FMB2222AON Semiconductor
В наличии: 49230
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.
Количество
Цена за единицу
Итоговая цена
1
46.053626 ₽
46.02 ₽
10
43.446799 ₽
434.48 ₽
100
40.987541 ₽
4,098.76 ₽
500
38.667486 ₽
19,333.79 ₽
1000
36.478791 ₽
36,478.85 ₽
Цена за единицу: 46.053626 ₽
Итоговая цена: 46.02 ₽
Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.
Скрыть общие атрибуты | ||
Производитель: | ||
Описание: | FMB2222A...- | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FMB2227A. BIPOLAR TRANSISTOR, NPN & PNP 30V SSOT-6 |
Состояние жизненного цикла | ACTIVE (Last Updated: 5 days ago) | ACTIVE (Last Updated: 5 days ago) |
Срок поставки от производителя | 6 Weeks | 4 Weeks |
Монтаж | Surface Mount | Surface Mount |
Вид крепления | Surface Mount | Surface Mount |
Корпус / Кейс | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
Количество контактов | 6 | 6 |
Вес | 36mg | 36mg |
Материал элемента транзистора | SILICON | SILICON |
Диэлектрический пробой напряжение | 40V | 30V |
Количество элементов | 2 | 2 |
Минимальная частота работы в герцах | 100 | 75 |
Рабочая температура | -55°C~150°C TJ | -55°C~150°C TJ |
Пакетирование | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
Опубликовано | 2000 | - |
Код JESD-609 | e3 | e3 |
Безоловая кодировка | yes | yes |
Состояние изделия | Active | Active |
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) |
Количество выводов | 6 | 6 |
Завершение | SMD/SMT | - |
Код ECCN | EAR99 | EAR99 |
Конечная обработка контакта | Tin (Sn) | Tin (Sn) |
Ток постоянного напряжения - номинальный | 40V | - |
Максимальная потеря мощности | 700mW | 700mW |
Форма вывода | GULL WING | GULL WING |
Моментальный ток | 500mA | 500mA |
Частота | 300MHz | 250MHz |
Основной номер части | FMB2222 | FMB2227 |
Направленность | NPN | NPN, PNP |
Конфигурация элемента | Dual | Dual |
Распад мощности | 700mW | 700mW |
Применение транзистора | SWITCHING | SWITCHING |
Продуктивность полосы частот | 300MHz | 250MHz |
Тип транзистора | 2 NPN (Dual) | NPN, PNP |
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO) | 40V | 30V |
Максимальный ток сбора | 500mA | 500mA |
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce | 100 @ 150mA 10V | 30 @ 300mA 10V |
Ток - отсечка коллектора (макс) | 10nA ICBO | 30nA ICBO |
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic | 1V @ 50mA, 500mA | 1.4V @ 30mA, 300mA |
Частота перехода | 300MHz | 250MHz |
Максимальное напряжение разрушения | 40V | 30V |
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО) | 75V | 60V |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5V | 5V |
Высота | 1mm | - |
Длина | 3mm | - |
Ширина | 1.7mm | - |
REACH SVHC | No SVHC | No SVHC |
Корпусировка на излучение | No | No |
Состояние RoHS | ROHS3 Compliant | ROHS3 Compliant |
Без свинца | Lead Free | Lead Free |