Все продукты
Войти
Место отправки: 
Китай
FJY3011R Альтернативные части: FJY3014R
FJY3011RON Semiconductor
В наличии: 27000
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.
Количество
Цена за единицу
Итоговая цена
1
5.889588 ₽
5.91 ₽
500
4.330577 ₽
2,165.25 ₽
1000
3.608777 ₽
3,608.79 ₽
2000
3.310865 ₽
6,621.70 ₽
5000
3.094231 ₽
15,471.15 ₽
10000
2.878352 ₽
28,783.52 ₽
15000
2.783750 ₽
41,756.32 ₽
50000
2.737212 ₽
136,860.58 ₽
Цена за единицу: 5.889588 ₽
Итоговая цена: 5.91 ₽
Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.
Скрыть общие атрибуты | ||
Производитель: | ||
Описание: | TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT523F | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin SOT-523F T/R |
Монтаж | Surface Mount | Surface Mount |
Вид крепления | Surface Mount | Surface Mount |
Корпус / Кейс | SC-89, SOT-490 | SC-89, SOT-490 |
Количество контактов | 3 | 3 |
Поставщик упаковки устройства | SOT-523F | SOT-523F |
Диэлектрический пробой напряжение | 40V | 50V |
Максимальный коллекторный ток (Ic) | 100mA | 100mA |
Минимальная частота работы в герцах | 100 | 68 |
Пакетирование | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
Состояние изделия | Obsolete | Obsolete |
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) |
Завершение | SMD/SMT | SMD/SMT |
Максимальная рабочая температура | 150°C | 150°C |
Минимальная температура работы | -55°C | -55°C |
Ток постоянного напряжения - номинальный | 40V | 40V |
Максимальная потеря мощности | 200mW | 200mW |
Моментальный ток | 100mA | 100mA |
Основной номер части | FJY3011 | FJY3014 |
Направленность | NPN | NPN |
Конфигурация элемента | Single | Single |
Распад мощности | 200mW | 200mW |
Мощность - Макс | 200mW | 200mW |
Тип транзистора | NPN - Pre-Biased | NPN - Pre-Biased |
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO) | 300mV | 50V |
Максимальный ток сбора | 100mA | 100mA |
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce | 100 @ 1mA 5V | 68 @ 5mA 5V |
Ток - отсечка коллектора (макс) | 100nA ICBO | 100nA ICBO |
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic | 300mV @ 1mA, 10mA | 300mV @ 500μA, 10mA |
Напряжение - пробой коллектора-эмиттера (макс.) | 40V | 50V |
Максимальное напряжение разрушения | 40V | 50V |
Частота - Переход | 250MHz | 250MHz |
База (R1) | 22 kOhms | 4.7 kOhms |
Прямоходящий ток коллектора | 100mA | 100mA |
REACH SVHC | No SVHC | No SVHC |
Состояние RoHS | RoHS Compliant | RoHS Compliant |
Без свинца | Lead Free | Lead Free |
Резистор - Эмиттер-База (R2) | - | 47 kOhms |
Корпусировка на излучение | - | No |
Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные, Предварительные Смещенные Смежные части
| Наименование | Артикул | Производитель | Категория | Упаковка | Описание | Для сравнения |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | FJY3009R | ON Semiconductor | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные, Предварительные Смещенные | SC-89, SOT-490 | Trans Digital BJT NPN 40V 100mA 3-Pin SOT-523F T/R | Для сравнения |
 | MMBT3904T-7-F | Diodes Incorporated | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные | SOT-523 | Trans GP BJT NPN 40V 0.2A Automotive 3-Pin SOT-523 T/R | Для сравнения |
| FJY3014R | ON Semiconductor | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные, Предварительные Смещенные | SC-89, SOT-490 | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin SOT-523F T/R | Для сравнения |
| FJY3012R | ON Semiconductor | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные, Предварительные Смещенные | SC-89, SOT-490 | TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT523F | Для сравнения |