FMB2222A Альтернативные части: FMB100

FMB2222AON Semiconductor

  • FMB2222AON Semiconductor
  • FMB100ON Semiconductor

В наличии: 49230

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

  • 1

    46.053626 ₽

    46.02 ₽

  • 10

    43.446799 ₽

    434.48 ₽

  • 100

    40.987541 ₽

    4,098.76 ₽

  • 500

    38.667486 ₽

    19,333.79 ₽

  • 1000

    36.478791 ₽

    36,478.85 ₽

Цена за единицу: 46.053626 ₽

Итоговая цена: 46.02 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты
Производитель:
Описание:
FMB2222A...-
Trans GP BJT NPN 45V 0.5A 6-Pin SuperSOT T/R
Состояние жизненного цикла
ACTIVE (Last Updated: 5 days ago)
LAST SHIPMENTS (Last Updated: 5 days ago)
Срок поставки от производителя
6 Weeks
-
Монтаж
Surface Mount
Surface Mount
Вид крепления
Surface Mount
Surface Mount
Корпус / Кейс
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Количество контактов
6
6
Вес
36mg
36mg
Материал элемента транзистора
SILICON
SILICON
Диэлектрический пробой напряжение
40V
45V
Количество элементов
2
2
Минимальная частота работы в герцах
100
100
Рабочая температура
-55°C~150°C TJ
-55°C~150°C TJ
Пакетирование
Tape & Reel (TR)
Tape & Reel (TR)
Опубликовано
2000
-
Код JESD-609
e3
e3
Безоловая кодировка
yes
yes
Состояние изделия
Active
Obsolete
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)
1 (Unlimited)
1 (Unlimited)
Количество выводов
6
6
Завершение
SMD/SMT
-
Код ECCN
EAR99
EAR99
Конечная обработка контакта
Tin (Sn)
Tin (Sn)
Ток постоянного напряжения - номинальный
40V
45V
Максимальная потеря мощности
700mW
700mW
Форма вывода
GULL WING
GULL WING
Моментальный ток
500mA
500mA
Частота
300MHz
300MHz
Основной номер части
FMB2222
FMB100
Направленность
NPN
-
Конфигурация элемента
Dual
Dual
Распад мощности
700mW
700mW
Применение транзистора
SWITCHING
AMPLIFIER
Продуктивность полосы частот
300MHz
300MHz
Тип транзистора
2 NPN (Dual)
NPN
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)
40V
45V
Максимальный ток сбора
500mA
500mA
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce
100 @ 150mA 10V
100 @ 150mA 5V
Ток - отсечка коллектора (макс)
10nA ICBO
50nA
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic
1V @ 50mA, 500mA
400mV @ 20mA, 200mA
Частота перехода
300MHz
300MHz
Максимальное напряжение разрушения
40V
45V
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)
75V
75V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)
5V
6V
Высота
1mm
-
Длина
3mm
-
Ширина
1.7mm
-
REACH SVHC
No SVHC
-
Корпусировка на излучение
No
No
Состояние RoHS
ROHS3 Compliant
RoHS Compliant
Без свинца
Lead Free
Lead Free
Полярность/Тип канала
-
NPN