FGH50N6S2 Альтернативные части: FGH40N60SMDF ,STGW60V60DF

FGH50N6S2ON Semiconductor

В наличии: 1350

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

1
565.461772 ₽
565.52 ₽
10
533.454505 ₽
5,334.48 ₽
100
503.258970 ₽
50,325.96 ₽
500
474.772596 ₽
237,386.26 ₽
1000
447.898668 ₽
447,898.63 ₽

Цена за единицу: 565.461772 ₽

Итоговая цена: 565.52 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты	иFGH50N6S2	иFGH40N60SMDF	иSTGW60V60DF
Производитель:	ON Semiconductor	ON Semiconductor	STMicroelectronics
Описание:	IGBT 600V 75A 463W TO247	FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FGH40N60SMDF IGBT Single Transistor, General Purpose, 80 A, 600 V, 349 W, 600 V, TO-247AB, 3 Pins	IGBT 600V 80A 375W TO247
Монтаж	Through Hole	Through Hole	Through Hole
Вид крепления	Through Hole	Through Hole	Through Hole
Корпус / Кейс	TO-247-3	TO-247-3	TO-247-3
Количество контактов	3	3	3
Материал элемента транзистора	SILICON	SILICON	-
Диэлектрический пробой напряжение	600V	600V	600V
Количество элементов	1	1	-
Условия испытания	390V, 30A, 3 Ω, 15V	400V, 40A, 6 Ω, 15V	400V, 60A, 4.7 Ω, 15V
Время отключения	55 ns	92 ns	-
Рабочая температура	-55°C~150°C TJ	-55°C~175°C TJ	-55°C~175°C TJ
Пакетирование	Tube	Tube	Tube
Опубликовано	2003	2013	-
Код JESD-609	e3	e3	-
Безоловая кодировка	yes	yes	-
Состояние изделия	Obsolete	Active	Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)
Количество выводов	3	3	-
Завершение	Through Hole	-	-
Код ECCN	EAR99	EAR99	EAR99
Конечная обработка контакта	Tin (Sn)	-	-
Код ТН ВЭД	8541.29.00.95	8541.29.00.95	-
Ток постоянного напряжения - номинальный	600V	-	-
Максимальная потеря мощности	463W	349W	375W
Температура пайки (пиковая) (°C)	NOT SPECIFIED	-	-
Моментальный ток	75A	-	-
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)	NOT SPECIFIED	-	-
Квалификационный Статус	Not Qualified	-	-
Конфигурация элемента	Single	Single	Single
Распад мощности	463W	349W	375W
Входной тип	Standard	Standard	Standard
Время задержки включения	13 ns	12 ns	-
Применение транзистора	POWER CONTROL	POWER CONTROL	-
Время подъема	15ns	-	-
Полярность/Тип канала	N-CHANNEL	N-CHANNEL	N-CHANNEL
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)	2.7V	600V	600V
Максимальный ток сбора	75A	80A	80A
Время включения	28 ns	37 ns	-
Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic	2.7V @ 15V, 30A	2.5V @ 15V, 40A	2.3V @ 15V, 60A
Время выключения (toff)	180 ns	132 ns	-
Зарядная мощность	70nC	119nC	334nC
Ток-эmitter импульсированный (Icm)	240A	120A	240A
Тд (вкл/выкл) @ 25°C	13ns/55ns	12ns/92ns	60ns/208ns
Переключаемый энергопотребление	260μJ (on), 250μJ (off)	1.3mJ (on), 260μJ (off)	750μJ (on), 550μJ (off)
REACH SVHC	No SVHC	No SVHC	No SVHC
Состояние RoHS	RoHS Compliant	ROHS3 Compliant	ROHS3 Compliant
Без свинца	Lead Free	Lead Free	Lead Free
Срок поставки от производителя	-	4 Weeks	20 Weeks
Покрытие контактов	-	Tin	-
Вес	-	6.39g	-
Основной номер части	-	FGH40N60	STGW60
Время подъёма макс	-	28ns	-
Сокетная связка	-	COLLECTOR	-
Время обратной рекомпенсации	-	90ns	74ns
Код JEDEC-95	-	TO-247AB	-
Тип ИGBT	-	Field Stop	Trench Field Stop
Напряжение затвор-эмиттер (макс.)	-	20V	20V
Максимальное напряжение на переходе ГЭ	-	6V	-
Время падения максимальное (tf)	-	17ns	-
Высота	-	20.6mm	20.15mm
Длина	-	15.6mm	15.75mm
Ширина	-	4.7mm	5.15mm
Корпусировка на излучение	-	No	No

Транзисторы - IGBT - Одиночные Смежные части

Артикул	Производитель	Категория	Упаковка	Описание	Для сравнения
HGTG30N60A4D	ON Semiconductor	Транзисторы - IGBT - Одиночные	TO-247-3	FAIRCHILD SEMICONDUCTOR HGTG30N60A4DIGBT Single Transistor, General Purpose, 75 A, 2.6 V, 463 W, 600 V, TO-247, 3 Pins	Для сравнения
HGTG30N60A4	ON Semiconductor	Транзисторы - IGBT - Одиночные	TO-247-3	IGBT 600V 75A 463W TO247	Для сравнения
FGH40N60SMDF	ON Semiconductor	Транзисторы - IGBT - Одиночные	TO-247-3	FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FGH40N60SMDF IGBT Single Transistor, General Purpose, 80 A, 600 V, 349 W, 600 V, TO-247AB, 3 Pins	Для сравнения
STGW60V60DF	STMicroelectronics	Транзисторы - IGBT - Одиночные	TO-247-3	IGBT 600V 80A 375W TO247	Для сравнения