FJY3011R Альтернативные части: FJY3009R ,MMBT3904T-7-F

FJY3011RON Semiconductor

  • FJY3011RON Semiconductor
  • FJY3009RON Semiconductor
  • MMBT3904T-7-FDiodes Incorporated

В наличии: 27000

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

  • 1

    5.889588 ₽

    5.91 ₽

  • 500

    4.330577 ₽

    2,165.25 ₽

  • 1000

    3.608777 ₽

    3,608.79 ₽

  • 2000

    3.310865 ₽

    6,621.70 ₽

  • 5000

    3.094231 ₽

    15,471.15 ₽

  • 10000

    2.878352 ₽

    28,783.52 ₽

  • 15000

    2.783750 ₽

    41,756.32 ₽

  • 50000

    2.737212 ₽

    136,860.58 ₽

Цена за единицу: 5.889588 ₽

Итоговая цена: 5.91 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты
Производитель:
Описание:
TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT523F
Trans Digital BJT NPN 40V 100mA 3-Pin SOT-523F T/R
Trans GP BJT NPN 40V 0.2A Automotive 3-Pin SOT-523 T/R
Монтаж
Surface Mount
Surface Mount
Surface Mount
Вид крепления
Surface Mount
Surface Mount
Surface Mount
Корпус / Кейс
SC-89, SOT-490
SC-89, SOT-490
SOT-523
Количество контактов
3
3
3
Поставщик упаковки устройства
SOT-523F
-
-
Диэлектрический пробой напряжение
40V
40V
40V
Максимальный коллекторный ток (Ic)
100mA
-
-
Минимальная частота работы в герцах
100
100
100
Пакетирование
Tape & Reel (TR)
Tape & Reel (TR)
Tape & Reel (TR)
Состояние изделия
Obsolete
Obsolete
Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)
1 (Unlimited)
1 (Unlimited)
1 (Unlimited)
Завершение
SMD/SMT
-
-
Максимальная рабочая температура
150°C
150°C
-
Минимальная температура работы
-55°C
-55°C
-
Ток постоянного напряжения - номинальный
40V
40V
40V
Максимальная потеря мощности
200mW
200mW
150mW
Моментальный ток
100mA
100mA
200mA
Основной номер части
FJY3011
FJY3009
MMBT3904
Направленность
NPN
NPN
-
Конфигурация элемента
Single
Single
Single
Распад мощности
200mW
200mW
150mW
Мощность - Макс
200mW
-
-
Тип транзистора
NPN - Pre-Biased
NPN - Pre-Biased
NPN
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)
300mV
40V
40V
Максимальный ток сбора
100mA
100mA
200mA
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce
100 @ 1mA 5V
100 @ 1mA 5V
100 @ 10mA 1V
Ток - отсечка коллектора (макс)
100nA ICBO
100nA ICBO
-
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic
300mV @ 1mA, 10mA
300mV @ 1mA, 10mA
300mV @ 5mA, 50mA
Напряжение - пробой коллектора-эмиттера (макс.)
40V
-
-
Максимальное напряжение разрушения
40V
40V
40V
Частота - Переход
250MHz
250MHz
-
База (R1)
22 kOhms
4.7 k Ω
-
Прямоходящий ток коллектора
100mA
100mA
200mA
REACH SVHC
No SVHC
No SVHC
No SVHC
Состояние RoHS
RoHS Compliant
RoHS Compliant
ROHS3 Compliant
Без свинца
Lead Free
Lead Free
Lead Free
Срок поставки от производителя
-
-
15 Weeks
Покрытие контактов
-
-
Tin
Вес
-
-
2.012816mg
Материал элемента транзистора
-
-
SILICON
Количество элементов
-
-
1
Рабочая температура
-
-
-55°C~150°C TJ
Серия
-
-
Automotive, AEC-Q101
Опубликовано
-
-
2007
Код JESD-609
-
-
e3
Безоловая кодировка
-
-
yes
Количество выводов
-
-
3
Код ECCN
-
-
EAR99
Положение терминала
-
-
DUAL
Форма вывода
-
-
GULL WING
Температура пайки (пиковая) (°C)
-
-
260
Частота
-
-
300MHz
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)
-
-
40
Число контактов
-
-
3
Продуктивность полосы частот
-
-
300MHz
Полярность/Тип канала
-
-
NPN
Частота перехода
-
-
300MHz
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)
-
-
60V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)
-
-
6V
Время выключения максимальное (toff)
-
-
250ns
Время включения максимальный (тон)
-
-
70ns
Высота
-
-
750μm
Длина
-
-
1.6mm
Ширина
-
-
800μm
Корпусировка на излучение
-
-
No