FGH50N6S2 Альтернативные части: HGTG30N60A4

FGH50N6S2ON Semiconductor

В наличии: 1350

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

1
565.461772 ₽
565.52 ₽
10
533.454505 ₽
5,334.48 ₽
100
503.258970 ₽
50,325.96 ₽
500
474.772596 ₽
237,386.26 ₽
1000
447.898668 ₽
447,898.63 ₽

Цена за единицу: 565.461772 ₽

Итоговая цена: 565.52 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты	иFGH50N6S2	иHGTG30N60A4
Производитель:	ON Semiconductor	ON Semiconductor
Описание:	IGBT 600V 75A 463W TO247	IGBT 600V 75A 463W TO247
Монтаж	Through Hole	Through Hole
Вид крепления	Through Hole	Through Hole
Корпус / Кейс	TO-247-3	TO-247-3
Количество контактов	3	3
Материал элемента транзистора	SILICON	SILICON
Диэлектрический пробой напряжение	600V	600V
Количество элементов	1	1
Условия испытания	390V, 30A, 3 Ω, 15V	390V, 30A, 3 Ω, 15V
Время отключения	55 ns	150 ns
Рабочая температура	-55°C~150°C TJ	-55°C~150°C TJ
Пакетирование	Tube	Tube
Опубликовано	2003	2011
Код JESD-609	e3	e3
Безоловая кодировка	yes	yes
Состояние изделия	Obsolete	Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)
Количество выводов	3	3
Завершение	Through Hole	-
Код ECCN	EAR99	EAR99
Конечная обработка контакта	Tin (Sn)	Tin (Sn)
Код ТН ВЭД	8541.29.00.95	8541.29.00.95
Ток постоянного напряжения - номинальный	600V	600V
Максимальная потеря мощности	463W	463W
Температура пайки (пиковая) (°C)	NOT SPECIFIED	-
Моментальный ток	75A	75A
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)	NOT SPECIFIED	-
Квалификационный Статус	Not Qualified	-
Конфигурация элемента	Single	Single
Распад мощности	463W	463W
Входной тип	Standard	Standard
Время задержки включения	13 ns	25 ns
Применение транзистора	POWER CONTROL	POWER CONTROL
Время подъема	15ns	12ns
Полярность/Тип канала	N-CHANNEL	N-CHANNEL
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)	2.7V	600V
Максимальный ток сбора	75A	75A
Время включения	28 ns	35 ns
Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic	2.7V @ 15V, 30A	2.6V @ 15V, 30A
Время выключения (toff)	180 ns	238 ns
Зарядная мощность	70nC	225nC
Ток-эmitter импульсированный (Icm)	240A	240A
Тд (вкл/выкл) @ 25°C	13ns/55ns	25ns/150ns
Переключаемый энергопотребление	260μJ (on), 250μJ (off)	280μJ (on), 240μJ (off)
REACH SVHC	No SVHC	No SVHC
Состояние RoHS	RoHS Compliant	ROHS3 Compliant
Без свинца	Lead Free	Lead Free
Состояние жизненного цикла	-	ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
Срок поставки от производителя	-	4 Weeks
Вес	-	6.39g
Дополнительная Характеристика	-	LOW CONDUCTION LOSS
Основной номер части	-	HGTG30N60
Сокетная связка	-	COLLECTOR
Прямоходящий ток коллектора	-	75A
Напряжение затвор-эмиттер (макс.)	-	20V
Максимальное напряжение на переходе ГЭ	-	7V
Время падения максимальное (tf)	-	70ns
Высота	-	20.82mm
Длина	-	15.87mm
Ширина	-	4.82mm
Корпусировка на излучение	-	No

Транзисторы - IGBT - Одиночные Смежные части

Артикул	Производитель	Категория	Упаковка	Описание	Для сравнения
HGTG30N60A4D	ON Semiconductor	Транзисторы - IGBT - Одиночные	TO-247-3	FAIRCHILD SEMICONDUCTOR HGTG30N60A4DIGBT Single Transistor, General Purpose, 75 A, 2.6 V, 463 W, 600 V, TO-247, 3 Pins	Для сравнения
HGTG30N60A4	ON Semiconductor	Транзисторы - IGBT - Одиночные	TO-247-3	IGBT 600V 75A 463W TO247	Для сравнения
FGH40N60SMDF	ON Semiconductor	Транзисторы - IGBT - Одиночные	TO-247-3	FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FGH40N60SMDF IGBT Single Transistor, General Purpose, 80 A, 600 V, 349 W, 600 V, TO-247AB, 3 Pins	Для сравнения
STGW60V60DF	STMicroelectronics	Транзисторы - IGBT - Одиночные	TO-247-3	IGBT 600V 80A 375W TO247	Для сравнения