliant |
Без свинца | Lead Free | Lead Free | - |
Время выключения максимальное (toff) | - | 190ns | - |
Время включения максимальный (тон) | - | 38ns | - |
Максимальный коллекторный ток (Ic) | - | - | 100mA 500mA |
Максимальная рабочая температура | - | - | 150°C |
Дополнительная Характеристика | - | - | BUILT IN BIAS RESISITANCE RATIO 1 |
Код ТН ВЭД | - | - | 8541.21.00.95 |
Температура пайки (пиковая) (°C) | - | - | NOT SPECIFIED |
Код соответствия REACH | - | - | unknown |
Время@Максимальная температура пайки-пик (с) | - | - | NOT SPECIFIED |
База (R1) | - | - | 47k Ω, 4.7k Ω |
Прямоходящий ток коллектора | - | - | -500mA |
Резистор - Эмиттер-База (R2) | - | - | 47k Ω, 4.7k Ω |