FGA90N30DTU Альтернативные части: FGA180N30DTU ,FGA90N33ATDTU

FGA90N30DTUON Semiconductor

В наличии: 70200

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

1
271.665742 ₽
271.70 ₽
10
256.288434 ₽
2,562.91 ₽
100
241.781538 ₽
24,178.16 ₽
500
228.095742 ₽
114,047.80 ₽
1000
215.184712 ₽
215,184.75 ₽

Цена за единицу: 271.665742 ₽

Итоговая цена: 271.70 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты	иFGA90N30DTU	иFGA180N30DTU	иFGA90N33ATDTU
Производитель:	ON Semiconductor	ON Semiconductor	ON Semiconductor
Описание:	FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FGA90N30DTU IGBT Single Transistor, 90 A, 1.4 V, 219 W, 300 V, TO-3P, 3 Pins	IGBT 300V 180A 480W TO3P	IGBT 330V 90A 223W TO3P
Монтаж	Through Hole	Through Hole	Through Hole
Вид крепления	Through Hole	Through Hole	Through Hole
Корпус / Кейс	TO-3P-3, SC-65-3	TO-3P-3, SC-65-3	TO-3P-3, SC-65-3
Количество контактов	3	3	3
Поставщик упаковки устройства	TO-3P	TO-3P	-
Диэлектрический пробой напряжение	300V	300V	330V
Максимальный коллекторный ток (Ic)	90A	180A	-
Рабочая температура	-55°C~150°C TJ	-55°C~150°C TJ	-55°C~150°C TJ
Пакетирование	Tube	Tube	Tube
Состояние изделия	Obsolete	Obsolete	Obsolete
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)
Максимальная рабочая температура	150°C	150°C	-
Минимальная температура работы	-55°C	-55°C	-
Ток постоянного напряжения - номинальный	300V	300V	-
Максимальная потеря мощности	219W	480W	223W
Моментальный ток	10A	10A	-
Конфигурация элемента	Single	Single	Single
Распад мощности	219W	480W	-
Входной тип	Standard	Standard	Standard
Мощность - Макс	219W	480W	223W
Время подъема	200ns	-	-
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)	300V	300V	330V
Максимальный ток сбора	90A	180A	90A
Время обратной рекомпенсации	21 ns	21 ns	23 ns
Напряжение - пробой коллектора-эмиттера (макс.)	300V	300V	-
Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic	1.4V @ 15V, 20A	1.4V @ 15V, 40A	1.4V @ 15V, 20A
Зарядная мощность	87nC	185nC	95nC
Ток-эmitter импульсированный (Icm)	220A	450A	330A
REACH SVHC	No SVHC	-	-
Корпусировка на излучение	No	-	No
Состояние RoHS	RoHS Compliant	RoHS Compliant	RoHS Compliant
Без свинца	Lead Free	Lead Free	Lead Free
Состояние жизненного цикла	-	-	ACTIVE, NOT REC (Last Updated: 4 days ago)
Срок поставки от производителя	-	-	36 Weeks
Вес	-	-	6.401g
Материал элемента транзистора	-	-	SILICON
Количество элементов	-	-	1
Опубликовано	-	-	2004
Код JESD-609	-	-	e3
Безоловая кодировка	-	-	yes
Количество выводов	-	-	3
Код ECCN	-	-	EAR99
Конечная обработка контакта	-	-	MATTE TIN
Дополнительная Характеристика	-	-	LOW CONDUCTION LOSS
Код ТН ВЭД	-	-	8541.29.00.95
Применение транзистора	-	-	POWER CONTROL
Полярность/Тип канала	-	-	N-CHANNEL
Время включения	-	-	60 ns
Время выключения (toff)	-	-	360 ns
Тип ИGBT	-	-	Trench

Транзисторы - IGBT - Одиночные Смежные части

Артикул	Производитель	Категория	Упаковка	Описание	Для сравнения
FGA90N33ATDTU	ON Semiconductor	Транзисторы - IGBT - Одиночные	TO-3P-3, SC-65-3	IGBT 330V 90A 223W TO3P	Для сравнения
STGP100N30	STMicroelectronics	Транзисторы - IGBT - Одиночные	TO-220-3	Trans IGBT Chip N-CH 330V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube	Для сравнения
FGPF30N30	ON Semiconductor	Транзисторы - IGBT - Одиночные	TO-220-3 Full Pack	IGBT 300V 46W TO220F	Для сравнения
FGA180N30DTU	ON Semiconductor	Транзисторы - IGBT - Одиночные	TO-3P-3, SC-65-3	IGBT 300V 180A 480W TO3P	Для сравнения