FMB2222A Альтернативные части: DMG264H00R ,FMB2227A

FMB2222AON Semiconductor

  • FMB2222AON Semiconductor
  • DMG264H00RPanasonic Electronic Components
  • FMB2227AON Semiconductor

В наличии: 49230

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

  • 1

    46.053626 ₽

    46.02 ₽

  • 10

    43.446799 ₽

    434.48 ₽

  • 100

    40.987541 ₽

    4,098.76 ₽

  • 500

    38.667486 ₽

    19,333.79 ₽

  • 1000

    36.478791 ₽

    36,478.85 ₽

Цена за единицу: 46.053626 ₽

Итоговая цена: 46.02 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты
Производитель:
Описание:
FMB2222A...-
Bipolar Transistors - Pre-Biased COMPOSITE TRANSISTOR GL WNG 2.9x2.8mm
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FMB2227A. BIPOLAR TRANSISTOR, NPN & PNP 30V SSOT-6
Состояние жизненного цикла
ACTIVE (Last Updated: 5 days ago)
-
ACTIVE (Last Updated: 5 days ago)
Срок поставки от производителя
6 Weeks
10 Weeks
4 Weeks
Монтаж
Surface Mount
Surface Mount
Surface Mount
Вид крепления
Surface Mount
Surface Mount
Surface Mount
Корпус / Кейс
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
SOT-23-6
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Количество контактов
6
6
6
Вес
36mg
-
36mg
Материал элемента транзистора
SILICON
SILICON
SILICON
Диэлектрический пробой напряжение
40V
50V
30V
Количество элементов
2
2
2
Минимальная частота работы в герцах
100
-
75
Рабочая температура
-55°C~150°C TJ
-
-55°C~150°C TJ
Пакетирование
Tape & Reel (TR)
Tape & Reel (TR)
Tape & Reel (TR)
Опубликовано
2000
2010
-
Код JESD-609
e3
-
e3
Безоловая кодировка
yes
-
yes
Состояние изделия
Active
Discontinued
Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)
1 (Unlimited)
1 (Unlimited)
1 (Unlimited)
Количество выводов
6
6
6
Завершение
SMD/SMT
-
-
Код ECCN
EAR99
EAR99
EAR99
Конечная обработка контакта
Tin (Sn)
-
Tin (Sn)
Ток постоянного напряжения - номинальный
40V
-
-
Максимальная потеря мощности
700mW
300mW
700mW
Форма вывода
GULL WING
GULL WING
GULL WING
Моментальный ток
500mA
-
500mA
Частота
300MHz
-
250MHz
Основной номер части
FMB2222
DMG264H0
FMB2227
Направленность
NPN
NPN, PNP
NPN, PNP
Конфигурация элемента
Dual
Dual
Dual
Распад мощности
700mW
-
700mW
Применение транзистора
SWITCHING
SWITCHING
SWITCHING
Продуктивность полосы частот
300MHz
-
250MHz
Тип транзистора
2 NPN (Dual)
1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
NPN, PNP
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)
40V
250mV
30V
Максимальный ток сбора
500mA
500mA
500mA
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce
100 @ 150mA 10V
80 @ 5mA 10V / 50 @ 100mA 10V
30 @ 300mA 10V
Ток - отсечка коллектора (макс)
10nA ICBO
500nA 1μA
30nA ICBO
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic
1V @ 50mA, 500mA
250mV @ 500μA, 10mA / 250mV @ 5mA, 100mA
1.4V @ 30mA, 300mA
Частота перехода
300MHz
-
250MHz
Максимальное напряжение разрушения
40V
50V
30V
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)
75V
-
60V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)
5V
-
5V
Высота
1mm
-
-
Длина
3mm
-
-
Ширина
1.7mm
-
-
REACH SVHC
No SVHC
-
No SVHC
Корпусировка на излучение
No
-
No
Состояние RoHS
ROHS3 Compliant
RoHS Compliant
ROHS3 Compliant
Без свинца
Lead Free
-
Lead Free
Максимальный коллекторный ток (Ic)
-
100mA 500mA
-
Максимальная рабочая температура
-
150°C
-
Дополнительная Характеристика
-
BUILT IN BIAS RESISITANCE RATIO 1
-
Код ТН ВЭД
-
8541.21.00.95
-
Температура пайки (пиковая) (°C)
-
NOT SPECIFIED
-
Код соответствия REACH
-
unknown
-
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)
-
NOT SPECIFIED
-
База (R1)
-
47k Ω, 4.7k Ω
-
Прямоходящий ток коллектора
-
-500mA
-
Резистор - Эмиттер-База (R2)
-
47k Ω, 4.7k Ω
-