FJY3011R Альтернативные части: FJY3009R

FJY3011RON Semiconductor

  • FJY3011RON Semiconductor
  • FJY3009RON Semiconductor

В наличии: 27000

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

  • 1

    5.889588 ₽

    5.91 ₽

  • 500

    4.330577 ₽

    2,165.25 ₽

  • 1000

    3.608777 ₽

    3,608.79 ₽

  • 2000

    3.310865 ₽

    6,621.70 ₽

  • 5000

    3.094231 ₽

    15,471.15 ₽

  • 10000

    2.878352 ₽

    28,783.52 ₽

  • 15000

    2.783750 ₽

    41,756.32 ₽

  • 50000

    2.737212 ₽

    136,860.58 ₽

Цена за единицу: 5.889588 ₽

Итоговая цена: 5.91 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты
Производитель:
Описание:
TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT523F
Trans Digital BJT NPN 40V 100mA 3-Pin SOT-523F T/R
Монтаж
Surface Mount
Surface Mount
Вид крепления
Surface Mount
Surface Mount
Корпус / Кейс
SC-89, SOT-490
SC-89, SOT-490
Количество контактов
3
3
Поставщик упаковки устройства
SOT-523F
-
Диэлектрический пробой напряжение
40V
40V
Максимальный коллекторный ток (Ic)
100mA
-
Минимальная частота работы в герцах
100
100
Пакетирование
Tape & Reel (TR)
Tape & Reel (TR)
Состояние изделия
Obsolete
Obsolete
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)
1 (Unlimited)
1 (Unlimited)
Завершение
SMD/SMT
-
Максимальная рабочая температура
150°C
150°C
Минимальная температура работы
-55°C
-55°C
Ток постоянного напряжения - номинальный
40V
40V
Максимальная потеря мощности
200mW
200mW
Моментальный ток
100mA
100mA
Основной номер части
FJY3011
FJY3009
Направленность
NPN
NPN
Конфигурация элемента
Single
Single
Распад мощности
200mW
200mW
Мощность - Макс
200mW
-
Тип транзистора
NPN - Pre-Biased
NPN - Pre-Biased
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)
300mV
40V
Максимальный ток сбора
100mA
100mA
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce
100 @ 1mA 5V
100 @ 1mA 5V
Ток - отсечка коллектора (макс)
100nA ICBO
100nA ICBO
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic
300mV @ 1mA, 10mA
300mV @ 1mA, 10mA
Напряжение - пробой коллектора-эмиттера (макс.)
40V
-
Максимальное напряжение разрушения
40V
40V
Частота - Переход
250MHz
250MHz
База (R1)
22 kOhms
4.7 k Ω
Прямоходящий ток коллектора
100mA
100mA
REACH SVHC
No SVHC
No SVHC
Состояние RoHS
RoHS Compliant
RoHS Compliant
Без свинца
Lead Free
Lead Free