FGA90N30DTU Альтернативные части: FGA180N30DTU

FGA90N30DTUON Semiconductor

  • FGA90N30DTUON Semiconductor
  • FGA180N30DTUON Semiconductor

В наличии: 70200

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

  • 1

    271.665742 ₽

    271.70 ₽

  • 10

    256.288434 ₽

    2,562.91 ₽

  • 100

    241.781538 ₽

    24,178.16 ₽

  • 500

    228.095742 ₽

    114,047.80 ₽

  • 1000

    215.184712 ₽

    215,184.75 ₽

Цена за единицу: 271.665742 ₽

Итоговая цена: 271.70 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты
Производитель:
Описание:
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FGA90N30DTU IGBT Single Transistor, 90 A, 1.4 V, 219 W, 300 V, TO-3P, 3 Pins
IGBT 300V 180A 480W TO3P
Монтаж
Through Hole
Through Hole
Вид крепления
Through Hole
Through Hole
Корпус / Кейс
TO-3P-3, SC-65-3
TO-3P-3, SC-65-3
Количество контактов
3
3
Поставщик упаковки устройства
TO-3P
TO-3P
Диэлектрический пробой напряжение
300V
300V
Максимальный коллекторный ток (Ic)
90A
180A
Рабочая температура
-55°C~150°C TJ
-55°C~150°C TJ
Пакетирование
Tube
Tube
Состояние изделия
Obsolete
Obsolete
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)
1 (Unlimited)
1 (Unlimited)
Максимальная рабочая температура
150°C
150°C
Минимальная температура работы
-55°C
-55°C
Ток постоянного напряжения - номинальный
300V
300V
Максимальная потеря мощности
219W
480W
Моментальный ток
10A
10A
Конфигурация элемента
Single
Single
Распад мощности
219W
480W
Входной тип
Standard
Standard
Мощность - Макс
219W
480W
Время подъема
200ns
-
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)
300V
300V
Максимальный ток сбора
90A
180A
Время обратной рекомпенсации
21 ns
21 ns
Напряжение - пробой коллектора-эмиттера (макс.)
300V
300V
Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic
1.4V @ 15V, 20A
1.4V @ 15V, 40A
Зарядная мощность
87nC
185nC
Ток-эmitter импульсированный (Icm)
220A
450A
REACH SVHC
No SVHC
-
Корпусировка на излучение
No
-
Состояние RoHS
RoHS Compliant
RoHS Compliant
Без свинца
Lead Free
Lead Free