FGA90N30DTUON Semiconductor
В наличии: 70200
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.
Количество
Цена за единицу
Итоговая цена
1
271.665742 ₽
271.70 ₽
10
256.288434 ₽
2,562.91 ₽
100
241.781538 ₽
24,178.16 ₽
500
228.095742 ₽
114,047.80 ₽
1000
215.184712 ₽
215,184.75 ₽
Цена за единицу: 271.665742 ₽
Итоговая цена: 271.70 ₽
Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.
Скрыть общие атрибуты | |||
Производитель: | |||
Описание: | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FGA90N30DTU IGBT Single Transistor, 90 A, 1.4 V, 219 W, 300 V, TO-3P, 3 Pins | Trans IGBT Chip N-CH 330V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | IGBT 300V 46W TO220F |
Монтаж | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
Вид крепления | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
Корпус / Кейс | TO-3P-3, SC-65-3 | TO-220-3 | TO-220-3 Full Pack |
Количество контактов | 3 | - | 3 |
Поставщик упаковки устройства | TO-3P | - | - |
Диэлектрический пробой напряжение | 300V | 330V | 300V |
Максимальный коллекторный ток (Ic) | 90A | - | - |
Рабочая температура | -55°C~150°C TJ | -55°C~150°C TJ | -55°C~150°C TJ |
Пакетирование | Tube | Tube | Tube |
Состояние изделия | Obsolete | Obsolete | Obsolete |
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) |
Максимальная рабочая температура | 150°C | - | - |
Минимальная температура работы | -55°C | - | - |
Ток постоянного напряжения - номинальный | 300V | - | - |
Максимальная потеря мощности | 219W | 250W | 46W |
Моментальный ток | 10A | - | - |
Конфигурация элемента | Single | Single | Single |
Распад мощности | 219W | - | 46W |
Входной тип | Standard | Standard | Standard |
Мощность - Макс | 219W | 250W | - |
Время подъема | 200ns | - | - |
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO) | 300V | 330V | 300V |
Максимальный ток сбора | 90A | 90A | - |
Время обратной рекомпенсации | 21 ns | - | - |
Напряжение - пробой коллектора-эмиттера (макс.) | 300V | - | - |
Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic | 1.4V @ 15V, 20A | 2.5V @ 15V, 50A | 1.5V @ 15V, 10A |
Зарядная мощность | 87nC | - | 39nC |
Ток-эmitter импульсированный (Icm) | 220A | - | 80A |
REACH SVHC | No SVHC | - | - |
Корпусировка на излучение | No | No | - |
Состояние RoHS | RoHS Compliant | ROHS3 Compliant | RoHS Compliant |
Без свинца | Lead Free | - | Lead Free |
Материал элемента транзистора | - | SILICON | - |
Количество элементов | - | 1 | - |
Условия испытания | - | 180V, 25A, 10 Ω, 15V | - |
Серия | - | STripFET™ | - |
Количество выводов | - | 3 | - |
Основной номер части | - | STGP100 | FGPF30N30 |
Число контактов | - | 3 | - |
Код JESD-30 | - | R-PSFM-T3 | - |
Применение транзистора | - | GENERAL PURPOSE SWITCHING | - |
Полярность/Тип канала | - | N-CHANNEL | - |
Код JEDEC-95 | - | TO-220AB | - |
Время выключения (toff) | - | 310 ns | - |
Тд (вкл/выкл) @ 25°C | - | -/134ns | - |
Напряжение затвор-эмиттер (макс.) | - | 20V | - |
Максимальное напряжение на переходе ГЭ | - | 5.5V | - |