Все продукты
Войти
Место отправки: 
Китай
FGH50N6S2 Альтернативные части: STGW60V60DF
FGH50N6S2ON Semiconductor
В наличии: 1350
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.
Количество
Цена за единицу
Итоговая цена
1
565.461772 ₽
565.52 ₽
10
533.454505 ₽
5,334.48 ₽
100
503.258970 ₽
50,325.96 ₽
500
474.772596 ₽
237,386.26 ₽
1000
447.898668 ₽
447,898.63 ₽
Цена за единицу: 565.461772 ₽
Итоговая цена: 565.52 ₽
Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.
Скрыть общие атрибуты | ||
Производитель: | ||
Описание: | IGBT 600V 75A 463W TO247 | IGBT 600V 80A 375W TO247 |
Монтаж | Through Hole | Through Hole |
Вид крепления | Through Hole | Through Hole |
Корпус / Кейс | TO-247-3 | TO-247-3 |
Количество контактов | 3 | 3 |
Материал элемента транзистора | SILICON | - |
Диэлектрический пробой напряжение | 600V | 600V |
Количество элементов | 1 | - |
Условия испытания | 390V, 30A, 3 Ω, 15V | 400V, 60A, 4.7 Ω, 15V |
Время отключения | 55 ns | - |
Рабочая температура | -55°C~150°C TJ | -55°C~175°C TJ |
Пакетирование | Tube | Tube |
Опубликовано | 2003 | - |
Код JESD-609 | e3 | - |
Безоловая кодировка | yes | - |
Состояние изделия | Obsolete | Active |
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) |
Количество выводов | 3 | - |
Завершение | Through Hole | - |
Код ECCN | EAR99 | EAR99 |
Конечная обработка контакта | Tin (Sn) | - |
Код ТН ВЭД | 8541.29.00.95 | - |
Ток постоянного напряжения - номинальный | 600V | - |
Максимальная потеря мощности | 463W | 375W |
Температура пайки (пиковая) (°C) | NOT SPECIFIED | - |
Моментальный ток | 75A | - |
Время@Максимальная температура пайки-пик (с) | NOT SPECIFIED | - |
Квалификационный Статус | Not Qualified | - |
Конфигурация элемента | Single | Single |
Распад мощности | 463W | 375W |
Входной тип | Standard | Standard |
Время задержки включения | 13 ns | - |
Применение транзистора | POWER CONTROL | - |
Время подъема | 15ns | - |
Полярность/Тип канала | N-CHANNEL | N-CHANNEL |
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO) | 2.7V | 600V |
Максимальный ток сбора | 75A | 80A |
Время включения | 28 ns | - |
Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic | 2.7V @ 15V, 30A | 2.3V @ 15V, 60A |
Время выключения (toff) | 180 ns | - |
Зарядная мощность | 70nC | 334nC |
Ток-эmitter импульсированный (Icm) | 240A | 240A |
Тд (вкл/выкл) @ 25°C | 13ns/55ns | 60ns/208ns |
Переключаемый энергопотребление | 260μJ (on), 250μJ (off) | 750μJ (on), 550μJ (off) |
REACH SVHC | No SVHC | No SVHC |
Состояние RoHS | RoHS Compliant | ROHS3 Compliant |
Без свинца | Lead Free | Lead Free |
Срок поставки от производителя | - | 20 Weeks |
Основной номер части | - | STGW60 |
Время обратной рекомпенсации | - | 74ns |
Тип ИGBT | - | Trench Field Stop |
Напряжение затвор-эмиттер (макс.) | - | 20V |
Высота | - | 20.15mm |
Длина | - | 15.75mm |
Ширина | - | 5.15mm |
Корпусировка на излучение | - | No |
Транзисторы - IGBT - Одиночные Смежные части
| Наименование | Артикул | Производитель | Категория | Упаковка | Описание | Для сравнения |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | HGTG30N60A4D | ON Semiconductor | Транзисторы - IGBT - Одиночные | TO-247-3 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR HGTG30N60A4DIGBT Single Transistor, General Purpose, 75 A, 2.6 V, 463 W, 600 V, TO-247, 3 Pins | Для сравнения |
| HGTG30N60A4 | ON Semiconductor | Транзисторы - IGBT - Одиночные | TO-247-3 | IGBT 600V 75A 463W TO247 | Для сравнения |
 | FGH40N60SMDF | ON Semiconductor | Транзисторы - IGBT - Одиночные | TO-247-3 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FGH40N60SMDF IGBT Single Transistor, General Purpose, 80 A, 600 V, 349 W, 600 V, TO-247AB, 3 Pins | Для сравнения |
 | STGW60V60DF | STMicroelectronics | Транзисторы - IGBT - Одиночные | TO-247-3 | IGBT 600V 80A 375W TO247 | Для сравнения |