FGA90N30DTUON Semiconductor
В наличии: 70200
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.
Количество
Цена за единицу
Итоговая цена
1
271.665742 ₽
271.70 ₽
10
256.288434 ₽
2,562.91 ₽
100
241.781538 ₽
24,178.16 ₽
500
228.095742 ₽
114,047.80 ₽
1000
215.184712 ₽
215,184.75 ₽
Цена за единицу: 271.665742 ₽
Итоговая цена: 271.70 ₽
Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.
Скрыть общие атрибуты | ||
Производитель: | ||
Описание: | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FGA90N30DTU IGBT Single Transistor, 90 A, 1.4 V, 219 W, 300 V, TO-3P, 3 Pins | Trans IGBT Chip N-CH 330V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
Монтаж | Through Hole | Through Hole |
Вид крепления | Through Hole | Through Hole |
Корпус / Кейс | TO-3P-3, SC-65-3 | TO-220-3 |
Количество контактов | 3 | - |
Поставщик упаковки устройства | TO-3P | - |
Диэлектрический пробой напряжение | 300V | 330V |
Максимальный коллекторный ток (Ic) | 90A | - |
Рабочая температура | -55°C~150°C TJ | -55°C~150°C TJ |
Пакетирование | Tube | Tube |
Состояние изделия | Obsolete | Obsolete |
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) |
Максимальная рабочая температура | 150°C | - |
Минимальная температура работы | -55°C | - |
Ток постоянного напряжения - номинальный | 300V | - |
Максимальная потеря мощности | 219W | 250W |
Моментальный ток | 10A | - |
Конфигурация элемента | Single | Single |
Распад мощности | 219W | - |
Входной тип | Standard | Standard |
Мощность - Макс | 219W | 250W |
Время подъема | 200ns | - |
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO) | 300V | 330V |
Максимальный ток сбора | 90A | 90A |
Время обратной рекомпенсации | 21 ns | - |
Напряжение - пробой коллектора-эмиттера (макс.) | 300V | - |
Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic | 1.4V @ 15V, 20A | 2.5V @ 15V, 50A |
Зарядная мощность | 87nC | - |
Ток-эmitter импульсированный (Icm) | 220A | - |
REACH SVHC | No SVHC | - |
Корпусировка на излучение | No | No |
Состояние RoHS | RoHS Compliant | ROHS3 Compliant |
Без свинца | Lead Free | - |
Материал элемента транзистора | - | SILICON |
Количество элементов | - | 1 |
Условия испытания | - | 180V, 25A, 10 Ω, 15V |
Серия | - | STripFET™ |
Количество выводов | - | 3 |
Основной номер части | - | STGP100 |
Число контактов | - | 3 |
Код JESD-30 | - | R-PSFM-T3 |
Применение транзистора | - | GENERAL PURPOSE SWITCHING |
Полярность/Тип канала | - | N-CHANNEL |
Код JEDEC-95 | - | TO-220AB |
Время выключения (toff) | - | 310 ns |
Тд (вкл/выкл) @ 25°C | - | -/134ns |
Напряжение затвор-эмиттер (макс.) | - | 20V |
Максимальное напряжение на переходе ГЭ | - | 5.5V |