FMB2222A Альтернативные части: FMB2227A

FMB2222AON Semiconductor

  • FMB2222AON Semiconductor
  • FMB2227AON Semiconductor

В наличии: 49230

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

  • 1

    46.053626 ₽

    46.02 ₽

  • 10

    43.446799 ₽

    434.48 ₽

  • 100

    40.987541 ₽

    4,098.76 ₽

  • 500

    38.667486 ₽

    19,333.79 ₽

  • 1000

    36.478791 ₽

    36,478.85 ₽

Цена за единицу: 46.053626 ₽

Итоговая цена: 46.02 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты
Производитель:
Описание:
FMB2222A...-
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FMB2227A. BIPOLAR TRANSISTOR, NPN & PNP 30V SSOT-6
Состояние жизненного цикла
ACTIVE (Last Updated: 5 days ago)
ACTIVE (Last Updated: 5 days ago)
Срок поставки от производителя
6 Weeks
4 Weeks
Монтаж
Surface Mount
Surface Mount
Вид крепления
Surface Mount
Surface Mount
Корпус / Кейс
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Количество контактов
6
6
Вес
36mg
36mg
Материал элемента транзистора
SILICON
SILICON
Диэлектрический пробой напряжение
40V
30V
Количество элементов
2
2
Минимальная частота работы в герцах
100
75
Рабочая температура
-55°C~150°C TJ
-55°C~150°C TJ
Пакетирование
Tape & Reel (TR)
Tape & Reel (TR)
Опубликовано
2000
-
Код JESD-609
e3
e3
Безоловая кодировка
yes
yes
Состояние изделия
Active
Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)
1 (Unlimited)
1 (Unlimited)
Количество выводов
6
6
Завершение
SMD/SMT
-
Код ECCN
EAR99
EAR99
Конечная обработка контакта
Tin (Sn)
Tin (Sn)
Ток постоянного напряжения - номинальный
40V
-
Максимальная потеря мощности
700mW
700mW
Форма вывода
GULL WING
GULL WING
Моментальный ток
500mA
500mA
Частота
300MHz
250MHz
Основной номер части
FMB2222
FMB2227
Направленность
NPN
NPN, PNP
Конфигурация элемента
Dual
Dual
Распад мощности
700mW
700mW
Применение транзистора
SWITCHING
SWITCHING
Продуктивность полосы частот
300MHz
250MHz
Тип транзистора
2 NPN (Dual)
NPN, PNP
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)
40V
30V
Максимальный ток сбора
500mA
500mA
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce
100 @ 150mA 10V
30 @ 300mA 10V
Ток - отсечка коллектора (макс)
10nA ICBO
30nA ICBO
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic
1V @ 50mA, 500mA
1.4V @ 30mA, 300mA
Частота перехода
300MHz
250MHz
Максимальное напряжение разрушения
40V
30V
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)
75V
60V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)
5V
5V
Высота
1mm
-
Длина
3mm
-
Ширина
1.7mm
-
REACH SVHC
No SVHC
No SVHC
Корпусировка на излучение
No
No
Состояние RoHS
ROHS3 Compliant
ROHS3 Compliant
Без свинца
Lead Free
Lead Free